Pt/WO_3纳米薄膜的氢敏特性

用溶胶-凝胶法和磁控溅射法相结合制备了催化剂Pt掺杂的WO3纳米薄膜,通过改变氢气的体积分数、催化剂Pt的含量及热处理温度等实验因素,对Pt/WO3薄膜的氢致变色性能进行了测试;并利用X射线光电子能谱仪(XPS)分析了薄膜的氢敏机理。实验结果表明:先用溶胶-凝胶法制得WO3薄膜,然后再用磁控溅射法在该WO3薄膜上溅射掺杂5%的Pt,制得Pt/WO3双层纳米薄膜,经100℃热处理后,可以获得性能稳定且具有良好氢敏特性的优质薄膜;薄膜能检测的氢气浓度低至0.008%;XPS分析表明,W5+与W6+之间的转换是引起WO3薄膜氢致变色现象的主要原因。

Pt表面修饰WO_3纳米线薄膜对高浓度氢气传感性能的研究

本文采用热蒸发法合成了高结晶度的WO3纳米线薄膜，并利用溅射法把Pt纳米颗粒催化剂均匀溅射到纳米线的表面，形成Pt表面修饰WO3纳米线的复合纳米网络结构。气敏传感性能测试结果表明，在工作温度为100-140℃，Pt表面修饰的WO3纳米线薄膜对高浓度氢气具有响应度高（电阻变化率接近100％）、响应时间短（小于1．0s）、可重复性好等特点，能够有效地降低传感器的工作温度，解决高浓度探测时的饱和和失效问题，在工业生产中具有潜在的应用价值。

Pt表面修饰WO_3纳米花薄膜对酒精气体传感性能的影响

由于大多数半导体式酒精气体传感器必须工作在较高温度下才能达到较高灵敏度,导致其在工作过程中存在安全隐患,不利于工业化生产及大规模应用.针对上述问题,本文利用热氧化法制备了高比表面积的WO_3纳米花薄膜,并利用磁控溅射法把Pt纳米颗粒均匀地溅射到纳米花表面上,形成Pt表面修饰WO_3纳米花薄膜.通过酒精气体传感测试平台测定了该材料制备的酒精气体传感器的性能,并对Pt表面修饰WO_3纳米花薄膜的酒精气敏机理进行讨论.结果表明,在低工作温度下(60 ℃),Pt表面修饰WO_3纳米花薄膜的呼气酒精质量浓度检测范围为20~500 mg/L,该范围已接近酒后驾驶的呼气酒精质量浓度标准,并有效降低了酒精气体传感器的工作温度,解决了使用中存在的安全隐患.

纳米多孔WO_3薄膜的溶胶-凝胶制备与热处理

以金属W粉为无机原料 ,采用溶胶 -凝胶技术 ,结合浸渍镀膜方法 ,制备出纳米多孔WO3薄膜 ,研究了热处理对薄膜性能的影响 .采用原子力显微镜、红外光谱仪、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性 .实验表明 :热处理使得薄膜致密 ,折射率增大 (从 1.77增加至 2 .0 3 ) ,厚度减小 ,WO3颗粒增大 ;WO3结构发生变化 ,桥键WOW吸收逐渐减弱 ,且向低波数方向移动 ,共角WOW键吸收越来越强 .这些变化归因于热处理导致的WO3颗粒形状、团聚状态的变化以及应力键的产生 .

WO_3-SiO_2纳米复合薄膜的制备与气致变色效应研究

以钨粉和正硅酸乙酯为原料 ,采用溶胶凝胶技术和旋转镀膜方法 ,在玻璃衬底上制备出了气致变色WO3 SiO2 纳米复合薄膜 .采用椭偏仪、场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、红外光谱仪以及可见光分光光度计等对不同温度热处理的WO3 SiO2 复合薄膜及WO3 薄膜的特性进行了分析 .研究结果表明 :掺杂SiO2 会使WO3 薄膜厚度增大 ,折射率下降 ,表面平整度降低 ,颗粒尺寸增大 ;经高温热处理的WO3 SiO2

WO_3纳米薄膜的制备与气致变色特性研究

报道了以钨粉为原料,采用溶胶 凝胶技术和旋转镀膜方法,制备出了气致变色WO3纳米薄膜。采用椭偏仪、X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE SEM)、红外光谱仪以及可见光分光光度计等方法分析了薄膜的特性。研究结果表明热处理使得薄膜致密,折射率增大,厚度减小,薄膜结晶;过氧键消失,WO3微结构发生了变化,共角W—O—W键吸收越来越强,且向高波数方向移动。这些变化归因于热处理导致的WO3颗粒形状、团聚状态的变化以及应变键的产生。WO3纳米薄膜具有很好的气致变色特性,致色与退色态透射率变化超过60%,变色起因于H扩散到WO3薄膜中形成的小极化子吸收。

纳米WO_3薄膜的制备方法及其研究现状

在简要介绍纳米WO3薄膜材料研究意义的基础上,综述了纳米WO3薄膜的主要制备方法并对其优缺点进行了评价。概述了纳米WO3的研究和应用现状,并对其发展趋势进行了分析。

纳米WO_3薄膜

综述了纳米WO_3,薄膜的制备、表征及其在电致变色、气敏材料、共催化剂等方面的应用和作用原理。

介孔硅基WO_3纳米颗粒薄膜室温气敏元件特性(英文)

采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅片表面制备介孔硅层(meso-PSlayer),然后用对向靶磁控反应溅射法在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜,在干燥空气中于400℃下保温4h进行退火热处理,制备出介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜(WO3-PS)室温气敏元件.利用扫描电子显微镜(SEM)分析介孔硅层及WO3-PS的表面形貌,通过X射线衍射(XRD)研究WO3的结晶状态,测试WO3-PS气敏元件在室温下对NO2、NH3的气敏性能,并探讨了WO3-PS气敏元件的工作机理.实验结果表明,在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜可使介孔硅的气敏性能显著提高,其中在室温下对10×10-6NO2的灵敏度由5提高至56,大大提高了介孔硅的灵敏度,并降低了其响应/恢复时间,提高了对NO2的选择性.

掺钯纳米WO3薄膜气致变色窗研究

报道了以钨粉和H2O2为原料,采用溶胶凝胶技术和旋转镀膜方法,制备出掺钯气致变色WO3纳米薄膜;使用两块普通玻璃,其中一块内侧涂膜,做成四边封合中空气致变色窗,通以稀薄H2获得最佳致色响应时间小于10 s,在2 min之内700nm波长处的透过率变化超过60%.研究了热处理温度、催化剂钯掺量、薄膜厚度对薄膜特性的影响.

纳米结构WO_3薄膜气致变色特性研究进展及应用

三氧化钨(WO_3)薄膜具有许多特性,是一种优良的致色材料。纳米结构WO_3薄膜的着色效率高、可逆性好、响应时间短、光学调制高。综述纳米结构WO_3薄膜的化学沉积法和物理沉积法。化学沉积法可制备出多孔、片状和特殊形貌纳米结构WO_3薄膜。掠射角磁控溅射作为一种物理沉积方法,能够可控制备纳米柱状结构WO_3薄膜。其次,介绍WO_3薄膜的气致变色特性在气体传感器和智能窗等领域的应用。最后,对纳米结构WO_3薄膜气致变色特性改善提出展望,并指出其目前存在的问题及未来发展趋势。

光致变色纳米WO_3薄膜研究进展

介绍了纳米WO3薄膜的光致变色机理,并对WO3薄膜的各种制备方法进行了分析比较。概述了WO3薄膜的各种表征手段和近年来国内外的研究现状等,并对其未来发展趋势进行展望。

WO_3/Si纳米晶薄膜的脉冲准分子激光沉积及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Ｓｉ（１１１）单晶衬底上沉积了 ＷＯｘ薄膜．采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、喇曼光谱（ＲＳ）、付里叶红外光谱（ＦＴ－ＩＲ）及透射电镜扫描附件（ＳＴＥＭ）对不同条件下沉积的样品进行了结构分析．结果表明，氧分压和沉积温度是决定薄膜结构和成份的主要参数．在沉积温度３００℃以上及２０Ｐａ氧压下得到了三斜相纳米晶ＷＯ３薄膜．

纳米WO_3薄膜材料的制备及掺杂改性研究

对制备纳米WO3薄膜的主要方法进行综合分析比较,综述通过掺杂不同元素对纳米WO3薄膜性质的影响,并展望纳米WO3薄膜材料的发展前景。

纳米掺钯WO3薄膜及气致变色性能研究

以钨粉和双氧水为原料，采用溶胶-凝胶技术结合提拉镀膜法，制备了纳米结构掺钯气致变色WO3薄膜；分析了薄膜的折射率、厚度、结晶度、红外特性和表面形貌随温度变化特性；研究了薄膜的气致变色性能。研究结果表明，纳米掺钯气致变色WO3薄膜有着良好的气致变色特性。重点讨论了薄膜结构、薄膜水含量以及薄膜钯含量对薄膜变色效率的影响。

热处理温度对Pt-WO3薄膜结构和氢敏性能的影响

以钨粉和双氧水为主要原料，采用溶胶-凝胶法及旋转涂膜技术在K9玻璃上制备了WO3纳米薄膜，然后用磁控溅射法在该WO3薄膜表面溅射掺杂了Pt作催化剂。将此Pt—WO3薄膜分别在100～500℃的氮气环境中进行热处理，用XRD，AFM，分光光度计等观察了薄膜的结构和表面形貌，分析了薄膜的微观结构及热处理温度和催化剂含量对薄膜的结构和氢敏性能的影响。结果表明，薄膜经400℃以下热处理后是非晶态结构，表面疏松多孔，透光率较高，氢敏效果好；经400℃以上热处理后呈晶态结构，表面粗糙致密，透光率较低，氢敏效果差；催化剂Pt的含量对薄膜的氢敏效果有影响，当含量为5％（质量分数）时，Pt—WO3薄膜的氢敏感性能较好。

纳米WO_3薄膜的制备方法及其性质研究

介绍和分析了制备纳米WO3薄膜的主要方法及各自优缺点;对纳米WO3的性质研究现状作了简要概述,并提出了纳米WO3薄膜的发展前景。

纳米WO_3薄膜的制备方法及性质研究

介绍和分析了制备纳米WO3薄膜的主要方法及各自优缺点;对纳米WO3的性质研 究现状作了简要概述,并提出了纳米WO3薄膜的发展前景。

纳米多孔WO_3薄膜电极的制备及其光电化学性质

以偏钨酸铵为钨源、十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用水热法制备纳米WO3粉体,并在不同温度下进行煅烧处理,通过添加分散剂、粘结剂等配制WO3浆料,利用刮涂法制备纳米多孔WO3薄膜电极。通过TG-DTA、XRD、SEM、BET以及UV-vis吸收光谱等手段对样品进行表征,采用Mott-Schottky测试、稳态光电流谱和交流阻抗谱等方法研究WO3薄膜电极的光电化学性能。结果表明:所制备的WO3为单斜型,随着热处理温度的升高,WO3粉体结晶度增高,颗粒粒径增大,比表面积下降;将热处理温度为650℃的WO3粉体制得的薄膜呈多孔膨松状结构,其平带电位为0.45 V,载流子浓度为3.445×1020cm 3,光电流密度达2.50 mA/cm2。此外,进一步探讨颗粒尺寸对其光电性质的影响及其机理。

纳米WO_3薄膜的制备及其性质的研究现状

综述了纳米WO_3薄膜的几种常用制备方法,并对其优缺点进行了比较,对纳米WO_3薄膜的应用前景作出展望。