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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器 被引量:2
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作者 唐九耀 川上养一 藤田茂夫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期79-84,共6页
研究了Zn1- xCdxSe/ZnSe 多量子阱Stark 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性,包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱,指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度,及可能的应用... 研究了Zn1- xCdxSe/ZnSe 多量子阱Stark 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性,包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱,指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度,及可能的应用前景. 展开更多
关键词 光调制器 zncdse/znse 量子限制 stark效应
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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究 被引量:2
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作者 吴旭明 唐九耀 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期339-342,共4页
用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量... 用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量子阱宽度的增大 ,量子 Stark效应变得更为显著 .本文还把计算所得的 Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较 ,当阱宽等于 9nm、电场为 10 0 k V/ cm时 ,两者符合得较好 . 展开更多
关键词 量子stark 效应 变分法 量子阱 半导体
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