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全硅光电子集成电路的研究进展
被引量:
1
1
作者
宋登元
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期158-161,193,共5页
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响...
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上,叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。
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关键词
多孔硅
集成电路工艺
全硅光电子
ic
VLSI
下载PDF
职称材料
题名
全硅光电子集成电路的研究进展
被引量:
1
1
作者
宋登元
机构
河北大学
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期158-161,193,共5页
文摘
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制备工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上,叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。
关键词
多孔硅
集成电路工艺
全硅光电子
ic
VLSI
Keywords
porous silicon
,
all-silicon optoelectronic integrated circuits
,
ic technology
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN204 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
全硅光电子集成电路的研究进展
宋登元
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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