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Pmn21结构Li2VSiO4电子结构性质
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作者 谢升伦 林硕 林传金 《闽南师范大学学报（自然科学版）》 2020年第4期38-42,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Pmn21-Li2VSiO4的结构参数、电荷密度与差分电荷密度、能带结构.结果发现,Pmn21-Li2VSiO4材料结构具备较好的结构稳定性;从电荷密度和差分电荷密度图可以看出,Li2VSiO4材料的电子键形成特... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了Pmn21-Li2VSiO4的结构参数、电荷密度与差分电荷密度、能带结构.结果发现,Pmn21-Li2VSiO4材料结构具备较好的结构稳定性;从电荷密度和差分电荷密度图可以看出,Li2VSiO4材料的电子键形成特点是离子键和共价键的混合;考虑自旋极化,计算得到自旋向上和自旋向下的电子能带结构,能带的带隙分别为1.75 eV和5.1 eV,用分波态密度分析了能带结构形成机理. 展开更多
关键词 pmn21-li2vsio4 电子结构 第一性原理
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