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Unified Coverage Methodology for SoC Post-Silicon Validation
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作者 Semih Aslan G. Karuna Ranganathapura Chandrai Vittal Siddaiah 《Optics and Photonics Journal》 2016年第10期261-268,共8页
The System-on-Chip’s increased complexity and shortened design cycle calls for innovation in design and validation. A high quality System-on-Chip creates distinction and position in the market, and validation is the ... The System-on-Chip’s increased complexity and shortened design cycle calls for innovation in design and validation. A high quality System-on-Chip creates distinction and position in the market, and validation is the key to a quality product. Validation consumes >60% of the product cycle. Therefore, validation should be carried out efficiently. Validation must be quantified to aid in determining its quality. Pre-silicon uses various coverage metrics for quantifying the validation. The available on-chip coverage logic limits the use of pre-silicon-like coverage metrics in post-silicon. Although on-chip coverage logic increases observability, it does not contribute to the functional logic;hence, they are controlled and limited. Discounting the need for the on-chip coverage logic, the question to be answered is whether or not these pre-silic-on coverage metrics applicable to post-silicon. We discuss the reasons for limited applicability of pre-silicon coverage metrics in post-silicon. This paper presents a unified SoC post-silicon coverage methodology centered on functional coverage metrics. 展开更多
关键词 SOC IOT Coverage Metrics post-silicon
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Two-dimensional transition metal dichalcogenides for post-silicon electronics 被引量:1
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作者 Xiankun Zhang Hang Zhao +3 位作者 Xiaofu Wei Yanzhe Zhang Zheng Zhang Yue Zhang 《National Science Open》 2023年第4期103-120,共18页
Rapid advancements in information technology push the explosive growth in data volume,requiring greater computing-capability logic circuits.However,conventional computing-capability improving technology,which mainly r... Rapid advancements in information technology push the explosive growth in data volume,requiring greater computing-capability logic circuits.However,conventional computing-capability improving technology,which mainly relies on increasing transistor number,encounters a significant challenge due to the weak field-effect characteristics of bulk siliconbased semiconductors.Still,the ultra-thin layered bodies of two-dimensional transition metal dichalcogenides(2D-TMDCs)materials enable excellent field-effect characteristics and multiple gate control ports,facilitating the integration of the functions of multiple transistors into one.Generally,the computing-capability improvement of the transistor cell in logic circuits will greatly alleviate the challenge in transistor numbers.In other words,one can only use a small number,or even just one,2DTMDCs-based transistors to conduct the sophisticated logic operations that have to be realized by using many traditional transistors.In this review,from material selection,device structure optimization,and circuit architecture design,we discuss the developments,challenges,and prospects for 2D-TMDCs-based logic circuits. 展开更多
关键词 logic circuits two-dimensional transition metal dichalcogenides computing capability post-silicon electronics transistor number
原文传递
X-Debugger:基于FPGA的扫描调试器设计及实现
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作者 李小波 唐志敏 《高技术通讯》 CAS 北大核心 2024年第8期824-831,共8页
针对芯片硅后调试面临内部信号可观测性差、可控制性弱、内部状态不易恢复重建等问题,本文设计和实现了一款基于现场可编程门阵列(FPGA)的快速扫描调试器XDebugger。该调试器复用传统可测试设计(DFT)扫描链路逻辑,在芯片的设计阶段插入... 针对芯片硅后调试面临内部信号可观测性差、可控制性弱、内部状态不易恢复重建等问题,本文设计和实现了一款基于现场可编程门阵列(FPGA)的快速扫描调试器XDebugger。该调试器复用传统可测试设计(DFT)扫描链路逻辑,在芯片的设计阶段插入基于功能模块前导码的扫描控制电路,实现了芯片内部各数字逻辑模块信号100%可见;通过基于FPGA的扫描调试器X-Debugger可以快速完成芯片内部寄存器状态获取和修改,并结合硬件加速器可以完成芯片内部逻辑状态的快速重建,从而形成硅后调试闭环。在某处理器芯片硅后调试实践中的结果表明,对于小于100万触发器的功能模块可以在1 s内完成内部状态获取、修改和重建,全芯片通过X-Debugger内部信号获取和重建小于1 min,极大提高了该处理器芯片的硅后调试效率。 展开更多
关键词 硅后调试 现场可编程门阵列(FPGA) 扫描链 寄存器回读 状态重建
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超大规模集成电路可调试性设计综述 被引量:3
4
作者 钱诚 沈海华 +1 位作者 陈天石 陈云霁 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2012年第1期21-34,共14页
随着硬件复杂度的不断提高和并行软件调试的需求不断增长,可调试性设计已经成为集成电路设计中的重要内容.一方面,仅靠传统的硅前验证已经无法保证现代超大规模复杂集成电路设计验证的质量,因此作为硅后验证重要支撑技术的可调试性设计... 随着硬件复杂度的不断提高和并行软件调试的需求不断增长,可调试性设计已经成为集成电路设计中的重要内容.一方面,仅靠传统的硅前验证已经无法保证现代超大规模复杂集成电路设计验证的质量,因此作为硅后验证重要支撑技术的可调试性设计日渐成为大规模集成电路设计领域的研究热点.另一方面,并行程序的调试非常困难,很多细微的bug无法直接用传统的单步、断点等方法进行调试,如果没有专门的硬件支持,需要耗费极大的人力和物力.全面分析了现有的可调试性设计,在此基础上归纳总结了可调试性设计技术的主要研究方向并介绍了各个方向的研究进展,深入探讨了可调试性结构设计研究中的热点问题及其产生根源,给出了可调试性结构设计领域的发展趋势. 展开更多
关键词 调试 验证 硅后验证 并行程序调试 可调试性设计
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氧化处理多孔硅的光致发光和发光衰减 被引量:6
5
作者 李清山 李鹏 +3 位作者 马玉蓉 方容川 蔡志岗 徐志凌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期211-216,共6页
用沸硫酸对多孔硅进行了处理,测量了它们的红外吸收光谱、光致发光光谱和发光衰减.对氢、氧的作用进行了讨论,发现氧的加入可使发光强度增加两个数量级,发光衰减变快.用三层发光模型对结果进行了讨论。
关键词 多孔硅 后处理 发光衰减 氧化处理
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一种面向多核处理器的通用可调试性架构 被引量:1
6
作者 杨旭 刘江 +4 位作者 钱诚 苏孟豪 吴瑞阳 陈云霁 胡伟武 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第10期1656-1664,共9页
硅后调试对于当代集成电路设计变得日益重要,用于辅助硅后调试的可调式性设计(DFD)应运而生.由于多核处理器往往包含多种不同类型的部件,每个部件都有各自的调试功能需求,极大地提高了可调式性设计的复杂度.针对上述问题,提出一种面向... 硅后调试对于当代集成电路设计变得日益重要,用于辅助硅后调试的可调式性设计(DFD)应运而生.由于多核处理器往往包含多种不同类型的部件,每个部件都有各自的调试功能需求,极大地提高了可调式性设计的复杂度.针对上述问题,提出一种面向片上多核处理器的通用可调试性架构.该架构使用简单的监测器来监测和控制处理器中用于互连的片上网络,通过专门的调试总线将各个监测器与调试总控模块连接在一起,并使用EJTAG通用调试接口与外部调试主机传递信息.与传统的可调试性架构相比,该架构无需片上RAM,硬件代价低,具有模块化的特性.此外,文中提出的架构采用了工业界通用的EJTAG调试接口,因此通用性较高,已经被应用于龙芯-3B多核处理器中.实验结果显示,该架构可以在高频高数据带宽的环境下工作. 展开更多
关键词 多核 片上网络 可调试性设计 硅后调试
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三种制作上颌前牙桩核方法的临床效果比较 被引量:5
7
作者 刘林娟 许建辉 张怀勤 《齐齐哈尔医学院学报》 2011年第1期12-13,共2页
目的比较3种制作前牙金属铸造桩核方法的临床效果。方法选取本院修复科门诊病例58例,共75颗根管治疗后的上颌前牙随机分成三组,分别用嵌体蜡口内直接法、琼脂-藻酸盐印模口外间接法、硅橡胶印模口外间接法制作铸造桩核,对这三组桩核的... 目的比较3种制作前牙金属铸造桩核方法的临床效果。方法选取本院修复科门诊病例58例,共75颗根管治疗后的上颌前牙随机分成三组,分别用嵌体蜡口内直接法、琼脂-藻酸盐印模口外间接法、硅橡胶印模口外间接法制作铸造桩核,对这三组桩核的就位性、密合度及固位性几方面进行比较。结果硅橡胶印模组制作的桩核24颗成功(96%),琼脂-藻酸盐印模组23颗成功(92%),嵌体蜡组17颗成功(68%),经χ2检验前两组无统计学意义,前两组与嵌体蜡组均有统计学差异。结论采用硅橡胶印模法和琼脂-藻酸盐印模法制作上颌前牙铸造桩核的临床效果优于嵌体蜡法,值得推广应用。 展开更多
关键词 铸造桩核 硅橡胶 琼脂 嵌体蜡
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多核处理器硅后调试技术研究最新进展 被引量:1
8
作者 高建良 韩银和 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2013年第2期321-324,共4页
针对多核处理器硅后调试技术进行综述和分析。首先,介绍了多核处理器硅后调试技术面临的困难,特别是非确定性错误带来的新挑战;然后,概括介绍了国内外多核处理器硅后调试研究的最新进展,并分析了已有方法存在的问题;最后,对多核处理器... 针对多核处理器硅后调试技术进行综述和分析。首先,介绍了多核处理器硅后调试技术面临的困难,特别是非确定性错误带来的新挑战;然后,概括介绍了国内外多核处理器硅后调试研究的最新进展,并分析了已有方法存在的问题;最后,对多核处理器硅后调试研究热点和趋势进行了分析,并指出该领域未来可能的研究方向。 展开更多
关键词 多核处理器 硅后调试 非确定性错误
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有机硅氧烷改性丙烯酸酯乳液的聚合稳定性分析 被引量:13
9
作者 张心亚 孙志娟 +2 位作者 黎永津 黄洪 陈焕钦 《涂料工业》 CAS CSCD 2005年第5期11-15,62,共6页
在用乳液聚合合成有机硅改性丙烯酸酯微乳液过程的基础上,着重考察了有机硅氧烷种类及用量、有机硅氧烷的加入方式、乳液的pH值以及聚合温度等对有机硅改性丙烯酸酯微乳液聚合过程稳定性的影响。实验结果表明,采用含异丙氧基取代基的硅... 在用乳液聚合合成有机硅改性丙烯酸酯微乳液过程的基础上,着重考察了有机硅氧烷种类及用量、有机硅氧烷的加入方式、乳液的pH值以及聚合温度等对有机硅改性丙烯酸酯微乳液聚合过程稳定性的影响。实验结果表明,采用含异丙氧基取代基的硅烷有助于乳液聚合体系的稳定;并且控制硅氧烷用量和聚合体系的pH值、采用后交联技术有助于提高有机硅改性丙烯酸酯乳液聚合过程的稳定性。 展开更多
关键词 改性丙烯酸酯乳液 有机硅氧烷 稳定性分析 聚合过程 聚合体系 聚合合成 加入方式 聚合温度 异丙氧基 交联技术 微乳液 pH值 取代基 用量 硅烷 用后
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医用热硫化硅橡胶二段硫化工艺的生物学效应 被引量:1
10
作者 李亦文 薛淼 +1 位作者 张彩霞 徐淑卿 《生物医学工程学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期259-262,共4页
为考察二段硫化工艺过程对硅橡胶生物学性能的影响,作者根据医用热硫化甲基乙烯基硅橡胶弹性体配方和一定的工艺要求,制取一系列不同二段硫化程度的硅橡胶试样,运用组织培养技术对硅橡胶试样进行生物学测试,特别是测定细胞相对增殖度;... 为考察二段硫化工艺过程对硅橡胶生物学性能的影响,作者根据医用热硫化甲基乙烯基硅橡胶弹性体配方和一定的工艺要求,制取一系列不同二段硫化程度的硅橡胶试样,运用组织培养技术对硅橡胶试样进行生物学测试,特别是测定细胞相对增殖度;进一步利用倒置显微镜观察了相同试样直接接触细胞的形态。结果显示,随着二段硫化时间的增加,细胞相对增殖度增加,而毒性级别降低。 展开更多
关键词 热硫化硅橡胶 二段硫化 生物学效应
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多孔硅的干燥方法 被引量:6
11
作者 虞献文 朱荣锦 +2 位作者 朱自强 应桃开 李爱珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期663-667,共5页
研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此 。
关键词 多孔硅 阴极还原 表面处理技术
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两种临床常用精细印模材料对铸造桩适合性的影响 被引量:4
12
作者 高卫民 刘利霞 郑东翔 《口腔颌面修复学杂志》 2008年第3期217-219,共3页
目的:分析比较琼脂印模材料和硅橡胶印模材料对铸造桩适合性的影响。方法:根管根向聚合度6°的金属标准件10个,分别用琼脂印模材料和硅橡胶印模材料取印模,灌注模型,模拟临床制作铸造桩,用玻璃离子水门汀粘固后,从标准件外围定位沟... 目的:分析比较琼脂印模材料和硅橡胶印模材料对铸造桩适合性的影响。方法:根管根向聚合度6°的金属标准件10个,分别用琼脂印模材料和硅橡胶印模材料取印模,灌注模型,模拟临床制作铸造桩,用玻璃离子水门汀粘固后,从标准件外围定位沟处横向剖开,将横剖面置于扫描电镜下观察,以粘固剂厚度为观察指标,进行测量。结果:琼脂组的粘固剂厚度为29.09μm±5.518μm,硅橡胶组的粘固剂厚度为23.41μm±6.58μm,根据两样本独立t检验,2者之间有统计学差异(P<0.05)。结论:硅橡胶组取模制作的标准件铸造桩,适合性优于琼脂取模组。 展开更多
关键词 印模材料 琼脂 硅橡胶 铸造桩 适合性
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江苏栖霞山铅锌银多金属矿床硅钙面控矿特征研究及其找矿意义 被引量:8
13
作者 张明超 李永胜 +3 位作者 杜泽忠 姚磊 甄世军 贾文彬 《中国矿业》 北大核心 2014年第S2期118-122,126,共6页
江苏栖霞山铅锌银多金属矿床是当前华东地区规模最大的铅锌银多金属矿床,自发现铅锌矿以来,众多地质工作者对栖霞山矿区的勘探和综合研究工作没有停止过,对于矿床的成因认识,至今仍众说纷纭,归纳起来主要有4种,即深源岩浆热液成因、火山... 江苏栖霞山铅锌银多金属矿床是当前华东地区规模最大的铅锌银多金属矿床,自发现铅锌矿以来,众多地质工作者对栖霞山矿区的勘探和综合研究工作没有停止过,对于矿床的成因认识,至今仍众说纷纭,归纳起来主要有4种,即深源岩浆热液成因、火山(次火山)热液成因、同生沉积成因、层控-热液复成成因。栖霞山铅锌银多金属矿床矿体围岩主要为碎屑岩(砂岩、石英砂岩、页岩等硅铝质岩石)+碳酸盐岩(灰岩、白云质灰岩等钙质岩石)组合。经过研究,认为该矿床中的大部分矿体并非受具体层位控制,而是受硅钙面控制,矿床应属于受硅钙面控制的特殊的岩浆期后中低温热液矿床。厘清硅钙面在成矿作用过程中的具体作用,对于指导该矿床的成矿理论研究和深部找矿工作具有十分重要的意义。 展开更多
关键词 江苏栖霞山 铅锌银多金属矿床 硅钙面 岩浆期后热液 深部找矿
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2种不同印模方法制取间接桩核的临床效果评价 被引量:9
14
作者 喻四化 曾利伟 王辉 《华西口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期291-293,共3页
目的比较硅橡胶印模法与琼脂/藻酸盐联合印模法制取铸造间接桩核的临床效果。方法将牙体大面积缺损、根管治疗后要求桩核冠修复的389颗牙随机分为A、B组,A组采用硅橡胶印模法制取间接桩核,B组采用琼脂/藻酸盐联合印模法制取间接桩核,对... 目的比较硅橡胶印模法与琼脂/藻酸盐联合印模法制取铸造间接桩核的临床效果。方法将牙体大面积缺损、根管治疗后要求桩核冠修复的389颗牙随机分为A、B组,A组采用硅橡胶印模法制取间接桩核,B组采用琼脂/藻酸盐联合印模法制取间接桩核,对2种印模法制取间接桩核的效果进行评价。结果硅橡胶印模法制取间接桩核的临床成功率高于琼脂/藻酸盐联合印模法,二者之间差异具有统计学意义(P<0.05)。其中,2种不同印模方法制取前牙间接桩核的成功率之间差异无统计学意义(P>0.05),制取前磨牙和磨牙间接桩核的成功率之间差异有统计学意义(P<0.05)。结论采用硅橡胶印模法制取间接桩核的临床效果优于琼脂/藻酸盐联合印模法。 展开更多
关键词 硅橡胶 琼脂 藻酸盐 印模 间接桩核
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信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔测试结构 被引量:1
15
作者 王伟 唐勇 +3 位作者 方芳 陈田 刘军 常郝 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2012年第9期776-781,共6页
三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔(through silicon via,TSV)技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的... 三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔(through silicon via,TSV)技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的不可逆性,在测试信号发送端施加两次不同测试激励,在其他层的测试信号接收端增加反弹模块,再利用触发器和多路选择器将两次反馈结果进行比较,实现针对TSV的测试。实验结果表明,180nm CMOS工艺下,与同类方法比较,提出的测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18.4%,仅仅需要12个测试时钟周期。有效地证明了结构具有面积和时间开销较小,功耗较低的特性。 展开更多
关键词 三维堆叠集成电路 过硅通孔 绑定后测试 反弹模块 可测试性设计
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硅橡胶一次印模法在铸造桩核中的应用 被引量:7
16
作者 翁春辉 詹春华 《广东牙病防治》 2008年第6期257-258,共2页
目的研究硅橡胶一次印模法制作桩核的临床应用效果。方法将237个残根随机分为试验组和对照组。试验组125颗残根,通过根管内导入硅橡胶印模,翻制石膏模型,完成桩核制作。对照组l12颗残根,口内直接制取桩核蜡型,完成桩核铸造。比较两组桩... 目的研究硅橡胶一次印模法制作桩核的临床应用效果。方法将237个残根随机分为试验组和对照组。试验组125颗残根,通过根管内导入硅橡胶印模,翻制石膏模型,完成桩核制作。对照组l12颗残根,口内直接制取桩核蜡型,完成桩核铸造。比较两组桩核的临床效果,卡方检验统计学分析。结果试验组成功122颗,失败3颗;对照组成功96颗,失败16颗。两组临床成功率差异有统计学意义(P<0.05)。结论硅橡胶一次印模法应用于制作铸造桩核中操作简便,临床效果好。 展开更多
关键词 硅橡胶印模 铸造桩核 适合性
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±800kV瓷芯支柱复合绝缘子硅橡胶及粘接工艺的研究 被引量:5
17
作者 孙西昌 姚喜年 +2 位作者 党镇平 黎小林 罗兵 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第5期1-3,共3页
对±800kV瓷芯支柱复合绝缘子用硅橡胶进行了研究,为保证硅橡胶在注射硫化过程中与瓷芯棒粘接牢固,且不能产生气隙,选用110-2甲基乙烯基硅橡胶,分子量为630000~650 000。不同配方硅橡胶与瓷芯棒的粘接强度、耐漏电起痕和电蚀损性... 对±800kV瓷芯支柱复合绝缘子用硅橡胶进行了研究,为保证硅橡胶在注射硫化过程中与瓷芯棒粘接牢固,且不能产生气隙,选用110-2甲基乙烯基硅橡胶,分子量为630000~650 000。不同配方硅橡胶与瓷芯棒的粘接强度、耐漏电起痕和电蚀损性能对比试验结果表明:在配方中添加少量的复合阻燃剂,可以使硅橡胶护套伞裙材料的直流电压下耐漏电起痕和电蚀损性达到1A4.5级。确定了硅橡胶的混炼工艺和配合体系以及粘接剂的制备方法,并对瓷芯棒与硅橡胶的粘合进行了对比实验,确定了粘合工艺和硫化工艺。生产出的瓷芯支柱复合绝缘子的产品性能达到要求。 展开更多
关键词 硅橡胶 瓷芯棒 复合绝缘子 粘合剂 超高压
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苯醚撑硅橡胶的硫化特性 被引量:1
18
作者 陆杰 尹应乐 +3 位作者 覃虎川 吕志勇 陈绪煌 李静 《弹性体》 CAS 2015年第3期51-54,共4页
以苯醚撑硅橡胶为生胶,白炭黑为补强剂,过氧化二异丙苯(DCP)为硫化剂,羟基硅油为结构控制剂,以及H801CT耐热添加剂制备硫化胶,利用橡胶硫化仪分析胶料的硫化特性,以及力学性能测试方法确定硅橡胶硫化时间。结果表明,胶料在170℃下模压硫... 以苯醚撑硅橡胶为生胶,白炭黑为补强剂,过氧化二异丙苯(DCP)为硫化剂,羟基硅油为结构控制剂,以及H801CT耐热添加剂制备硫化胶,利用橡胶硫化仪分析胶料的硫化特性,以及力学性能测试方法确定硅橡胶硫化时间。结果表明,胶料在170℃下模压硫化8min时比较合适,可在最短的时间内使橡胶达到较好的硫化效果;二段硫化条件为150℃→170℃→200℃时,硫化6h苯醚撑硅橡胶的综合性能最好。 展开更多
关键词 苯醚撑硅橡胶 过氧化二异丙苯 二段硫化 力学性能
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并发追踪数据流的多缓存选址算法
19
作者 高建良 李欣 王建新 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2310-2313,共4页
为了验证多核芯片的正确性,通常需要同时观测不同芯核上的多组信号.如何实时处理并发追踪中多组数据流已经成为多核芯片硅后功能验证所面临的关键挑战之一.本文提出了一种基于映射的自调节缓存选址(Map-Based Self-Regulation Location ... 为了验证多核芯片的正确性,通常需要同时观测不同芯核上的多组信号.如何实时处理并发追踪中多组数据流已经成为多核芯片硅后功能验证所面临的关键挑战之一.本文提出了一种基于映射的自调节缓存选址(Map-Based Self-Regulation Location Selection,MSLS)算法,该算法通过优化多缓存选址,在片上网络通信带宽限制下保证了并发追踪数据流能够实时存储,同时降低了追踪数据流传输能耗.实验结果表明了该方法的有效性. 展开更多
关键词 多核芯片 硅后调试 并发追踪 多缓存选址 片上网络
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基于确定性的处理器硅后调试系统
20
作者 苏孟豪 高翔 陈云霁 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期196-202,共7页
针对处理器硅后调试芯片可观测性差的问题,提出了一个可将硅片错误在仿真器中重现的处理器硅后仿真调试系统。为使实际系统的行为确定化,提出了简单有效的确定性同步器(DSync)。通过将不同时钟域的时间确定地关联在一起,该同步器... 针对处理器硅后调试芯片可观测性差的问题,提出了一个可将硅片错误在仿真器中重现的处理器硅后仿真调试系统。为使实际系统的行为确定化,提出了简单有效的确定性同步器(DSync)。通过将不同时钟域的时间确定地关联在一起,该同步器可消除由于跨时钟域信号传输而导致的不确定性。根据处理器验证的实际需要,提出基本系统的概念。通过控制验证软件在基本系统范围内运行,无需记录系统输入就可实现仿真调试。实验结果表明,所提出的DSync和处理器仿真调试系统功能正确,实现简便,硬件开销小。 展开更多
关键词 处理器 硅后调试 确定性 跨时钟域传输 快照
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