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Statistical properties of the photoelectron energy spectrum generated by an intense laser pulse and a continuous X-ray
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作者 葛愉成 葛湘洁 何海萍 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期325-331,共7页
This study shows that the photoelectron energy spectrum generated by an intense laser pulse in the presence of a continuous X-ray has interesting and useful statistical properties. The total photoionization production... This study shows that the photoelectron energy spectrum generated by an intense laser pulse in the presence of a continuous X-ray has interesting and useful statistical properties. The total photoionization production is linearly propor- tional to the time duration of the laser pulse and the square of the beam size. The spectral double energy-integration is an intrinsic value of the laser-assisted X-ray photoionization, which linearly depends on the laser intensity and which quantita- tively reflects the strengths of the laser-field modulation and the quantum interference between photoelectrons. The spectral energy width also linearly depends on the laser intensity. These linear relationships suggest new methods for the in-situ measurement of laser intensity and pulse duration with high precision. 展开更多
关键词 laser intensity pulse duration X-ray-boosted photoionization statistical properties of photoelec-tron energy spectrum
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基于机械臂路径规划的内场轨迹实现技术研究
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作者 乔丹 高阳 《红外》 CAS 2023年第6期38-43,48,共7页
为了解决传统光电跟踪设备的跟踪性能测试系统参数调试繁琐、设备安装困难、靶标适用性差等问题,研究了基于机械臂路径规划的内场轨迹实现技术。通过规划六自由度机械臂的末端运动轨迹,设计了更加灵活、高效的跟踪性能测试系统。首先,... 为了解决传统光电跟踪设备的跟踪性能测试系统参数调试繁琐、设备安装困难、靶标适用性差等问题,研究了基于机械臂路径规划的内场轨迹实现技术。通过规划六自由度机械臂的末端运动轨迹,设计了更加灵活、高效的跟踪性能测试系统。首先,对传统测试靶标系统进行分析,明确实现跟踪性能测试的数学模型;然后提出基于六自由度机械臂的新型技术方案,并分析了两种方案的差异性;接着通过靶标轨迹的坐标变换,根据传统动态靶标轨迹得到适用于六自由度机械臂的末端位姿参数,从而实现轨迹规划;最后,通过数值仿真验证了本文方法与传统方法的跟踪性能测试效果的一致性。仿真结果表明,两者具有相同的跟踪性能测试效果。相较于传统方法,采用机械臂的测试系统在参数调节、工具安装和靶标适用性上更具优势,完全能够满足光电跟踪设备内场跟踪性能测试的要求。 展开更多
关键词 路径规划 机械臂 光电跟踪设备 跟踪测试
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非线性光学材料倍频效应测试系统研究(英文) 被引量:4
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作者 李丙轩 魏勇 +3 位作者 黄呈辉 庄凤江 张戈 郭国聪 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期6-11,共6页
开展了一种红外和可见波段非线性光学性能测试研究。该研究基于二阶非线性光学原理,结合光电信号探测技术,提出了一种采用红外OPO激光以及把倍频光及其他光效应产生的光通过谱仪分光并结合CCD阵列探测器加以区分探测的新检测方案。主要... 开展了一种红外和可见波段非线性光学性能测试研究。该研究基于二阶非线性光学原理,结合光电信号探测技术,提出了一种采用红外OPO激光以及把倍频光及其他光效应产生的光通过谱仪分光并结合CCD阵列探测器加以区分探测的新检测方案。主要解决了测试使用1 064nm光源时,材料的倍频信号532nm被样品吸收后而探测不到倍频信号的缺点,以及准确测量了倍频信号强度,排除了其他光学效应产生的噪声干扰。其特点是采用1 064和1 905nm的双波长激光替代单一波长的激光源,该方案能适用于可见和红外非线性材料光学性能的测试。研究工作包括测试系统组成,工作原理和测试方法,并给出了采用本方法测试KTP,KDP,AGS以及几种新的红外非线性材料的实验结果,并且发现了几种有前途的非线性光学晶体材料。研究结果表明本方法具有稳定可靠、判别精度高、操作简单等优点,可以有效地定性或半定量测试材料的可见-红外非线性光学性能,为研究可见、红外乃至紫外二阶非线性光学材料提供重要的测试手段。 展开更多
关键词 非线性光学材料 倍频测试 非线性光学系数 光电探测 红外
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高活性Pt/TiO_2纳米管的制备及其光催化性能 被引量:1
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作者 李运林 张超 +3 位作者 王静 周蕾 梁光强 周明华 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2013年第5期384-390,共7页
采用电化学阳极氧化法和浸渍-提拉法成功制备了高度有序的Pt改性TiO2纳米管(Pt/TNT)阵列电极,并运用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对其进行表征,考察... 采用电化学阳极氧化法和浸渍-提拉法成功制备了高度有序的Pt改性TiO2纳米管(Pt/TNT)阵列电极,并运用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等手段对其进行表征,考察了其光电化学性质,并研究了该电极光电催化降解甲基橙染料废水的催化性能及其稳定性.结果表明,Pt的均匀负载成功地将TNT阵列电极的光响应范围拓宽到可见光区域,光电流密度达到负载前TNT阵列电极的18倍;Pt/TNT阵列电极对甲基橙的降解符合拟一级动力学,其反应速率常数为TNT阵列电极的3倍,这主要归结于Pt与TiO2间的肖特基势垒和纳米管阵列结构带来的较大比表面积、有效的光生电子和空穴的分离与传输和宽的光响应范围. 展开更多
关键词 阳极氧化法 浸渍-提拉法 铂掺杂 二氧化钛纳米管 光电催化 可见光 甲基橙
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刚体转动惯量实验仪的改装设计 被引量:4
5
作者 邓锂强 《广东石油化工学院学报》 2013年第6期53-56,共4页
介绍了设计性实验"刚体转动惯量实验仪的改装"。以转动惯量及刚体动力学原理为基础,利用实验室现有仪器,对刚体转动惯量实验仪进行改装,并提出新的实验原理,可以对阻力矩进行修正,并利用该实验装置测量刚体转动惯量。
关键词 设计性实验 刚体转动惯量 阻力矩 改装 数字毫秒计 光电门
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NSRL在宽带隙半导体能带结构的研究进展
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作者 徐彭寿 谢长坤 +4 位作者 孙玉明 徐法强 邓锐 潘海斌 施朝淑 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期409-412,共4页
综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并... 综述了中国科技大学国家同步辐射实验室(NSRL)在宽带隙半导体能带结构的研究进展。首次利用全势线性Muffin-tin 轨道(FP-LMTO)方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的能带结构,从理论上证明了Zn填隙是引起ZnO的本征n型导电性的主要原因,并讨论了它们对ZnO的光谱特性的影响。利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了纤锌矿结构GaN(0001)体态和表面态的能带色散。首次通过全势缀加平面波(FPLAPW)方法,对β-SiC(110)表面进行了第一性原理计算。我们的计算结果显示出顶层Si-C键长收缩且发生扭转的驰豫特性,而表面弛豫实现了从金属性到半导体性质的转变。 展开更多
关键词 宽带隙半导体 能带结构 角分辨光电子能谱 缺陷 表面结构
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Spectral energetic properties of the X-ray-boosted photoionization by an intense few-cycle laser
7
作者 葛愉成 何海萍 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期444-451,共8页
We report a discovery that an intense few-cycle laser pulse passing through gas leaves a fingerprint of its field en- velope on the photoelectron energy spectrum, which involves continuous X-ray radiations. The spectr... We report a discovery that an intense few-cycle laser pulse passing through gas leaves a fingerprint of its field en- velope on the photoelectron energy spectrum, which involves continuous X-ray radiations. The spectrum resulting from the photoionization processes includes significant quantum enhancement and interference and exhibits interesting energetic properties. The spectral cut-off energies reflect the strength, time, and interference of the laser field modulation on the photoelectron energy. These energetic properties suggest a new method for precise intense-laser-pulse measurement in situ. The method has the advantages of accuracy, simplicity, speed, and large dynamic ranges (up to many orders of intensity). 展开更多
关键词 laser intensity pulse duration X-ray-boosted photoionization energetic properties of photoelec-tron energy spectrum
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HfGdO/Ge异质结的制备及其能带排列 被引量:1
8
作者 孙孟君 朱燕艳 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期401-405,共5页
HfO_2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO_2的性能。采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结。X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌... HfO_2是一种很有应用前景的高k栅介质材料,稀土元素掺杂可以有效改进HfO_2的性能。采用磁控溅射方法制备了Ge基HfGdO薄膜,即HfGdO/Ge异质结。X射线衍射结果显示这种方法制备的薄膜是非晶结构,利用原子力显微镜对退火前后薄膜的表面形貌进行了观察,俄歇电子能谱结果发现制备的薄膜是符合化学计量比的。通过X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的禁带宽度和它相对于Ge衬底的导带、价带偏移进行了研究,结果显示其禁带宽度为(5.86±0.2)eV,HfGdO/Ge结构的价带偏移和导带偏移分别是(3.6±0.2)eV和(1.6±0.3)eV。这些数据将为HfGdO薄膜在栅介质上的应用提供理论依据。 展开更多
关键词 HfGdO/Ge异质结 高K栅介质 磁控溅射 X射线光电子能谱(XPS) 能带结构
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基于双基区晶体管结构的光控振荡器
9
作者 卜春雨 李树荣 +1 位作者 吴静 李丹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1164-1168,共5页
采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低... 采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低廉 。 展开更多
关键词 振荡器 光电双基区晶体管 光控调频 光控振荡 光电转换
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编码器定距采样电路设计
10
作者 李春霞 鄢积分 《电子器件》 CAS 2008年第5期1588-1590,共3页
介绍一种用编码器进行定距触发的里程计数电路,编码器输出的两路脉冲,经硬件细分与辨向电路处理后送入双向计数器,实现双向定距计数。该电路可通过预置数,实现采样间隔的局部修正或连续修正,以适应因设计要求或加工误差、磨损、热胀冷... 介绍一种用编码器进行定距触发的里程计数电路,编码器输出的两路脉冲,经硬件细分与辨向电路处理后送入双向计数器,实现双向定距计数。该电路可通过预置数,实现采样间隔的局部修正或连续修正,以适应因设计要求或加工误差、磨损、热胀冷缩等原因引起的的测量轮直径变化。该电路在轨道三维精测小车中得到应用,里程测量精度达到0.075%。 展开更多
关键词 角位移传感器 定距测量 双向计数电路 光电编码器 里程修正
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二氧化硅光栅耦合增强二硫化钼1550nm红外光电效应
11
作者 陆鼎 郝昕 +5 位作者 罗国凌 姚梦麒 谢修敏 陈庆敏 谭超 王泽高 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第6期9-16,共8页
二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可... 二硫化钼(MoS_(2))作为最有前景的二维半导体材料之一,在光电子器件领域具有广泛的应用前景.而多层MoS_(2)带隙宽度为1.20 eV,导致其在1033 nm以上波长的光吸收弱,影响其在更长波长范围的光电探测.介质光栅工程作为一种光学调控手段,可有效调控光的局域场强和电场分布,从而增强光与物质相互作用.本研究利用二氧化硅(SiO_(2))介质光栅工程对MoS_(2)晶体管进行调控,以探究其在1550 nm下的光电效应.研究发现,在MoS_(2)沟道区域耦合SiO_(2)介质光栅可将晶体管迟滞电压从1.68 V降至0 V;在10 mW/cm^(2)光照下,SiO_(2)光栅所形成的局域电场使器件载流子迁移率从3.52 cm^(2)/(V·s)提高至5.67 cm^(2)/(V·s);与此同时,光栅结构的耦合将MoS_(2)晶体管光响应从162 mA/W提高至263 mA/W.上述工作进一步推动了二维半导体介质光栅工程的研究和发展,并为二维材料在1033 nm以上波长光电子器件的发展提供了参考. 展开更多
关键词 二硫化钼 光电子器件 SiO_(2)介质光栅工程 光电效应
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强化混凝-光电氧化组合工艺深度处理垃圾渗滤液膜滤浓缩液 被引量:8
12
作者 魏晓云 夏鹏飞 +3 位作者 李昂臻 侯一宁 徐颖 赵旭 《环境工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期3040-3046,共7页
采用强化混凝-光电氧化组合工艺对北京某垃圾填埋场垃圾渗滤液膜滤浓缩液进行处理。探讨了不同混凝剂投加量、电流密度和反应时间对COD去除率的影响,并考察了溶解性有机物的分子量和结构在本工艺中的变化。结果表明:同时投加Ca(OH)2、Fe... 采用强化混凝-光电氧化组合工艺对北京某垃圾填埋场垃圾渗滤液膜滤浓缩液进行处理。探讨了不同混凝剂投加量、电流密度和反应时间对COD去除率的影响,并考察了溶解性有机物的分子量和结构在本工艺中的变化。结果表明:同时投加Ca(OH)2、Fe2(SO4)3和PAM混凝后,COD去除率为28.00%,含量由4 700 mg/L降低到3 384 mg/L;同时投加KMnO4、Fe2(SO4)3和PAM进行二次混凝,COD去除率为60.20%,含量为1 870 mg/L;混凝后水样在电流密度为400A/m2,经3 h光电氧化后,COD去除率为86.20%,含量为650 mg/L。本工艺将垃圾渗滤液膜滤浓缩液中部分大分子量有机物降解为小分子量有机物;光电氧化后,有机物结构被迅速破坏。 展开更多
关键词 垃圾渗滤液 膜滤浓缩液 强化混凝 光电氧化
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氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响 被引量:1
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作者 韩亮 邵鸿翔 +2 位作者 何亮 陈仙 赵玉清 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期349-355,共7页
利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp^3键含量不小于80%的四面体非晶碳薄膜(ta-C),然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体非晶碳(ta-C:N)薄膜.利用Raman光谱和X射线光电子能谱对薄膜结构的分析,研究了氮离子轰击能量对ta-C:N薄... 利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp^3键含量不小于80%的四面体非晶碳薄膜(ta-C),然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体非晶碳(ta-C:N)薄膜.利用Raman光谱和X射线光电子能谱对薄膜结构的分析,研究了氮离子轰击能量对ta-C:N薄膜结构的影响.氮离子对ta-C薄膜的轰击,形成了氮掺杂的ta-C:N薄膜.氮离子轰击诱导了薄膜中sp^3键向sp^2键转化,以及CN键的形成.在ta-C:N薄膜中,氮掺杂的深度和浓度随着氮离子能量的增大而增大.ta-C:N薄膜中sp^2键的含量和sp^2键团簇的尺寸随着氮离子轰击能量的增大而增加;在ta-C:N薄膜中,CN键主要由C—N键和C=N键构成,C—N键的含量随着氮离子轰击能量的增大而减小,但是C=N键含量随着氮离子轰击能量的增大而增大.在ta-C:N薄膜中不含有C≡N键结构. 展开更多
关键词 ta—C:N薄膜 氮离子 RAMAN光谱 X射线光电子能谱
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Sputtering Deposition of Ultra-thin α-Fe_2O_3 Films for Solar Water Splitting
14
作者 Lichao Jia Karsten Harbauer +2 位作者 Peter Bogdanoff Kluas Ellmer Sebastian Fiechter 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期655-659,共5页
Ultra-thin α-Fe2O3(hematite) films have been deposited by radio frequency(RF) sputtering technique and photoelectrochemically investigated towards their ability to oxidize water.By varying the deposition power an... Ultra-thin α-Fe2O3(hematite) films have been deposited by radio frequency(RF) sputtering technique and photoelectrochemically investigated towards their ability to oxidize water.By varying the deposition power and time as well as the sputter gas flow(argon),the microstructure and morphology of the film were optimized.It was found that the increment in the film thickness resulted in the loss of efficiency for solar water oxidation.The film with a thickness of 27 nm exhibited the best result with a maximum photocurrent of 0.25 mA cm-2at 1.23 VRHE.Addition of small amounts of O2to the sputter gas improved the photoactivity significantly. 展开更多
关键词 Thin film Aematite Sputtering deposition photoelec
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Experimental studies of N^+ implantation into CVD diamond thin films
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作者 辛火平 林成鲁 +5 位作者 王建新 邹世昌 石晓红 林梓鑫 周祖尧 刘祖刚 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 1997年第4期361-368,共8页
The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultra... The effects of N+ implantation under various conditions on CVD diamond films were analyzed with Raman spectroscopy, four-point probe method, X-ray diffraction (XRD), Rutherford backseattering spectroscopy (RBS), ultraviolet photoluminescence spectroscopy (UV-PL), Fourier transformation infrared absorption spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that the N+ implantation doping without any graphitization has been successfully realized when 100 keV N+ ions at a dosage of 2 × 1016 cm-2 were implanted into diamond films at 550℃ . UV-PL spectra indicate that the implanted N+ ions formed an electrically inactive deep-level impurity in diamond films. So the sheet resistance of the sample after N+ implantation changed little. Carbon nitride containing C≡N covalent bond has been successfully synthesized by 100 keV, 1.2×1018 N/cm2 N+ implantation into diamond films. Most of the implanted N+ ions formed C≡N covalent bonds with C atoms. The others were free state nitrogen, which existed in the excessive nitrogen layers. C(1s) XPS studies show the existence of three different C(1s) bonding states, corresponding to graphite, i-carbon and the carbon of C≡N covalent bonding state, respectively, which agrees well with the Raman results. 展开更多
关键词 N+ IMPLANTATION into diamond films Raman SPECTROSCOPY ultraviolet photoluminescence spec-troscopy (UV-PL) electrically inactive deep-level IMPURITY C≡N COVALENT bond carbon nitride X-ray photoelec-tron SPECTROSCOPY (XPS). N+ IMPLANTATION
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