均衡压力场平面抛光技术的研究

这里基于弹性力学的接触理论,研究了导向环、工件与抛光垫接触的压力场分布形态,提出了通过改变工件相对夹具的负载比,进行均衡压力场抛光技术的研究,较好地解决了大尺寸硅片的平面加工问题。使用该项技术可使半导体晶片抛光的平面度达到0.25～0.33μm/Φ76mm。