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A PAT STUDY OF INFLUENCES OF PRECIPITATION ON DEFECTS AND ELECTRONIC DENSITY IN Al-Li-Cu-Mg-Zr ALLOYS 被引量:2
1
作者 Wu, WM Gao, YJ +4 位作者 Luo, LX Deng, W Xu, SJ Zhong, XP Jiang, XJ 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 1997年第1期43-46,共4页
APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun... APATSTUDYOFINFLUENCESOFPRECIPITATIONONDEFECTSANDELECTRONICDENSITYINAlLiCuMgZrALLOYS①WuWeiming,GaoYingjun,LuoLixiong,DengW... 展开更多
关键词 positron lifetime spectra Al Li Cu Mg ZR alloy ageing PRECIPITATION defects bulk electronIC density
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The behavior of 3d electrons and defects in TiAl-based alloys containing V and Cu studied by positron annihilation 被引量:2
2
作者 DENG Wen CHEN ZhenYing +3 位作者 JIANG HaiFeng SUN ShunPing ZHU YingYing HUANG YuYang 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2008年第9期1221-1228,共8页
Information of defects and 3d electrons in transition metals (Ti,V,Cu) and TiAl-based alloys (Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2) can be extracted from the positron lifetime and coincidence Doppler broadening spectra. Th... Information of defects and 3d electrons in transition metals (Ti,V,Cu) and TiAl-based alloys (Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2) can be extracted from the positron lifetime and coincidence Doppler broadening spectra. The results show that the 3d electron signals for the transition metals Ti,V and Cu increase with the number of 3d electrons. The 3d electron signal and the electron density for binary TiAl alloy are relatively low due to the (Ti)3d-(Al)3p interactions. The addition of V and Cu atoms to TiAl alloy leads to the increase in the electron densities in bulk and the defects on grain boundaries simultaneously,as well as the enhancement of the 3d electron signal. The 3d electron signal in the spectrum of Ti50Al48Cu2 alloy is higher than that of Ti50Al48V2 alloy. 展开更多
关键词 TIAL alloy 3d electron DEFECT positron annihilation
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正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展 被引量:4
3
作者 曹兴忠 宋力刚 +3 位作者 靳硕学 张仁刚 王宝义 魏龙 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期25-38,共14页
正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本... 正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没寿命和多普勒展宽能谱是正电子湮没谱学的最基本的分析方法,在半导体材料的空位形成、演化机理以及分布等研究方面能够发挥独特的作用;此外,慢正电子束流技术在半导体薄膜材料的表面和多层膜材料的界面的微观结构和缺陷的深度分布的研究中有广泛的应用.通过正电子技术所得到的微观结构和缺陷、电子密度和动量分布等信息对研究半导体微观结构、优化半导体材料的工艺和性能等方面有着指导作用.本文综述了正电子湮没谱学技术在半导体材料方面的应用研究进展,主要围绕正电子研究平台在半导体材料微观缺陷研究中对材料的制备工艺、热处理、离子注入和辐照情况下,各种缺陷的微观结构的表征及其演化行为的研究成果展开论述. 展开更多
关键词 正电子湮没谱学 半导体材料 电子(动量、密度)分布 微观结构
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掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文) 被引量:3
4
作者 邓文 祝莹莹 +3 位作者 周银娥 黄宇阳 曹名洲 熊良钺 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期348-351,共4页
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金... 测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。 展开更多
关键词 TIAL合金 电子密度 缺陷 正电子湮没
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用正电子湮没技术研究Ni-20Al-30Fe合金中的缺陷组态 被引量:2
5
作者 邓文 熊良钺 +2 位作者 王淑荷 郭建亭 龙期威 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第10期594-596,共3页
测量了铸态、热轧和定向结晶三种不同工艺的Ni-20Al-30Fe的e+寿命谱:e+这三种试样的缺陷中的寿命十分相近.说明e+在该合金的空位、应错和晶界中的寿命相近.合金晶界缺陷处的自由电子密度和空位处的相当。在NiA... 测量了铸态、热轧和定向结晶三种不同工艺的Ni-20Al-30Fe的e+寿命谱:e+这三种试样的缺陷中的寿命十分相近.说明e+在该合金的空位、应错和晶界中的寿命相近.合金晶界缺陷处的自由电子密度和空位处的相当。在NiAl合金中加入Fe元素后.改善了合金的晶界结构. 展开更多
关键词 缺陷 镍铝铁合金 正电子湮灭
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Gd^(3+)掺杂YBCO体系超导电性的正电子研究 被引量:2
6
作者 陈镇平 李喜贵 +4 位作者 苏玉玲 薛运才 刘海增 宫世成 赵景训 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期33-36,共4页
为探究稀土离子Gd3+的Y位掺杂对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)体系晶体结构和局域电子结构的影响,利用正电子湮没和X-射线衍射(XRD)实验对Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0—1.0)系列样品进行了系统研究。XRD实验表明,Gd离子的Y位替代使得样品晶胞参数增大... 为探究稀土离子Gd3+的Y位掺杂对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)体系晶体结构和局域电子结构的影响,利用正电子湮没和X-射线衍射(XRD)实验对Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0—1.0)系列样品进行了系统研究。XRD实验表明,Gd离子的Y位替代使得样品晶胞参数增大,但所有样品均保持与YBCO相同的单相正交结构。输运测量表明,各实验样品超导转变温度Tc均在90K以上,且整体上随Gd3+离子含量的增加而增加。正电子实验结果给出局域电子密度ne随Gd掺杂浓度x的增加而减小。 展开更多
关键词 正电子湮没 晶体结构 超导电性 局域电子密度
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用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响 被引量:2
7
作者 祝莹莹 邓文 +4 位作者 孙顺平 江海峰 黄宇阳 曹名洲 熊良钺 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期271-274,共4页
测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在T... 测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50Al48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息。结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大。在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加。Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金。讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响。 展开更多
关键词 TIAL合金 d-d电子相互作用 缺陷 正电子湮没技术
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Cr和Mo对Fe_3Al合金中微观缺陷和电子密度的影响 被引量:2
8
作者 钟夏平 邓文 +4 位作者 唐郁生 熊良钺 王淑荷 郭建亭 龙期威 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期321-326,共6页
测量了二元Fe3Al及合Cr或Mo的Fe3Al合金的正电子寿命谱参数,计算了合金基体和缺陷处的价电子密度。实验结果表明,Al和Fe结合形成Fe3Al合金时,Al原子提供价电子与Fe原子的3d电子形成局域的共价键。Fe3Al合金中金属键和共价键共存。Fe... 测量了二元Fe3Al及合Cr或Mo的Fe3Al合金的正电子寿命谱参数,计算了合金基体和缺陷处的价电子密度。实验结果表明,Al和Fe结合形成Fe3Al合金时,Al原子提供价电子与Fe原子的3d电子形成局域的共价键。Fe3Al合金中金属键和共价键共存。Fe3Al合金晶界缺陷的开空间大于Fe空位或Al空位的开空间,晶界缺陷处价电子密度比基体低,晶界的键合力较弱。在Fe3Al合金中加入Mo,降低了合金中的有序度,使晶界缺陷的开空间变小.但由于Mo原子半径比Fe大,当它取代Fe后,晶格发生畸变,体积增大,导致合金基体的价电子密度降低。在Fe3Al合金中加入Cr,合金基体和晶界的价电子密度都升高,金属键合力增强。Cr元素对改善Fe3Al合金的脆性有利。 展开更多
关键词 正电子寿命 FE3AL合金 缺陷 电子密度
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高纯Fe中氢损伤规律的研究 被引量:1
9
作者 吴奕初 常香荣 +1 位作者 田中卓 肖纪美 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期A091-A094,共4页
本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm^2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电... 本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm^2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后。 展开更多
关键词 氢损伤 临界电流密度 纯铁
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Fe-Al系合金中微观缺陷与自由电子密度关系的研究 被引量:1
10
作者 刘青宜 王继仙 《铸造技术》 CAS 北大核心 2014年第7期1414-1416,共3页
研究了Fe-Al合金以及在Fe3Al中添加Si和Cr元素后的正电子寿命频谱。结果表明,随着Al元素含量的提高,Fe-Al合金中的电子密度减小,微孔洞的开空间增大。合金中添加Cr元素会使合金晶界和基体的电子密度增加,添加Si元素则使电子密度降低。
关键词 正电子寿命 电子密度 微观缺陷 FE-AL合金
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石墨和纳米碳中缺陷和电子动量的研究
11
作者 邓文 周银娥 +3 位作者 祝莹莹 黄宇阳 刘起秀 熊良钺 《原子核物理评论》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期50-53,共4页
用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量. 结果表明, 纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体. 纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约 10个空位聚集体的微孔洞. 石墨晶体中的自由... 用正电子湮没技术研究了石墨和纳米碳中的缺陷和电子动量. 结果表明, 纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体. 纳米碳中存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约 10个空位聚集体的微孔洞. 石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的[0 001]晶向的自由电子(即 2Pz电子)的动量最大; 偏离该方向越大, 自由电子的动量越小; 垂直于[0 001]晶向的自由电子的动量最小. 而纳米碳中自由电子动量的分布表现出各向同性. 展开更多
关键词 动量分布 自由电子 纳米碳 微孔洞 分布表 石墨晶体 空位 晶向 缺陷 各向异性
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Fe掺杂GdBa_2Cu_(3-x)Fe_xO_(7-δ)超导体系的正电子湮没研究
12
作者 陈镇平 张国芳 +4 位作者 薛人中 石开 李涛 王春梅 薛运才 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期183-187,共5页
利用X射线衍射(XRD)、正电子湮没等实验技术对Fe掺杂稀土超导体系GdBa2Cu3–xFexO7–δ(x=0.00–0.30)的晶体结构、局域电子密度ne以及超导电性进行了系统研究。实验结果表明,当Fe掺杂量在x=0.10附近时,体系的晶体结构发生了正交-四方... 利用X射线衍射(XRD)、正电子湮没等实验技术对Fe掺杂稀土超导体系GdBa2Cu3–xFexO7–δ(x=0.00–0.30)的晶体结构、局域电子密度ne以及超导电性进行了系统研究。实验结果表明,当Fe掺杂量在x=0.10附近时,体系的晶体结构发生了正交-四方相变。随Fe含量的增加,体系的超导转变温度逐渐降低,且超导转变宽度在正交-四方相变前后有明显变化,四方相结构样品的超导转变宽度明显增加。正电子实验结果表明,体系发生正交-四方相变时,体系的局域电子密度出现较大变化,并且超导转变温度Tc随局域电子密度ne的减小而减小。研究结果证明了体系的结构相变和局域电子结构对超导电性具有重要影响。 展开更多
关键词 正电子湮没 结构相变 超导电性 局域电子密度
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用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度
13
作者 吴伟明 高英俊 +4 位作者 邓文 许少杰 冯冠之 钟夏平 蒋晓军 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期160-163,共4页
测量了欠时效和峰值时效的Al—Li—Cu—Mg-Zr合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱.对e+寿命谱特征参数的分析表明.两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量... 测量了欠时效和峰值时效的Al—Li—Cu—Mg-Zr合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱.对e+寿命谱特征参数的分析表明.两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多;缺陷的平均开空间更大.而且随着δ'(Al3Li)相粒子的长大,样品基体中自由电子密度提高,增加了合金基体的强度. 展开更多
关键词 正电子寿命谱 铝锂合金 深低温 缺陷 电子密度
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HYDROGEN DAMAGE IN HIGH PURITY IRON
14
作者 WU Yichu CHANG Xiangrong TIAN Zhongzhuo XIAO Jimei University of Science and Technology Beijing,Beijing,China 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》 SCIE EI CAS CSCD 1992年第4期305-308,共4页
Hydrogen damage in iron or 99.99% purity has been investigated by Doppler broadening measurement.Experimental results show that when the iron is charged with hydrogen in 0.5mol/L H_2SO_4 solution,the critical current ... Hydrogen damage in iron or 99.99% purity has been investigated by Doppler broadening measurement.Experimental results show that when the iron is charged with hydrogen in 0.5mol/L H_2SO_4 solution,the critical current density to cause hydrogen damage is 20mA/cm^2.While a little As_2O_3,saying 250mg/L,added to H_2SO_4 solution,even rather small current density.≤0.2mA/cm^2,would cause hydrogen damage.With the help ofi slow tensile test,it revealed that the hydrogen damage occurred in the specimen may be influential to the subsequent process of deformation and fracture. 展开更多
关键词 hydrogen damage critical current density positron annihilation technique hydrogen-induced defect
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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷 被引量:2
15
作者 邵云东 王柱 +1 位作者 赵有文 唐方圆 《武汉大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期35-39,共5页
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符... 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷. 展开更多
关键词 GASB 符合多普勒展宽 正电子湮没 电子辐照 缺陷
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金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术
16
作者 张端明 黄素梅 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1993年第1X期14-19,共6页
以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.
关键词 电子结构 密度泛函法 金属
全文增补中
电子束辐照BSTS玻璃的正电子湮没研究
17
作者 范春梅 孙诗兵 +2 位作者 王为 王瑛 王荣 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期509-512,共4页
利用电子束对BaO-SrO-TiO2-SiO2基础玻璃系统进行辐照,采用正电子湮没方法研究了辐照对BSTS玻璃结构造成的缺陷.研究发现:BSTS玻璃经电子束辐照后,微观结构上会产生新的空位缺陷,但总的缺陷的体积浓度降低,结晶度增大.
关键词 BSTS玻璃 正电子湮没 电子束辐照 缺陷
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金属的传导电子密度与正电子湮没率的关系
18
作者 王京阳 熊良钺 龙期威 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期A438-A444,共7页
应用电荷自洽离散变分Xα方法(SCC─DVM─XαMethod)计算了金属中的传导电子密度,得出了金属的传导电子密度与正电子湮没率的关系,并由此直接给出了增强因子的形式。同时讨论了在这些金属中正电子与芯电子湮没所占比... 应用电荷自洽离散变分Xα方法(SCC─DVM─XαMethod)计算了金属中的传导电子密度,得出了金属的传导电子密度与正电子湮没率的关系,并由此直接给出了增强因子的形式。同时讨论了在这些金属中正电子与芯电子湮没所占比例及其对正电子湮没率的影响。 展开更多
关键词 金属 传导电子密度 正电子 湮没率
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Gd替代YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的相结构与局域电子结构的研究 被引量:6
19
作者 陈镇平 薛运才 +2 位作者 苏玉玲 宫世成 张金仓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期5382-5388,共7页
利用正电子湮没实验,结合x射线衍射(XRD)结构分析,研究了具有混合稀土特征的(Y1-xGdx)Ba2Cu3O7-δ系列样品.XRD实验结果表明,半径较大的Gd离子Y位替代使得样品晶胞参数和晶胞体积增大,但所有样品仍保持与YBa2Cu3O7-δ(YBCO)样品相同的... 利用正电子湮没实验,结合x射线衍射(XRD)结构分析,研究了具有混合稀土特征的(Y1-xGdx)Ba2Cu3O7-δ系列样品.XRD实验结果表明,半径较大的Gd离子Y位替代使得样品晶胞参数和晶胞体积增大,但所有样品仍保持与YBa2Cu3O7-δ(YBCO)样品相同的单相正交结构.正电子湮没实验表明,正电子各寿命参数表现出很强的Gd替代依赖关系.从正电子实验结果出发,计算了Cu-O链区局域电子密度ne的变化.结果表明,局域电子密度ne随Gd含量x的增加而减小,而超导转变温度Tc随局域电子密度ne的减小而增加,这种局域电子密度ne与超导电性的关联是与铜位替代完全不同的,且可能是近年来人们关于混合稀土铜氧化物体系具有较高临界电流密度的原因之一.该研究结果为铜氧化物超导体的应用和机理研究提供了相应的正电子实验资料. 展开更多
关键词 超导电性 正电子湮没 相结构 局域电子密度 YBA2CU3O7-Δ超导体 局域电子密度 GD 电子结构 铜氧化物超导体 相结构 正电子湮没 电子实验 超导转变温度
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六方碳化硅中的深能级缺陷 被引量:2
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作者 凌志聪 陈旭东 +7 位作者 冯汉源 C.D.Beling 龚敏四川大学物理学院 葛惟锟 王建农 G.Brauer W.Anwand W.Skorupa 《物理》 CAS 北大核心 2004年第11期786-790,共5页
文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验... 文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验测试的相关图谱 ,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据 . 展开更多
关键词 能级 可控 湮灭 氦离子 正电子 电子辐照 光谱 六方 研究结果 PL
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