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离子成分比对等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面鞘层演化特性的影响
被引量:
2
1
作者
田立成
石红
+1 位作者
李雪春
张天平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期331-336,共6页
采用一维和双离子自洽流体模型研究了等离子体浸没离子注入圆柱形聚对苯=甲酸乙=醇酯介质内表面的离子鞘层动力学。在模型中,考虑工作气体为氮气时离子成分为氮原子离子N+和分子离子N2+。计算结果表明,不同的离子成分比具有不同的鞘层...
采用一维和双离子自洽流体模型研究了等离子体浸没离子注入圆柱形聚对苯=甲酸乙=醇酯介质内表面的离子鞘层动力学。在模型中,考虑工作气体为氮气时离子成分为氮原子离子N+和分子离子N2+。计算结果表明,不同的离子成分比具有不同的鞘层演化特性,氮原子离子含量高会导致严重的充电效应。在实际工艺中,可通过调整相关参数以降低原子离子N+的成分以抑制充电效应。
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关键词
等离子体浸没离子注入
离子成分比
充电效应
下载PDF
职称材料
介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响
被引量:
10
2
作者
李雪春
王友年
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期2666-2669,共4页
针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响 .数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面的充电效应将导致鞘层厚...
针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响 .数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加 。
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关键词
等离子体浸没离子注入
脉冲鞘层
绝缘介质
充电效应
硅薄膜
注入剂量
原文传递
题名
离子成分比对等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面鞘层演化特性的影响
被引量:
2
1
作者
田立成
石红
李雪春
张天平
机构
兰州空间技术物理研究所真空低温技术与物理重点实验室
大连理工大学物理与光电工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期331-336,共6页
基金
重点实验室基金项目(No.9140C5504041001)
文摘
采用一维和双离子自洽流体模型研究了等离子体浸没离子注入圆柱形聚对苯=甲酸乙=醇酯介质内表面的离子鞘层动力学。在模型中,考虑工作气体为氮气时离子成分为氮原子离子N+和分子离子N2+。计算结果表明,不同的离子成分比具有不同的鞘层演化特性,氮原子离子含量高会导致严重的充电效应。在实际工艺中,可通过调整相关参数以降低原子离子N+的成分以抑制充电效应。
关键词
等离子体浸没离子注入
离子成分比
充电效应
Keywords
plasma immersion ion implantation
,
ion species ratio
,
charging effects
分类号
O539 [理学—等离子体物理]
下载PDF
职称材料
题名
介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响
被引量:
10
2
作者
李雪春
王友年
机构
大连理工大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期2666-2669,共4页
基金
教育部"跨世纪优秀人才培养计划"基金资助的课题~~
文摘
针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺 ,采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响 .数值模拟结果表明 :随着等离子体密度的增高 ,表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加 。
关键词
等离子体浸没离子注入
脉冲鞘层
绝缘介质
充电效应
硅薄膜
注入剂量
Keywords
plasma immersion ion implantation
, pulse sheath, dielectric,
charging effects
分类号
O539 [理学—等离子体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子成分比对等离子体浸没离子注入圆柱形介质管内表面鞘层演化特性的影响
田立成
石红
李雪春
张天平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
2
介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响
李雪春
王友年
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
10
原文传递
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
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