高冲聚苯乙烯-低密度聚乙烯的自由体积特征与其相溶性的关系

不同组成的高冲聚苯乙烯(HIPS)和低密度聚乙烯(LDPE)共混物的正电子湮没寿命谱被测量,结果表明HIPS和LDPE是不相溶共混物。在界面处,二组分的不相溶主要归因与一个组分没有足够大的自由体积孔穴尺寸容纳另一组分的侧基和分子链端基。另外,测量的自由体积分数产生的负偏差被认为主要由最长寿命强度I3所引起。

施主掺杂BaTiO_3陶瓷的正电子湮没研究

在常温下测量了不同施主食量的 BaTiO_3陶瓷的正电子寿命谱。按照正电子理论对实验结果进行了分析讨论。结果表明,自由钡空位的正电子寿命强度随施主含量的增加而经历一极大值。因而,当施主含量小于某一值时,自由钡空位浓度随施主掺杂量的增加而增加;超过最大值后,自由钡空位浓度随施主含量增加而减少,并逐步趋于平缓。这一事实强烈地支持了复合缺陷模型。

正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示

正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出各成分的寿命τi及其零时相对湮没强度Ii(O).指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果并不合理,只有正电子在各湮没态上的零时相对占有数Ni(O)=τiIi(O)或占有率ni(O)=Ni(O)/∑Ni(O)才有明确的物理意义,因为正电子在态上的几率密度ni(O)与正电子湮没环境介质的结构特性密切相关.并以二态捕获模型为例对上述论点作了证明.

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析

本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没三种成份寿命的因素,随着分子量的增大,大分子链变长,单位体积中链的自由末端减小,使得硅橡胶的密度增大,乙烯基的密度增大,正电子湮没第一寿命减小;单位体积大分子链间的缠绕和交叠也随分子量增大而增多,使正电子湮没第二寿命减小;大分子间的额外空隙随着聚合物的密度增大而减小,使正电子湮没第三寿命减小。用这个观点对实验结果作了解释。

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.

金属缺陷的正电子技术与密度泛函理论

本文以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下,系统地研究了金属中点缺陷和类点缺陷的电子结构,以及以正电子寿命为表征的缺陷谱,以AL为样品,计算了单空位和2,4,6,8,13,27空位的电子结构和正电子寿命,并探讨了理论计算结果对研究固体电子结构和正电子湮没实验的实用价值。

胶体模型与金属中点缺陷的研究

在用胶体模型的密度泛函理论方法系统地计算金属Ａｌ中的点缺陷和类点缺陷电子结构的基础上，参照有关的实验资料进行比较，探讨了胶体模型方法的可靠性、局限性及对其局限性的修正方法．分析比较了胶体模型、Ｐｕｓｋａ的无相互作用原子模型、ＦＬＡＰＷ等常见的密度泛函理论计算方案，探讨了各自的利弊。得出了胶体模型方法对于研究金属中的小微空洞（平均半径小于４ｎｍ）是一种有效、简捷的近似计算方法的结论．