介质保护膜在表面等离子体波探测器中的应用研究

基于表面等离子体波共振技术的探测器中金属膜通常与被探测物直接接触 ,在金属膜和被探测物之间增加一层介质膜 ,可以对金属膜进行保护 .为了优化探测器的设计 ,通过对四层共振结构中表面等离子体波共振吸收峰随保护层厚度及其介电常数变化的计算 。

介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例，对ＡＣ ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数，如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析，讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣＰＤＰ工作特性的影响，探讨了成膜的最佳工艺，并根据在放电过程中，由离子轰击产生的 ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对 ＭｇＯ膜表面特性的作用，对观测到的放电特性对 ＡＣＰＤＰ板各种制造工艺参数的依赖性进行了解释。

热处理工艺对ACPDP中MgO保护膜性能的影响

保护膜的表面特性严重影响ＡＣＰＤＰ的性能。本文以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，有关热处理条件对保护膜表面基本特性，如结晶结构、表面形貌及成分等的影响进行了研究。

AC PDP介质保护膜材料的选择

随着对交流等离子体显示板（ＡＣＰＤＰ）电压变化原因的探讨、新型表面保护材料的开发研究以及为除去污染而对制造工艺的调整，ＡＣＰＤＰ正在获得极好的寿命特性。介质保护膜直接与放电气体相接触，其材料和表面状况是决定ＡＣＰＤＰ寿命及放电特性的重要因素，因而保护膜材料的选择尤为重要。本文叙述了保护层材料应具备的特性及其选择标准，就ＡＣＰＤＰ保护膜中所用的材料及其特性进行了分析总结。

保护膜制备参数对其性能影响的实验研究

以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，对保护膜制备参数，例如基板温度、沉积速率等对保护膜表面结晶结构、形貌及成分等基本特性的影响进行了研究，为保护膜制备工艺的优化提供了指导。

介质保护膜对ACPDP放电特性影响测量装置的研究

本文提出并采用了用测量ＡＣ ＰＤＰ放电特性和加速老化特性来探求保护膜发射和稳定性能的间接测量方法，研制了模拟ＡＣＰＤＰ放电特性测量装置。该装置驱动电源、放电室及真空系统组成，能够模拟ＡＣ ＰＤＰ的工作条件和过程，不仅可用来测量不同材料和不同方法、工艺制成的保护膜对ＡＣ ＰＤＰ工作电压、寿命等的影响，还可用来测量ＡＣ ＰＤＰ放电单元内所充气体的种类、气体混合比例。

溶胶凝胶法制备的MgO粉末通过电子束蒸发形成作为绝缘体保护体应用在PDP领域的MgO薄膜

MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg（OH）2而变差。为了证明这一点，实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末：将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体，接着将该凝胶体在100℃时烘24h以形成草酸镁，然后升温到600℃使之裂解，将其磨碎，再使用240mesh筛分，最后再在1000℃时烧结2h，形成MgO。该法制成的MgO在气压为10^-5mbar的气氛中通过电子束蒸发到玻璃衬底上形成薄膜。以上方法制成的MgO薄膜和在450℃直接退火的MgO薄膜在以下几点做了对比：（a）生长过程和结构；（b）表面形貌；（c）透光度；（d）OH键。以上对比结果表明前者：（i）具有fcc结构，其晶格常数a为4．216±0．005A，（ii）具有在〈100〉和〈110〉之间的择优取向。另外前者还有以下特征：（i）表面形貌呈锥柱状、（ii）可视光范围的高透光度（〉88-92％）、（iii）无OH键。此外，如果MgO薄膜的晶粒取向{100}和{110}之类的中性面，那么其水合作用就可以得到有效的控制。