SiO_2平面光波导工艺中的反应离子刻蚀研究

利用反应离子刻蚀工艺实现硅基SiO2 平面光波导的刻蚀 ,研究了不同刻蚀条件对刻蚀速率、刻蚀选择比、刻蚀侧壁光洁度等刻蚀结果的影响 ,并首次研究了分别以无定形硅与多晶硅作为SiO2 波导刻蚀掩膜对刻蚀垂直度的影响。利用改进的SiO2 反应离子刻蚀工艺 ,得到了传输损耗极低的SiO2 光波导。