基于RISC-V芯片的内置Flash自编程实现方式

对现有的两种Flash自编程实现方式进行了分析,发现其设计实现都比较复杂。在新的应用背景需求下,基于RISC-V芯片的实现方式,提出了一种简单高效的Flash自编程方法。硬件设计在不改动原有Flash控制器架构的基础上只增加了几个自编程的控制寄存器和控制状态机。详细描述了实现方法和流程,并验证了功能的正确性。其整体硬件设计结构简单,操作流程方便快捷。

基于XIP FLASH的嵌入式软件设计与应用

传统NOR FLASH并行地址和数据总线的引脚过多,使电路设计的复杂性增大,同时也会增加电路板布线空间。为了解决这一弊端,部分微控制器支持SPI eXecute in Place(XIP)接口,SPI NOR-FLASH应运而生。基于此,文中提出一种嵌入式软件设计方案。该方案充分发挥XIP FLASH片上执行代码的关键属性,利用GNU编译器的工作原理,通过链接器的链接脚本将嵌入式软件程序存储在XIP FLASH中,运行时代码段和只读数据段存放在XIP FLASH中,只需将数据段及操作XIP FLASH的关键代码搬运至RAM中运行。此外,对嵌入式软件的执行流程进行设计与说明。所提方案简单、易操作,已在单相和三相表载波通信单元、Ⅰ型采集器通信单元、Ⅱ型采集器、集中器载波通信单元得到充分验证,可广泛应用于用电信息采集系统、输配电系统的本地通信等领域。

Flash型FPGA的编程及干扰抑制技术

为了降低Flash型现场可编程门阵列(FPGA)中的Flash开关单元在编程中受到编程干扰对阈值电压的影响,提高驱动能力的一致性,提出了高位宽编程技术与常用的选择管隔离技术相结合来抑制编程干扰的方法。通过高位宽编程技术降低编程过程中栅扰对同一行中Flash开关单元阈值电压的影响;通过选择管隔离技术降低编程过程中漏扰对同一列中Flash开关单元阈值电压的影响;采用NMOS晶体管作为隔离管实现自限制编程,对Flash开关单元的阈值电压进行精确控制。实验结果表明,参照系统等效门数为百万门级Flash型FPGA中的Flash开关阵列形式2 912 bit×480 WL×20 Bank,按最差条件进行479次漏扰测试,Flash开关单元受编程干扰后的阈值电压漂移约为0 V;进行时长为40μs的栅扰测试,Flash开关单元受编程干扰后阈值电压漂移约为0.02 V。

基于PowerPC开发板的Flash编程方法与实现

在介绍Flash在线编程的一般方法和原理的基础上，结合Motorola的PowerPC开发 板，描述了Flash在线编程的实现问题，对嵌入式系统开发具有一定的参考。

基于ARM的嵌入式系统FLASH接口设计与编程

ARM芯片与FLASH存储器的接口与编程是实现基于ARM的嵌入式系统的一个重要环节。以高性能、低功耗的S3C4510B芯片和常见的FLASH芯片HY29LV160设计的嵌入式网络系统为例,具体介绍了ARM芯片与FLASH存储器的接口电路设计、接口电路的调试方法和FLASH存储器的擦写编程方法。

MCF52233 Flash在线编程构件设计与实现

以32位微控制器ColdFire系列中的MCF52233为例,在分析Flash存储器在线编程技术的基础上,提出其在线编程构件的设计方法,给出擦除构件、写入构件和其二者共用的初始化构件,并实现各构件测试实例。实验证明,该类构件完全适用于ColdFire系列中其他芯片的编程。

TI TMS320C6713 DSP板FlashBurn程序设计

分析了将程序代码写入FLASH的两种方法,并在基于TITMS320C6713的DSP系统设计中,以28F128J3A为例,讨论了用FlashBurn软件和FBTC目标组件程序烧写FLASH的具体实现过程,给出了主要程序代码。

HCS08系列FLASH在线编程方法的比较与分析

针对HCS08系列FLASH在线编程过程中读取FLASH会产生不稳定的问题,提出3种不同的解决方案,即将擦除/写入子程序与擦写区域放在FLASH的不同块中、将擦除/写入子程序移入RAM中以及仅将引起FLASH不稳定的程序代码移入RAM中,并分析这些方案的特点及其技术实现要点.以HCS08系列的MC9S08AW60为例进行测试,并对实验结果进行详细分析.结果表明:这3种方案在编程方法和功能上各有自己的优缺点,同时也验证了将造成不稳定的程序机器码移入RAM中的方案简单、可靠,这为解决FLASH在线编程过程中的不稳定问题提供了新的思路.

TMS320VC5502外扩FLASH自举引导方法的设计与实现

阐述了基于TMS320VC5502的FLASH自举引导的实现方法,给出了引导表的生成过程、系统硬件连接图以及FLASH的烧写步骤。该系统是以EMIF的并行引导方式进行自举引导,实现程序从FLASH向片内RAM的自动装载。同时采用在线FLASH编程方法完成FLASH的烧写任务,经验证表明这种方法简单方便节省资源。

TMS320VC5509在线烧写Flash并自举启动方法研究

为了解决TMS320VC55X系列DSP系统程序代码的保存问题,设计了一种利用JTAG接口,在线烧写Flash并实现自举启动的方法。这种在线编程的方法利用并行外部存储器加载(EMIF)接口将TMS320VC5509和Flash芯片相连接,通过搬移程序将应用程序的已初始化段按照C55X系列DSP引导表格式烧写进外部扩展的Flash存储器中,从而实现自举启动。该方法为DSP系统的软件维护和升级带来了方便,具有实际的应用价值。

基于JTAG的Flash在线编程系统实现

在研究了JTAG调试原理和ARM920T调试模型的基础上,提出了Linux系统下NAND Flash在线烧写系统的软硬件实现方案。硬件采用简易并口JTAG实现电平转换,实现并口对TAP直接控制;软件采用四层次模型:并口驱动层,实现软件底层驱动;JTAG控制层,实现TAP操作及状态机控制;数据处理层以及应用程序层,实现软件上层主体功能。程序在Linux系统下成功编译,并成功运行,实现了Flash的在线编程。

TMS320C30外部FLASH在线烧写及代码搬移的实现

TMS320C30内部没有启动自引导机制(Bootloader),使得程序上电后从外部Flash启动较为复杂;利用CPLD地址译码重映射、Flash在线编程烧写技术,解决了贴片式Flash程序烧写问题,实现了中断LED程序从外部Flash启动;另外,鉴于外部Flash运行速度慢的缺点,设计了代码搬移程序,在FLASH启动后,首先执行搬移程序,把FLASH内的程序代码搬移到外部RAM内执行,实现了代码的高速执行;实践证明,该方法简单适用,运行稳定可靠,实现了TMS320C30上电后的用户程序自动引导,满足了外部贴片式Flash启动和代码高速运行的要求。

基于Visual DSP++环境的Flash在线编程实现

简要介绍了Flash芯片Am29LV320DB,分析了Visual DSP++环境下Flash Programmer编程工具的界面和驱动,详细阐述了Visual DSP++环境下如何对Am29LV320DB进行在线编程,给出了硬件连接的原理图和软件程序的核心代码,对其它Flash芯片的编程有较高的实用和参考价值。

TMS320LF240XA系列DSP片内FLASH编程技术

嵌入在TMS320LF240XA内的FLASH是DSP可供开发的片内资源。文章介绍了FLASH基本编程命令,论述了JTAG接口和串行通信接口两种编程方法及其注意事项。FLASH为用户程序的存储带来了方便,使得系统容易实现程序的更新,便于系统维护与升级。

基于JTAG的可重构Flash快速编程方法

提出一种基于JTAG的可重构Flash快速编程方法及其硬件框架。将Flash编程控制流程序预先下载至片上SRAM,并由硬件自行识别和执行,而JTAG接口仅用于传输数据,有效消除JTAG总线传输瓶颈,提高Flash下载速度。通过向片上SRAM下载不同的Flash编程控制流程序,实现Flash下载控制流程的重构,可支持不同类型Flash的在线编程。该设计硬件资源开销小、灵活性强。实验结果表明,编程速度约为传统方法的17倍。

基于XS128的P-Flash之ICP构件的设计与实现

以16位微控制器S12X系列中的MC9S12XS128为例阐述了P-Flash存储器ICP构件的设计与实现方法,该类构件完全适用于S12X系列中的其他芯片的编程,文中给出了完整的构件以及构件应用实例。

基于TMS320VC55X系列DSP的外部Flash并行二次引导加载方法研究

以实际项目应用开发为背景,提出一种基于TMS320VC55X系列DSP的外部Flash并行二次引导程序加载并自举的有效方法。该系统采用TI公司的数字信号处理器TMS320VC5509A作为主处理器,采用能与之无缝连接的NorFlash(S29AL008D)作为外部大容量程序存储器,并利用JTAG口完成Flash的在线烧写和实现无仿真器下自举启动系统成功运行。详细介绍二次引导的方法,并重点介绍如何在硬件和软件层次上实现利用DSP的多通道缓冲串口(McBSP)这种比较新的、方便有效的扩展地址总线的方法。

基于U-ISP的UF32 Flash编程方法

在进行飞思卡尔UF32 Flash存储器用户模式在线编程时,发现Flash阵列上的高电压导致其在读取时发生不稳定的现象,提出一种解决方法。该方法遵循嵌入式软件工程的模块化思想与封装原则,设计通用的擦除与写入子函数。实例证明该方法解决了Flash存储器在线编程时的稳定性问题,且通用性强、编程方便。

一种双模式Flash控制器设计

以硬件直接实现固定的Flash编程操作是片内及片外Flash控制的常用方法。文中提出的双模式Flash控制器以Flash硬核模型为基础,组合了硬件直接实现硬核的编程操作和软件控制硬核的编程信号两种模式,实现了能以较快速度和较简单驱动控制Flash的逻辑和能以较高灵活性控制Flash的逻辑。两种模式使得Flash控制器具有一定的灵活性和快速实现性,其设计模式能适应更多Flash模型。

BDM模式下MPC555外部FLASH编程的设计与实现

BDM是目前单片机普遍采用的调试方式之一,以Freescale 32位处理器MPC555处理器和AMD的FLASH存储模块AM29LV160DB为基础讨论了BDM模式下对MPC555外部扩展的FLASH进行编程的设计,给出了MPC555外部存储器扩展原理及硬件设计、BDM接口板硬件设计、软件编程方法及测试例程。重点讨论了BDM模式下对AM29LV160DB进行擦除和写入的编程原理。