金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备

采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。

陶瓷基Pt/ITO薄膜热电偶的制备与性能研究

为了准确测量涡轮叶片表面温度,采用掩模图形化和射频磁控溅射的方法,在Al2O3陶瓷基片上沉积Pt/ITO薄膜热电偶,并对其进行了静态标定。结果表明：Pt/ITO薄膜热电偶在1 000℃进行大气气氛退火,随着退火时间的增加,样品热电势输出曲线稳定性逐渐增强,Seebeck系数也较大,标定曲线均具有很好的线性度,退火5h的样品的最大测温误差仅为16.03℃,可在400~1100℃温度范围热循环中稳定工作约20h。ITO薄膜厚度对Pt/ITO薄膜热电偶热电性能几乎没有影响。