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NH_3/H_2O_2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光
1
作者
周卫
福田芳夫
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期400-403,共4页
用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对用阳极氧化法制成的多孔硅层在1%NH3/H2O2溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明,Si-O键和H-O键的强度随NH3/H2O2溶液的腐蚀...
用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对用阳极氧化法制成的多孔硅层在1%NH3/H2O2溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明,Si-O键和H-O键的强度随NH3/H2O2溶液的腐蚀时间的增加而增加,Si-H键强度则随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升,半高宽变窄,谱峰的长波边明显蓝移。分析研究表明,1%NH3/H2O2溶液对多孔硅层有腐蚀作用,多孔硅层表面结构和化学态的变化会影响其光致荧光特性。
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关键词
多孔硅
光致荧光
红外光谱
腐蚀
纳米硅晶
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职称材料
题名
NH_3/H_2O_2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光
1
作者
周卫
福田芳夫
机构
清华大学日本金属材料技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期400-403,共4页
文摘
用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)对用阳极氧化法制成的多孔硅层在1%NH3/H2O2溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明,Si-O键和H-O键的强度随NH3/H2O2溶液的腐蚀时间的增加而增加,Si-H键强度则随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升,半高宽变窄,谱峰的长波边明显蓝移。分析研究表明,1%NH3/H2O2溶液对多孔硅层有腐蚀作用,多孔硅层表面结构和化学态的变化会影响其光致荧光特性。
关键词
多孔硅
光致荧光
红外光谱
腐蚀
纳米硅晶
Keywords
porous silicon
,
photoluminescence
,
ir spectra
,
etching
,
nano-crystalline
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
NH_3/H_2O_2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光
周卫
福田芳夫
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998
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