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不同线型的擦除脉冲对存储光信息擦除的影响
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作者 王野 姚诗余 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1185-1188,共4页
在Pr3+∶Y2SiO5(Pr∶YSO)晶体中,利用施加擦除脉冲破坏原子自旋相干,通过实验演示存储光信息的擦除操作,获得了85%的擦除效率,并分析了不同擦除脉冲对存储信息擦除的影响.
关键词 光存储 光信息擦除 pr:yso晶体
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