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铂分布形式对TiO_2薄膜光电化学行为的影响
被引量:
2
1
作者
王彦明
李新军
郑少健
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期729-732,共4页
采用Sol-Gel法通过交替浸渍提拉工艺制备了Pt以不同形式分布的TiO_2薄膜(均匀分布,底层分布).采用三电极体系研究薄膜的光电化学行为,并用制备的薄膜组装成染料敏化纳米晶太阳能电池(DSSC),考察了DSSC的光电转换性能.结果显示:Pt底层分...
采用Sol-Gel法通过交替浸渍提拉工艺制备了Pt以不同形式分布的TiO_2薄膜(均匀分布,底层分布).采用三电极体系研究薄膜的光电化学行为,并用制备的薄膜组装成染料敏化纳米晶太阳能电池(DSSC),考察了DSSC的光电转换性能.结果显示:Pt底层分布的TiO_2薄膜在紫外光照射下,三电极体系的光电流增强,乙醇作为空穴捕获剂添加到电解质体系中光电流进一步增强,且从线性伏安曲线可知,Pt底层分布的TiO_2薄膜中有更多的自由空穴存在;这些结果表明:Pt底层分布的TiO_2薄膜光生载流子得到有效分离,且光生空穴分布在表层;由于Pt底层分布的TiO_2薄膜具有表层空穴富集的趋势,DSSC在光照下,敏化剂产生的电子易于向Pt底层分布的TiO_2薄膜转移,表现在短路电流I_(sc)和开路电压V_(oc)的显著增大.
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关键词
TIO2薄膜
pt分布形式
载流子分离
下载PDF
职称材料
题名
铂分布形式对TiO_2薄膜光电化学行为的影响
被引量:
2
1
作者
王彦明
李新军
郑少健
机构
中国科学院广州能源研究所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第4期729-732,共4页
基金
广州市科技计划项目(2005J1-C0261)
文摘
采用Sol-Gel法通过交替浸渍提拉工艺制备了Pt以不同形式分布的TiO_2薄膜(均匀分布,底层分布).采用三电极体系研究薄膜的光电化学行为,并用制备的薄膜组装成染料敏化纳米晶太阳能电池(DSSC),考察了DSSC的光电转换性能.结果显示:Pt底层分布的TiO_2薄膜在紫外光照射下,三电极体系的光电流增强,乙醇作为空穴捕获剂添加到电解质体系中光电流进一步增强,且从线性伏安曲线可知,Pt底层分布的TiO_2薄膜中有更多的自由空穴存在;这些结果表明:Pt底层分布的TiO_2薄膜光生载流子得到有效分离,且光生空穴分布在表层;由于Pt底层分布的TiO_2薄膜具有表层空穴富集的趋势,DSSC在光照下,敏化剂产生的电子易于向Pt底层分布的TiO_2薄膜转移,表现在短路电流I_(sc)和开路电压V_(oc)的显著增大.
关键词
TIO2薄膜
pt分布形式
载流子分离
Keywords
TiO2 film
pt
distribution
carrier separation
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铂分布形式对TiO_2薄膜光电化学行为的影响
王彦明
李新军
郑少健
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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职称材料
已选择
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