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题名柱上开关开断对二次智能设备的电磁干扰研究
被引量:19
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作者
黎鹏
黄道春
阮江军
朱晨光
牛小波
普子恒
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机构
武汉大学电气工程学院
平高集团有限公司
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出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2015年第8期27-37,共11页
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基金
"十一五"国家科技支撑计划项目(2009BAA19B05)
平高集团通用电气公司新产品开发资助项目(PGKJTY2013-072)
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文摘
随着智能电网的建设和发展,对智能化一次设备提出了更高的要求,二次控制与保护装置的安全可靠运行是实现一次设备智能化的重要保障。柱上开关是配电系统中作为保护与控制的关键设备,其在开断燃弧过程产生的高频信号是二次智能装置中最严重的电磁干扰来源之一,它可能会造成二次装置出现故障,所以研究柱上开关开断对二次智能设备的电磁干扰问题具有重要意义。本文利用合成试验回路对10k V柱上开关进行合成开断试验,采集了电流互感器输出电流信号,FTU控制器输入及输出电流信号,并对采集的波形数据进行时频特性分析,得到了开关分断时对二次侧信号干扰的频带及能量分布情况,结果表明:柱上开关开断对电流互感器二次侧、FTU控制器均产生了瞬态电磁干扰;柱上开关开断燃弧过程引起的干扰主要分布在频带7.81~15.62MHz;电弧过零引起的干扰主要分布在31.25~62.5MHz;瞬态恢复电压引起的瞬态干扰主要分布在31.25~125MHz。
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关键词
柱上开关
ftu控制器
电磁干扰
合成试验
小波分析
频带分布
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Keywords
pole-mounted switch,ftu controller,emi,synthetic test,wavelet analysis,frequency distribution
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分类号
TM564
[电气工程—电器]
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