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An Exactly Solvable Algebraic Model for Single Quantum Well Treatments
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作者 Bulent Gonul Omer LUnsal Besire Gonul 《Applied Mathematics》 2013年第10期7-13,共7页
We propose an algebraic model, presenting individual contributions separately in the system of interest, for the exact solutions of one-dimensional Poisson-Schr?dinger equations used generally in semiconductor device ... We propose an algebraic model, presenting individual contributions separately in the system of interest, for the exact solutions of one-dimensional Poisson-Schr?dinger equations used generally in semiconductor device simulations. The model presented here reveals an interesting relation between the corresponding Poisson and Schr?dinger equation for the physical structure considered, which leads to closed solutions without solving the required electrostatic equation. 展开更多
关键词 One-Dimensional poisson-schrodinger Equation Exactly Solvable Systems Single Quantum Wells
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用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究 被引量:5
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作者 李若凡 杨瑞霞 +3 位作者 武一宾 张志国 许娜颖 马永强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期2450-2455,共6页
通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算... 通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V时,2DEG浓度降低至1.04×1013cm-2和0.789×1013cm-2.用该模型解释了2DEG退化及电流崩塌现象产生的原因,并讨论了抑制电流崩塌的办法. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 poisson-schrodinger方程 逆压电极化模型 电流崩塌
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