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基于Al_(2)O_(3)陶瓷的Pt/PtRh型厚膜热电偶封装测试 被引量:1
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作者 赵楠 刘涛 +2 位作者 谢浩 董和磊 谭秋林 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期128-130,134,共4页
设计了一种基于氧化铝(Al_(2)O_(3))柱体的Pt/PtRh型厚膜热电偶。采用丝网印刷工艺完成传感器功能层的制备,这种方法工艺简单、可操作性强、成本低廉。对所制备的厚膜热电偶进行封装设计并进行测试。实验结果表明:带封装热电偶的迟滞大... 设计了一种基于氧化铝(Al_(2)O_(3))柱体的Pt/PtRh型厚膜热电偶。采用丝网印刷工艺完成传感器功能层的制备,这种方法工艺简单、可操作性强、成本低廉。对所制备的厚膜热电偶进行封装设计并进行测试。实验结果表明:带封装热电偶的迟滞大小为4.10%,小于无封装的7.65%,而且带封装热电偶在高温阶段与标准热电偶极其吻合,其平均塞贝克系数更接近于标准热电偶。实验结果均表明封装设计有利于膜状热电偶测试的准确性,达到了工程化需要。 展开更多
关键词 pt/ptRh型热电偶 厚膜 丝网印刷 封装
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高温老化和可靠性试验对Pt薄膜微型温度传感器的性能影响
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作者 叶先微 李江 +3 位作者 张羽 乔正阳 刘成明 蒋洪川 《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期121-126,共6页
设计了一种铂(Pt)薄膜热电阻微型温度传感器,采用磁控溅射方法制备传感器薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等手段对老化前后的Pt薄膜组织进行了系统表征;采用温度标定法对Pt薄膜电阻的温度-电阻特性进行了... 设计了一种铂(Pt)薄膜热电阻微型温度传感器,采用磁控溅射方法制备传感器薄膜,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)等手段对老化前后的Pt薄膜组织进行了系统表征;采用温度标定法对Pt薄膜电阻的温度-电阻特性进行了研究;通过振动、冲击、温度冲击等试验研究了温度传感器的环境可靠性。结果表明,老化处理增加了Pt薄膜组织结晶度,减少了组织中的杂质元素、降低了Pt薄膜电阻;线性拟合得出Pt薄膜温度-电阻线性度为0.999 93,具有良好的线性关系;可靠性试验后Pt薄膜电阻上升,测温精度一定程度上受到影响,但误差不大于0.205 K,满足高精度传感器的要求。 展开更多
关键词 pt薄膜热电阻 微型温度传感器 磁控溅射 可靠性试验 高精度
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基于磁控溅射的Pt/PtRh高温薄膜热电偶传感器集成工艺
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作者 张文琦 沈统 +2 位作者 王林斌 赵未昀 邓元 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期27-33,共7页
Pt/PtRh为高温薄膜热电偶敏感材料,Al_(2)O_(3)和SiO_(2)为复合绝缘层材料,采用磁控溅射法成功制备Pt/PtRh薄膜热电偶及Al_(2)O_(3)/SiO_(2)复合型上下绝缘层,并通过掩膜-沉积法实现薄膜热电偶图案化制备。结果表明:制备的复合绝缘层Al_... Pt/PtRh为高温薄膜热电偶敏感材料,Al_(2)O_(3)和SiO_(2)为复合绝缘层材料,采用磁控溅射法成功制备Pt/PtRh薄膜热电偶及Al_(2)O_(3)/SiO_(2)复合型上下绝缘层,并通过掩膜-沉积法实现薄膜热电偶图案化制备。结果表明:制备的复合绝缘层Al_(2)O_(3)/SiO_(2)能够有效保证高温薄膜热电偶传感器在1200℃高温下的绝缘性和化学稳定性。Pt/PtRh热电偶阵列精度达到200μm,可在1200℃下稳定工作超过2200 min,经过4000 min升降温循环测试后,热电偶输出热电动势偏差小于1%。热电偶传感器整体厚度小于20μm,集成于合金与热障涂层之间的热电偶在高温服役环境下可稳定工作并测量合金表面温度。多层结构的样件在服役测试中无分层、脱落现象,热电偶稳定输出信号。 展开更多
关键词 高温薄膜热电偶 铂-铂铑热电偶 塞贝克效应 氧化铝绝缘层 氧化硅绝缘层
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Influence of Bath Composition on Magnetic Properties of Electrodeposited Co-Pt-W Thin Films 被引量:2
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作者 GE Hong-liang WEI Guo-ying WU Qiong ZHOU Qiao-ying WANG Xin-yan 《Journal of Iron and Steel Research International》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期65-68,共4页
Effect of bath composition ([Co^2+]/[-Pt^Ⅳ ] and [-WO4^2- ], [cit^-]) and pH on the magnetic properties of electrodeposited Co-Pt-W thin films has been investigated. Electrodeposited Co-Pt-W thin films exhibited s... Effect of bath composition ([Co^2+]/[-Pt^Ⅳ ] and [-WO4^2- ], [cit^-]) and pH on the magnetic properties of electrodeposited Co-Pt-W thin films has been investigated. Electrodeposited Co-Pt-W thin films exhibited strong perpendicular magnetic anisotropy when the ratio of [-Co^2+ ] to [-Pt^Ⅳ ] was 10 ; cathode current efficiency and perpendicular magnetic anisotropy showed little variations when [WO4^2- ] was lower than 0. 1 mol/L, but perpendicular magnetic anisotropy had strengthened when [WO4^2-] was over 0. 1 mol/L, which could be explained by the fact that the hydrogen evolution could produce pores as magnetic domain pinnings; citrate as complexing reagent can promote the polarization of [Co^2+] and [Pt^Ⅳ]. As a result, the equilibrium electrode potentials of cobalt and platinum moved to negative direction, which led to the co-deposition of Co, Pt, and W. It was also found out that the as-deposited Co- Pt-W hard magnetic thin films were very homogeneous, smooth, and had the maximum coercivity for the bath pH 8. 5 and the concentration of citrate 0. 26 mol/L. 展开更多
关键词 ELECTRODEPOSITION Co-pt-W thin film magnetic property bath composition
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Preparation of DyPt_2 Films by Using Magneto Controlled Sputtering and Phase Transformation of Dy/Pt Alloy Films
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作者 成钢 顾正飞 +2 位作者 汪元亮 赵家成 周怀营 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第S2期87-89,共3页
DyPt2 films were prepared by alternate deposition thin Dy and Pt layers on glass substrates by DC magneto controlled sputtering method. The XRD data indicated that for as-deposited Dy/Pt films, and the periodic layere... DyPt2 films were prepared by alternate deposition thin Dy and Pt layers on glass substrates by DC magneto controlled sputtering method. The XRD data indicated that for as-deposited Dy/Pt films, and the periodic layered structures along thickness direction were evidenced with low angle X-ray scattering. With increasing annealing temperature, the compounds of DyPt, DyPt2 and DyPt3 were formed successively at temperature ranging from 300 to 400 ℃. It was found that the composition reaction DyPt+DyPt3→2DyPt2 took place at 500 ℃. After annealing at 500 ℃ for 1 h, the compounds DyPt and DyPt3 transformed completely into the DyPt2 compound. 展开更多
关键词 Dy/pt thin film microstructure heat treatment X-ray techniques rare earths
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Electrically enhanced photodegradation of an azodye(Acid Orange II) using a Pt/TiO_2 film electrode irradiating with an UV lamp
6
作者 SUJing CHENGuo-hua 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期60-64,共5页
A photoelectrochemical process in the degradation of an azodye (Acid Orange II) on a Pt/TiO 2 film electrode was investigated. By using the glass device and the voltage stabilized source of direct current, decoloriza... A photoelectrochemical process in the degradation of an azodye (Acid Orange II) on a Pt/TiO 2 film electrode was investigated. By using the glass device and the voltage stabilized source of direct current, decolorization ratios higher than 78% were observed during a period of 5h. Comparing this value with the sum of the decolorization ratios obtained by a sole application of electrochemical(lower than 3%) and photochemical(about 23%) procedures, a significant synergic effect between both processes was observed. The effects of adscititious voltage and pH value on the decolorization ratios were obvious while the effect of the amount of aeration was minor. 展开更多
关键词 photoelectrochemical process pt/TiO 2 film electrode synergic effect
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Structure and electrical properties of PZT/LNO/PT multilayer films on stainless steel substrates 被引量:1
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作者 Zhao, Xuelian Jiang, Dan +1 位作者 Yu, Shengwen Cheng, Jinrong 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第3期272-275,共4页
PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) ferroelectric thin films were deposited on LaNiO3 (LNO) by sol-gel method. The PbTiO3 (PT) seed layer was depos-ited between the LNO buffer layer and stainless steel (SS) substrate, which effect... PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) ferroelectric thin films were deposited on LaNiO3 (LNO) by sol-gel method. The PbTiO3 (PT) seed layer was depos-ited between the LNO buffer layer and stainless steel (SS) substrate, which effectively decreased the annealing temperature of LNO layer from 750 C to 650 C. X-ray diffraction (XRD) reveals that LNO layers with PT layer crystallize into a perovskite phase on annealing at 650 C for 10 min. PZT deposited on LNO buffer layer with PT seed layer exhibits good ferroelectric property. 展开更多
关键词 pt seed layer LNO PZT ferroelectric thin films
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Preparation and Properties of C-axis Oriented PT/PEK-c Films
8
作者 GUOSY RENQ 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2001年第4期209-211,229,共4页
The preparation of PT/PEK c films is reported as well as their dielectric and optical properties. The c axis orientation ratio of the films is 68%. Dielectric constant and loss factor at 10 kHz is about 4.023 F/m and ... The preparation of PT/PEK c films is reported as well as their dielectric and optical properties. The c axis orientation ratio of the films is 68%. Dielectric constant and loss factor at 10 kHz is about 4.023 F/m and 0.003, respectively. The refractive indices of the films, n e and n o, are 1.657 3 and 1.627 8 at 0.63 μm wavelength, respectively. The optical band gap of the film with a thickness of 2.33 μm is found to be 3.06 eV. 展开更多
关键词 pt/PEK c films Orientation ratio Dielectric Optical band gap
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Dielectric and Ferroelectric Properties of PZN-4.5PT Nanoparticles Thin Films on Nanostructured Silicon Substrate for Ferrophotovoltaic and Energy Storage Application
9
作者 Rémi Ndioukane Moussa Touré +3 位作者 Diouma Kobor Laurence Motte Jeanne Solard Laurent Lebrun 《Journal of Modern Physics》 2019年第6期613-623,共11页
The integration of ferroelectric materials as thin films has attracted considerable attention these last years thanks to their outstanding performances that allow considering new features for the realization of photov... The integration of ferroelectric materials as thin films has attracted considerable attention these last years thanks to their outstanding performances that allow considering new features for the realization of photovoltaic devices. Our study focuses on investigating structural, dielectric and ferroelectric properties of undoped and Mn doped PZN-4.5PT nanoparticles thin films on Silicon substrate. We fabricate very stable PZN-4.5PT nanoparticles thin films deposited on nanostructured silicon substrate with giant relative dielectric permittivity of 2.76 × 104 and 17.7 × 104 for respectively the undoped and Mn doped thin films. These values are very large compared to those found in single crystals and might be explained by the influence of the gel in which nanoparticles were dispersed. The SEM images show the crystallization of new hexagonal phases on the film surface probably coming from interaction between Si and the gel. The hysteresis loops permitted to determine the spontaneous polarization (Ps), remnant polarization (Pr) and coercive field Ec which are equal to 11.73 &mu;C/cm2, 10.20 &mu;C/cm2 and 20 V/cm, respectively for the undoped nanoparticles thin film and 22.22 &mu;C/cm2, 19.32 &mu;C/cm2 and 20 V/cm respectively for the Mn doped one. These values are high and correspond to the best ones found in literature compared to typical ferroelectric thin films. 展开更多
关键词 PZN-pt Thin film FERROELECTRIC PEROVSKITE Nanoparticles GEL
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不同工艺制备的铁电薄膜底电极Pt/Ti 被引量:5
10
作者 宋志棠 曾建明 +2 位作者 高剑侠 张苗 林成鲁 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期305-309,共5页
采用高真空电子束蒸发与直流溅射在SiO2/Si基底上制备Pt/Ti底电极,对Pt/Ti在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明:由于采用不同的制备工艺,Pt晶粒在成核与生长方式上有所不同,导致了Pt薄膜在结构与形貌的差异。... 采用高真空电子束蒸发与直流溅射在SiO2/Si基底上制备Pt/Ti底电极,对Pt/Ti在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明:由于采用不同的制备工艺,Pt晶粒在成核与生长方式上有所不同,导致了Pt薄膜在结构与形貌的差异。高真空电子束蒸发的Pt薄膜以织构的方式生长,致密而规则的柱状晶粒决定了它在高温下的连续性和稳定性,为制备高质量的铁电薄膜与其性能的研究提供了条件。 展开更多
关键词 薄膜 织构 底电极 铁电薄膜
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Pt薄膜热敏电阻工艺研究 被引量:10
11
作者 温宇峰 祖光裕 +2 位作者 胡明 张之圣 刘志刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期9-10,共2页
本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好... 本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。 展开更多
关键词 铂薄膜热敏电阻 磁控溅射 基片 电阻温度系数
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PT/PZT/PT薄膜微力传感器 被引量:8
12
作者 崔岩 孟汉柏 +2 位作者 王兢 石二磊 王立鼎 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1404-1409,共6页
提出了一种基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PT和PZT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用阻抗分析仪测试了PZT和PT/PZT/PT薄膜的介电常数。结果表明,在PZ... 提出了一种基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。运用Sol-Gel(溶胶-凝胶)法制作了PT和PZT薄膜,采用X射线衍射技术表征了PZT和PT/PZT/PT两种薄膜的成相特征,用阻抗分析仪测试了PZT和PT/PZT/PT薄膜的介电常数。结果表明,在PZT薄膜退火温度同为600℃时,PZT和PT/PZT/PT薄膜均为完整的钙钛矿结构,而且PT/PZT/PT薄膜沿(100)晶向强烈取向;在测试频率为1 kHz时,经600℃热处理条件下制备的PZT和PT/PZT/PT薄膜的相对介电常数分别为525和981。最后应用MEMS工艺制作了基于PT/PZT/PT压电薄膜微悬臂梁结构的微力传感器。在静态和准静态下对微力传感器的传感特性进行了测试。测试结果表明,力与位移或电荷具有良好的线性关系。两种尺寸微力传感器的灵敏度分别为0.045 mV/μN和0.007 mV/μN,力分辨率分别为3.7μN和16.9μN,满足了微牛顿量级微小力的测量。 展开更多
关键词 pt/PZT/pt薄膜 微悬臂梁 微力传感器
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热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt/Ti物相与形貌的影响 被引量:6
13
作者 宋志棠 任巍 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期363-368,共6页
随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层可提高Pt薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定化快速热处理可提高Pt薄膜在高温下的连续性.并... 随着热处理温度上升,在SiO2/Si衬底上溅射的Pt、Pt/Ti电极中,构成Pt薄膜的晶粒由小变大,由分布均匀到晶粒局部聚集,最后分离成小岛.Ti层可提高Pt薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定化快速热处理可提高Pt薄膜在高温下的连续性.并研究了Pt薄膜对PLT铁电薄膜的成品率和分散性的影响. 展开更多
关键词 铁电薄膜 直流溅射 缺陷 电极 物相 形貌
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溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 被引量:6
14
作者 鲁健 吴建华 +2 位作者 赵刚 王海 褚家如 《微细加工技术》 EI 2004年第1期41-46,共6页
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利... 采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 展开更多
关键词 pt薄膜 射频磁控溅射工艺 PZT铁电薄膜 微机电系统 热处理工艺
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Pt对TiO_2薄膜的结构及可见光光催化活性的影响 被引量:7
15
作者 张瑜 梁伟 +2 位作者 云洁 白爱英 薛晋波 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期508-511,共4页
采用溶胶-凝胶法辅之以离子溅射制备了TiO2/Pt/TiO2纳米多层薄膜和TiO2/TiO2薄膜。通过SEM观察表明,TiO2/Pt/TiO2中二氧化钛颗粒的平均尺寸在20~40nm之间,而TiO2/TiO2中颗粒平均尺寸在40~80nm之间。TiO2/Vt/TiO2纳米多层薄... 采用溶胶-凝胶法辅之以离子溅射制备了TiO2/Pt/TiO2纳米多层薄膜和TiO2/TiO2薄膜。通过SEM观察表明,TiO2/Pt/TiO2中二氧化钛颗粒的平均尺寸在20~40nm之间,而TiO2/TiO2中颗粒平均尺寸在40~80nm之间。TiO2/Vt/TiO2纳米多层薄膜的总厚度约为160nm。TEM观察及SADP结果证实单质Pt颗粒尺寸在20~40nm之间,二氧化钛为锐钛矿型。与TiO2/TiO2薄膜相比,TiO2/Pt/TiO。的光吸收曲线红移了30nm,与此同时,除本征吸收边(365nm)外,它在可见光波段还出现了一个新的吸收边650nm,对应的带隙为1.9leV,这种现象归因于沉积Pt后TiO2/Pt/TiO2薄膜中存在金属与基体的界面强相互作用(SMSI)。在可见光光降解甲基蓝的实验中,扣除甲基蓝自身的分解,TiO2/Pt/TiO2多层纳米复合薄膜2h后的光降解率为18.1%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 二氧化钛薄膜 铂颗粒 光催化活性
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Pt/Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响 被引量:7
16
作者 屈新萍 丁爱丽 +2 位作者 罗维根 仇萍荪 陈先同 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期499-504,共6页
采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较... 采用直流磁控溅射方法制备Pt/Ti电极,用RBS、XRD、SEM方法研究了Pt和Ti的扩散行为,发现在氧气氛中进行热处理造成Ti层的快速氧化,Ti厚度对Pt/Ti的扩散有很大影响.Pt/Ti的扩散造成其上的铁电薄膜较差的显微结构和性能. 展开更多
关键词 磁控溅射 电极 铁电薄膜 半导体薄膜
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Cu_2O/TiO_2/Pt复合薄膜的制备及其性能 被引量:3
17
作者 余彬 王红霞 +1 位作者 梁伟 张王刚 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期15-19,共5页
为了降解环境污染物,通过磁控溅射的方法在玻璃基底上溅射沉积Cu2O/TiO2/Pt复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光谱仪(UV-vis)和光致发光光谱仪(PL)对复合薄膜的表面形貌和光学性能进行分析。通过可见... 为了降解环境污染物,通过磁控溅射的方法在玻璃基底上溅射沉积Cu2O/TiO2/Pt复合薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光谱仪(UV-vis)和光致发光光谱仪(PL)对复合薄膜的表面形貌和光学性能进行分析。通过可见光下对甲基橙溶液的光催化降解试验研究了薄膜的光催化活性。结果表明:Cu2O/TiO2/Pt复合薄膜共有3层,从下到上依次为Pt层、锐钛矿型TiO2层和Cu2O层。薄膜表面平整致密,由形状规则的球形颗粒组成。Cu2O/TiO2/Pt复合薄膜的光催化活性高于Cu2O/TiO2复合薄膜的和纯TiO2薄膜的光催化活性。光催化活性的提高是由于Pt层的存在进一步抑制了光生电子与空穴的复合,延长了光生载流子的寿命,提高了量子产率,进而有效地改善了薄膜的光催化活性。 展开更多
关键词 CU2O TIO2 pt 复合薄膜 可见光 光催化活性
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TiO_2/PtO-Pt复合膜和SnO_2/PtO-Pt复合膜氢敏性能的研究 被引量:10
18
作者 牟勇燕 杜雪岩 +2 位作者 王远 郭洪猷 桂琳琳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第1期8-12,共5页
将PtO Pt纳米粒子膜与TiO2 ,SnO2 纳米粒子膜复合 ,利用PtO Pt纳米粒子膜作为插入电极和催化剂 ,设计并研制出一类新型双层结构复合膜气体传感器 .采用TEM和SEM对薄膜的显微结构进行了表征 .对空气中 4 0 %H2 的氢敏性能研究表明 :2 0 ... 将PtO Pt纳米粒子膜与TiO2 ,SnO2 纳米粒子膜复合 ,利用PtO Pt纳米粒子膜作为插入电极和催化剂 ,设计并研制出一类新型双层结构复合膜气体传感器 .采用TEM和SEM对薄膜的显微结构进行了表征 .对空气中 4 0 %H2 的氢敏性能研究表明 :2 0 0℃时 ,TiO2 /PtO Pt复合膜对氢气的灵敏度为 70 % ,而TiO2 纳米粒子膜无响应 .10 0℃时 ,SnO2 /PtO Pt复合膜的灵敏度为 92 % ,同样条件下 ,SnO2 纳米粒子膜的灵敏度仅为 4% .说明PtO Pt纳米粒子膜的催化作用能够显著提高TiO2 和SnO2 膜的氢敏性能 .另外 ,TiO2 /PtO Pt复合膜和SnO2 /PtO Pt复合膜均对空气中H2 展开更多
关键词 TiO2/ptO-pt复合膜 SnO2/ptO-pt复合膜 氢敏性能 ptO-pt纳米粒子膜 TIO2薄膜 SNO2薄膜 氢气传感器 空气 氢气浓度 检测
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脉冲激光沉积PMN-PT薄膜及其性能研究 被引量:3
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作者 童杏林 姜德生 +1 位作者 刘恋 刘忠明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期494-497,共4页
以较低温度烧结获得的PMN-PT块材料为靶,采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备了PMN-PT薄膜,研究了后续退火处理对PMN-PT薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示,采用脉冲激光沉积可获得质量较好的钙钛矿结构的PMN-PT薄膜,优化的后续退... 以较低温度烧结获得的PMN-PT块材料为靶,采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备了PMN-PT薄膜,研究了后续退火处理对PMN-PT薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示,采用脉冲激光沉积可获得质量较好的钙钛矿结构的PMN-PT薄膜,优化的后续退火温度大约在550℃~750℃之间. 展开更多
关键词 PMN—pt薄膜 脉冲激光沉积 结构 光学特性
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医用316L不锈钢表面沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt磁性薄膜的研究 被引量:3
20
作者 杨治军 周廉 +3 位作者 李争显 于振涛 罗丽娟 蔡玉荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1960-1963,共4页
采用真空电弧离子镀技术,在316L医用不锈钢基片上沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt多层膜。Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构,经扩散热处理,发生相变,转变为fct有序结构的L10型Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明:3... 采用真空电弧离子镀技术,在316L医用不锈钢基片上沉积Fe/Pt和Pt/Fe/Pt多层膜。Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜在初始沉积态是无序的fcc结构,经扩散热处理,发生相变,转变为fct有序结构的L10型Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜。经SEM、XRD分析和磁性测量表明:316L医用不锈钢表面可沉积均匀致密的Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜,经扩散热处理后,Fe-Pt形成了明显的扩散层,fcc结构的Fe/Pt和Pt/Fe/Pt薄膜部分转变为了fct结构,通过硬磁fct相与软磁fcc相的交换耦合作用,剩磁有了很大的提高。 展开更多
关键词 316L不锈钢 磁性薄膜 电弧离子镀 Fe/ptpt/Fe/pt薄膜
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