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快速退火对Pt/BST/Pt电容器结构和性能的影响
被引量:
1
1
作者
王玉强
刘保亭
+3 位作者
孙杰
郭哲
范志东
彭英才
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期39-42,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,对Pt/BST/Pt电容器在空气中进行400℃快速退火(RTA)处理,研究了快速退火对Pt/BST/Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明:快速退火虽然对BST薄膜的结...
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,对Pt/BST/Pt电容器在空气中进行400℃快速退火(RTA)处理,研究了快速退火对Pt/BST/Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明:快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小,但却极大改善了Pt/BST/Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏压为0V时,介电损耗从快速退火前的0.07减小到0.03,介电常数和调谐率略有增加。快速退火后负向漏电流过大现象得到了明显抑制,正负向漏电流趋于对称,在300×103V/cm电场强度下,漏电流密度为4.83×10–5A/cm2。
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关键词
bst
薄膜
快速退火
pt/bst界面层
氧空位
脉冲激光沉积
下载PDF
职称材料
题名
快速退火对Pt/BST/Pt电容器结构和性能的影响
被引量:
1
1
作者
王玉强
刘保亭
孙杰
郭哲
范志东
彭英才
机构
河北大学物理科学与技术学院
河北大学电子信息工程学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第12期39-42,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60876055)
河北省自然科学基金资助项目(No.E2008000620
+2 种基金
E2009000207)
教育部科学技术研究重点资助项目(No.207013)
河北省应用基础研究计划重点基础研究资助项目(No.08965124D)
文摘
采用脉冲激光沉积(PLD)法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,对Pt/BST/Pt电容器在空气中进行400℃快速退火(RTA)处理,研究了快速退火对Pt/BST/Pt电容器的结构和性能的影响。结果表明:快速退火虽然对BST薄膜的结晶质量影响较小,但却极大改善了Pt/BST/Pt电容器的电学性能。当测试频率为100kHz、直流偏压为0V时,介电损耗从快速退火前的0.07减小到0.03,介电常数和调谐率略有增加。快速退火后负向漏电流过大现象得到了明显抑制,正负向漏电流趋于对称,在300×103V/cm电场强度下,漏电流密度为4.83×10–5A/cm2。
关键词
bst
薄膜
快速退火
pt/bst界面层
氧空位
脉冲激光沉积
Keywords
bst
thin film
rapid thermal annealing
pt
/bst
interfacial layer
oxygen vacancy
pulsed laser deposition
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速退火对Pt/BST/Pt电容器结构和性能的影响
王玉强
刘保亭
孙杰
郭哲
范志东
彭英才
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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