大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测──等离子发射光谱法

文章叙述了大规模集成电路（ＬＳＩ）等离子和反应离子刻蚀原理及在线监测刻蚀过程的基本方法。详述了用等离子发射光谱法进行ＬＳＩ离子刻蚀过程监测的具体实施和实验结果，得到了８０Ａ的动态监测精度和０．３ｃｍ２的最小可监测面积。最后文章还讨论了影响监测精度的因素。

高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术—OES和IEP—的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战。