利用国产设备的多晶硅膜等离子体腐蚀技术

本文介绍利用国产DK-P290型等离子刻蚀设备完成的多晶硅膜腐蚀技术的研究。利用SF_6作腐蚀剂,可以得到腐蚀速率超过0.1微米/分的均匀腐蚀。每批8个3吋园片,其单片和片间均匀性可达±5％以下。目前我们已将该技术用于所有的硅栅MOS电路的研制之中。在研究侧向腐蚀的过程中,我们还设计了一个不用扫描电镜作工具的实验方法。该法避免了样品的破坏性测量,从而降低了实验成本和测量周期。