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聚合物电致发光二极管热特性研究
被引量:
1
1
作者
张剑平
文尚胜
+3 位作者
邹建华
胡苏军
李艳虎
吴宏滨
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1458-1463,共6页
采用ANSYS有限元分析软件中热分析结构单元,对聚合物电致发光二极管(PLED)在光强为1000cd/m2时的热特性进行模拟,获得其温度场、热流分布及温度梯度的分布图,从仿真结果知PLED器件的最高温度为45.968℃,处于PFO-BT发光层,最低温度为45.9...
采用ANSYS有限元分析软件中热分析结构单元,对聚合物电致发光二极管(PLED)在光强为1000cd/m2时的热特性进行模拟,获得其温度场、热流分布及温度梯度的分布图,从仿真结果知PLED器件的最高温度为45.968℃,处于PFO-BT发光层,最低温度为45.95℃,处于石英玻璃基底末端.计算得出聚合物发光器件总热阻为1305℃/W,聚合物发光层至石英玻璃基底末端热阻为1℃/W.通过改变PLED器件输入功率、基底材料以及基底厚度3个参数,分别模拟得出其对PLED器件热特性的影响,仿真结果表明器件最高温度TH与输入功率P显现良好的线性关系;不同基底材料对器件温度影响小,负极端为器件主要散热通径;当基底厚度不断增加时,PLED器件最高温度随着增加,而最低温度不断减少,器件总热阻基本不变,发光层至石英基底末端热阻线性增大.
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关键词
聚合物电致发光二极管
功率
ansys
热特性
原文传递
题名
聚合物电致发光二极管热特性研究
被引量:
1
1
作者
张剑平
文尚胜
邹建华
胡苏军
李艳虎
吴宏滨
机构
华南理工大学高分子光电材料及器件研究所
华南理工大学特种功能材料教育部重点实验室
出处
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1458-1463,共6页
基金
广东省科技计划项目(项目号2005B50101005、2007A010500011)资助
文摘
采用ANSYS有限元分析软件中热分析结构单元,对聚合物电致发光二极管(PLED)在光强为1000cd/m2时的热特性进行模拟,获得其温度场、热流分布及温度梯度的分布图,从仿真结果知PLED器件的最高温度为45.968℃,处于PFO-BT发光层,最低温度为45.95℃,处于石英玻璃基底末端.计算得出聚合物发光器件总热阻为1305℃/W,聚合物发光层至石英玻璃基底末端热阻为1℃/W.通过改变PLED器件输入功率、基底材料以及基底厚度3个参数,分别模拟得出其对PLED器件热特性的影响,仿真结果表明器件最高温度TH与输入功率P显现良好的线性关系;不同基底材料对器件温度影响小,负极端为器件主要散热通径;当基底厚度不断增加时,PLED器件最高温度随着增加,而最低温度不断减少,器件总热阻基本不变,发光层至石英基底末端热阻线性增大.
关键词
聚合物电致发光二极管
功率
ansys
热特性
Keywords
polymer light-emitting diode ansys power substrate thermal characteristics
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚合物电致发光二极管热特性研究
张剑平
文尚胜
邹建华
胡苏军
李艳虎
吴宏滨
《高分子学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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