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射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
被引量:
4
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作者
杨冰
蒲以康
孙殿照
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第2期153-156,共4页
研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 。
关键词
射频等离子体发射光谱分析
GaN
分子束外延生长
氮化镓
薄膜生长
半导体薄膜
下载PDF
职称材料
题名
射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
被引量:
4
1
作者
杨冰
蒲以康
孙殿照
机构
清华大学电机系
中国科学院半导体研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002年第2期153-156,共4页
文摘
研究了射频等离子体辅助分子束外延生长GaN晶膜中氮等离子体的发射光谱。用非接触式测量方法———光谱法测定了等离子体特性。讨论了分子束外延生长系统参数的变化与等离子体发光光谱变化之间的联系 。
关键词
射频等离子体发射光谱分析
GaN
分子束外延生长
氮化镓
薄膜生长
半导体薄膜
Keywords
plasma emission spectra
,
radio frequency
,
molecular beam epitaxy
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用
杨冰
蒲以康
孙殿照
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2002
4
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