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Characteristics of Positron Trapping at Defects in Neutron-irradiated Silicon Grown in Argon Atmosphere
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作者 孟祥提 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第2期101-107,共7页
The positron lifetime spectroscopy and Doppler-broadening measurements indicate that there alwaysare some V-type defects in FZ Si during annealing from room temperature to 1150℃ . In NTD (neutrontransmutation doped) ... The positron lifetime spectroscopy and Doppler-broadening measurements indicate that there alwaysare some V-type defects in FZ Si during annealing from room temperature to 1150℃ . In NTD (neutrontransmutation doped) Si irradiated by 6×10 ̄(16) neutrons/ cm ̄2 the main defect is V-type, the V_2 defectshave only an intensity of 7.3% and anncal out at the temperature lower than 200℃ . In NTD Si irradiatedby 1.2×10 ̄(18) neutrons/cm ̄2 the intensities due to V- and V_2type defects are 59% and 35%. The formerdisappears at 55℃ . the latter increases above 200℃ , decreases greatly above 550℃ , and disappears at650℃ . In addition, V_4 appears at 125~200℃, V_4 and / or V_5 defects at 400~600℃ in high-dose irradiated NTD Si. It seems that radiation doses have a bigger influence on the formation and annealing behaviorof secondary V_2type defects. Above 700℃ a lot of dislocations and / or monovacancy-type defects are formed. 展开更多
关键词 positron annihilation neutron irradiation silicon
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DAMAGE OF SILICONE RUBBER INDUCED BY PROTON IRRADIATION 被引量:2
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作者 张丽新 《Chinese Journal of Polymer Science》 SCIE CAS CSCD 2003年第5期563-567,共5页
In this paper, the damage to methyl silicone rubber induced by irradiation with protons of 150 keV energy wasstudied. The surface morphology, tensile strength, Shore hardness, cross-linking density and glass transitio... In this paper, the damage to methyl silicone rubber induced by irradiation with protons of 150 keV energy wasstudied. The surface morphology, tensile strength, Shore hardness, cross-linking density and glass transition temperaturewere examined. Positron annihilation lifetime spectrum analysis (PALS) was perfomed to reveal the damage mechanisms ofthe rubber. The results showed that tensile strength and Shore hardness of the rubber increased first and then decreased withincreasing irradiation fluence. The PALS characteristics τ_3 and I_3, as well as the free volume V_f, decreased with increasingirradiation fluence up to 10^(15) cm^(-2), and then increased slowly. It indicates that proton irradiation causes a decrease of freevolume in the methyl silicone rubber when the fluence is less than 10^(15)cm^(-2), while the free volume increases when thefluence is greater than 10^(15)cm^(-2). The results on cross-linking density indicate that the cross-linking induced by protonirradiation is dominant at smaller proton fluences, increasing the tensile strength and Shore hardness of the rubber, while thedegradation of rubber dominates at greater fluence, leading to a decrease of tensile strength and Shore hardness. 展开更多
关键词 silicone rubber Proton irradiation Tensile strength positron annihilation lifetime spectrum Free volume
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Neutron-irradiated Si by positron annihilation
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作者 Huang, MR Wang, YY +3 位作者 Yang, JH He, YS Guo, YH Liu, CC 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1997年第1期26-30,共5页
SILICON is a quite important material in the application of energy resources technology. With the development of ion-implantation technique and the increasing interest in dopping, it is very important to know the rela... SILICON is a quite important material in the application of energy resources technology. With the development of ion-implantation technique and the increasing interest in dopping, it is very important to know the relationship between the vacacies induced by the particle irradiation damage and the annealing temperature. The positron annihilation is a very useful method for studying defects in the semiconductor, because the annihilation characteristics of trapped positron are influenced by the charge of the defects. It has been shown that the positrons can be trapped by defects created by irradi- 展开更多
关键词 neutron-irradiated SI positron annihilation vacancy.
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Positron annihilation study of defects in GaAs irradiated by fission neutron
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作者 ZhuSheng-Yun QianJia-Yu 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 1997年第1期30-32,共3页
PositronannihilationstudyofdefectsinGaAsirradiatedbyfisionneutronZhuShengYun,LiAnLi,LuoQi,FanZhiGuo,ZhengShe... PositronannihilationstudyofdefectsinGaAsirradiatedbyfisionneutronZhuShengYun,LiAnLi,LuoQi,FanZhiGuo,ZhengShengNanandGouZh... 展开更多
关键词 质子湮没 砷化镓点缺陷 裂变中子辐照
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裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究 被引量:1
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作者 李安利 罗起 +5 位作者 范志国 郑胜男 勾振辉 王春瑞 钱嘉裕 朱升云 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期102-104,共3页
采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为65×1015/cm2和1.4×1014/cm2、En≥1MeV的裂变快中子辐照在掺Si、N型单晶GaAs中产生的缺陷。此辐照在GaAs中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度... 采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为65×1015/cm2和1.4×1014/cm2、En≥1MeV的裂变快中子辐照在掺Si、N型单晶GaAs中产生的缺陷。此辐照在GaAs中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量,高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为250.450. 展开更多
关键词 裂变 快中子辐照 缺陷 正电子湮没 砷化镓
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中子辐照硅的正电子湮没研究
6
作者 李安利 岩田忠夫 +3 位作者 李东宏 郑胜男 黄汉臣 朱升云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第10期588-590,共3页
采用正电子湮没方法研究了1.45×10^(20)n/cm^2和3.10×10^(17)n/cm^2快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在343—1073K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧-空位对和在高中子剂量辐照的S... 采用正电子湮没方法研究了1.45×10^(20)n/cm^2和3.10×10^(17)n/cm^2快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在343—1073K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧-空位对和在高中子剂量辐照的Si中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ_1是晶格正电子寿命和氧-空位对捕获的正电子寿命的加权平均值,而长寿命成分τ_2是双空位或四空位捕获的正电子湮没寿命。 展开更多
关键词 正电子湮没 寿命 辐射效应
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高纯硅辐射损伤的正电子湮没和扰动角关联研究
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作者 朱升云 李安利 +3 位作者 黄汉臣 李东宏 郑胜男 勾振辉 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第10期613-615,共3页
采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了1.45×1020、3.10×1017n/cm2中子辐照和5×1011/cm2178W重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用... 采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了1.45×1020、3.10×1017n/cm2中子辐照和5×1011/cm2178W重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Si中存在氧一单空位对.高中子剂量和重离子辐照Si后,用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。 展开更多
关键词 辐射效应 正电子湮灭 退火
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中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响
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作者 孟祥提 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期69-73,共5页
用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为,发现不同中子注量辐照时,辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似,并均在550℃时退火消除;但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型... 用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为,发现不同中子注量辐照时,辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似,并均在550℃时退火消除;但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于500℃以下退火的高中子注量辐照的单晶硅,但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。 展开更多
关键词 中子辐照 单晶硅 缺陷 退火
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硅光电器件抗反射系统设计研究
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作者 胡东红 张玲 《半导体杂志》 1997年第3期12-14,共3页
根据SiO2Si系统在空气中的反射率公式,讨论了SiO2层厚度和入射光波长对反射率的影响,提出了在两种情况下确定SiO2层厚度的方法:(1)实现在某一波长范围抗反射效果最佳;(2)实现在某一光照条件下光电流最大。
关键词 光敏管 硅-二氧化硅 抗反射 硅光电器件
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六方氮化硼的热中子辐照损伤
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作者 阳永富 王柱 +3 位作者 陈万平 邹武生 赵江滨 何高魁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期691-698,共8页
由于辐照缺陷直接影响载流子收集效率和器件性能,辐照缺陷结构与六方氮化硼(hBN)中载流子产生和输运的关系一直是探测器研究的重要课题。利用静电计、X射线衍射(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)等方法研究了热解氮化硼(PBN)和热压氮化硼(H... 由于辐照缺陷直接影响载流子收集效率和器件性能,辐照缺陷结构与六方氮化硼(hBN)中载流子产生和输运的关系一直是探测器研究的重要课题。利用静电计、X射线衍射(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)等方法研究了热解氮化硼(PBN)和热压氮化硼(H-BN)材料的热中子辐照损伤和缺陷结构,以及辐照缺陷对载流子输运的影响。中子辐照的总剂量分别为3.9×10^(14),1.6×10^(15),1.0×10^(16) cm^(-2)。结果表明,中子辐照引入了大量的缺陷和杂质。缺陷的变化规律主要表现为单空位、双空位、小空位团缺陷浓度随着热中子辐照剂量的增加而增加。中子辐照产生的杂质(Li离子)成为了载流子产生中心。辐照引入的缺陷主要成为了载流子的散射和复合中心,降低了载流子迁移率和浓度,使得辐照后的载流子浓度远远低于预期的浓度。研究结果对于理解hBN中子探测器的载流子输运机理具有重要的科学意义。 展开更多
关键词 六方氮化硼 中子辐照 缺陷 正电子湮没 载流子
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快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷 被引量:3
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作者 杨帅 徐建萍 +1 位作者 邓晓冉 陈贵锋 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期808-811,共4页
利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷。研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200~450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919.... 利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷。研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200~450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919.6 cm–1红外吸收峰为单空位型缺陷,其正电子寿命与VO的寿命接近,约为290 ps;经450~600℃热处理后,随单空位型缺陷VO消失,V4型缺陷浓度迅速增加,600℃热处理后其浓度达到最大(相对浓度约为70%)。 展开更多
关键词 直拉硅 正电子湮没 中子辐照 空位型缺陷
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Effects of alloying elements Mn,Mo,Ti,Si,P and C on the incubation period of void swelling in austenitic stainless steels 被引量:1
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作者 Toshimasa Yoshiie Qiu Xu 《Tungsten》 2021年第1期3-19,共17页
Void swelling,which induces the degradation of the original properties of nuclear materials under high-energy particleirradiation,is an important problem.The incubation period,a transient stage before the steady void ... Void swelling,which induces the degradation of the original properties of nuclear materials under high-energy particleirradiation,is an important problem.The incubation period,a transient stage before the steady void growth,determines the duration of service of nuclear materials.Several experimental studies have been performed on void observations by transmission electron microscopy(TEM),which,however,has a resolution limit for the size of defect clusters.Positron annihilation lifetime spectroscopy(PALS)enables the detection of small vacancy clusters,single vacancies,dislocations and precipitates.The use of these two methods provides complementary information toward detecting defect information in the incubation period.Here,defect structures during the incubation period in austenitic stainless steels,by means of PALS and TEM are reviewed.The role of alloying elements into determining the period is explained.Furthermore,the existing problems and research directions in this field are presented. 展开更多
关键词 Austenitic stainless steels Void swelling Incubation period neutron irradiation positron annihilation lifetime spectroscopy
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