高性能128×128元 PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。

PtSi红外焦平面阵列技术的发展概况

介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题。

硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响

利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。

PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。

军用PtSi-SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）技术的新发展。

单片式PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。

PtSi红外摄像机

本文介绍了 Ptsi红外摄像机及其市场,叙述了 Ptsi红外摄像机在军事、民用热成像和天文上的应用。

256×256元IRCCD的设计及灵敏度改善

叙述了256×256元PtSi肖特基势垒红外焦平面的工作原理和设计考虑。器件采用四相ITCCD结构。像元尺寸和填充系数分别为60×50(μm^2)和35％。采用薄金属膜和光腔结构改善了器件的灵敏度。势垒高度为0.22ev,相应的截止波长为5.6μm。在室温目标下,用该器件摄得了较好的红外图像。

硅化铂红外焦平面探测器的特点与应用潜力分析

硅化铂红外焦平面探测器具有规模大、均匀性好、响应光谱宽、制造成本低、性能稳定等优点,但也存在着光电转换量子效率低、探测元填充因子小等不足。根据这些特点与红外成像仪的应用需求,分析了硅化铂红外焦平面探测器的特点与应用方向——大面积红外成像侦察与监视、多光谱/宽光谱成像、低成本红外成像制导、强光探测、科学和工业红外测试仪器等。

硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展

综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ 和ＧａＮ 光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术—分子束外延（ＭＢＥ） 制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ 等人工超晶格材料倍受关注，硅基异质结量子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。

Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制

使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与普通铂硅红外探测器相比，铂铱硅红外探测器在3～5μm中波红外波段响应明显增强。

长波红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍HgCdTe、IrSi、Ce_xSi_(1-x)/p-Si和GaAs/AlGaAs多重量子阱长波红外焦平面阵列的现状及发展趋势。

硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵及其发展

介绍PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵的工作原理,分析探测器的最佳化结构,评述国内外肖特基势垒红外焦平面列阵的发展。

肖特基势垒红外焦平面技术研制动态

肖特基势垒红外焦平面阵列(SB-IRFPA)技术具有一系列独特的优点,其发展速度是目前各种焦平面阵列技术中最快的,本文综合评述肖特基势垒红外焦平面阵列技术的特点、结构形式、工作机理、目前在短波、中波和长波器件方面取得的进展,在量子效率改善方面采取的有效措施和阵列技术未来的发展趋势。

红外焦平面阵列技术的进展

本文主要评述硅肖特基势垒、非本征硅、InSb和Hg_(1-x)Cd_xTe几种红外焦平面阵列技术及其取得的进展和发展前景。

32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵的物理设计

本文介绍了国内首见报导的32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面的物理设计方法。作者从计算探测目标的辐射能量出发,综合考虑了器件的结构、材料和工艺参数,电参数,光学系统参数和响应率的非均匀性,以信嗓比作为焦平面的品质因数进行了性能优化计算。根据系统参数和现有工艺条件,预计焦平面对室温景物成象的温度分辨率优于1°K,这同器件的热象测试结果符合得相当好。