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面阵IRCCD摄像芯片用折射微透镜阵列的离子束刻蚀制作
被引量:
2
1
作者
张新宇
易新建
+1 位作者
何苗
赵兴荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期135-136,125,共3页
采用氩离子束刻蚀制作与一种128×128元PtSiIRCCD摄像芯片匹配的单片硅折射微透镜阵列.所制成的微小光学阵列元件的填充系数高于95%,每单元硅折射微透镜为矩底拱面形,其近轴光(3~5μm光谱波段)的焦距约...
采用氩离子束刻蚀制作与一种128×128元PtSiIRCCD摄像芯片匹配的单片硅折射微透镜阵列.所制成的微小光学阵列元件的填充系数高于95%,每单元硅折射微透镜为矩底拱面形,其近轴光(3~5μm光谱波段)的焦距约为80μm。
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关键词
电荷耦合器件
摄像芯片
折射微透镜阵列
下载PDF
职称材料
题名
面阵IRCCD摄像芯片用折射微透镜阵列的离子束刻蚀制作
被引量:
2
1
作者
张新宇
易新建
何苗
赵兴荣
机构
华中理工大学光电子工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期135-136,125,共3页
基金
国家863高科技发展计划资助
文摘
采用氩离子束刻蚀制作与一种128×128元PtSiIRCCD摄像芯片匹配的单片硅折射微透镜阵列.所制成的微小光学阵列元件的填充系数高于95%,每单元硅折射微透镜为矩底拱面形,其近轴光(3~5μm光谱波段)的焦距约为80μm。
关键词
电荷耦合器件
摄像芯片
折射微透镜阵列
Keywords
ptsi irccd
,
silicon microlens arrays
分类号
TN386.5 [电子电信—物理电子学]
TN948.41 [电子电信—信号与信息处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面阵IRCCD摄像芯片用折射微透镜阵列的离子束刻蚀制作
张新宇
易新建
何苗
赵兴荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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职称材料
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