沉积温度和氢气浓度对CVD法合成Ti_(3)SiC_(2)涂层的影响

以TiCl_(4)-CH_(3)SiCl_(3)-H_(2)-Ar作为前驱体体系,石墨片为基底,采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti_(3)SiC_(2)涂层,研究了沉积温度和氢气浓度α的变化对涂层沉积速率的影响,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)对涂层形貌及组成进行了分析。研究结果表明:在1273~1373 K,涂层沉积速率随温度上升而增加;在1373~1423 K,涂层沉积速率随温度上升而减小。当α为40%~50%时,涂层沉积速率随α增加而减小;α为50%~70%时,涂层沉积速率随α增加而增加。当温度为1373 K,α为50%时,涂层以Ti_(3)SiC_(2)相为主,呈板状结构。基于微观形貌及组成分析的结果,提出了TiCl_(4)-CH_(3)SiCl_(3)-H_(2)-Ar作为前驱体体系制备Ti_(3)SiC_(2)涂层的主要反应路径。