Pt／InP肖特基二极管气敏特性的研究

本文研究了Ｐｔ／ｎ－ＩｎＰ肖特基二极管在氢、氧气氛下的Ｉ－Ｖ、Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性．测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氧气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性．

基于Ti/Pt/Au欧姆接触金属系统的InP基HEMT器件

应用钛/铂/金(Ti/Pt/Au)金属系统在InP基HEMT制备工艺中形成了良好的欧姆接触,通过优化合金条件,获得了较低的欧姆接触电阻,并在此基础上对钛/铂/金欧姆接触形成机理进行了深入讨论。实验结果表明:在氮气气氛下进行温度300℃/30 s快速热退火后,得到欧姆接触最小电阻值为0.025Ω·mm。同时合金界面形态良好。制备出栅长1.0μm的InP基HEMT器件,测试结果表明器件具有良好的DC和RF特性,器件最大跨导(Gmmax)为672 mS/mm。饱和源漏电流IDSS为900 mA/mm,阈值电压为-0.8 V,单一的电流增益截止频率(fT)为40 GHz,最大晶振fmax为45 GHz。