PtSi／p－Si肖特基势垒红外探测器的研制

介绍了ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ肖特基势垒红外探测器（简称ＩＲ－ＳＢＤ）的优化结构及探测机理，给出了探测器的光增益模型，并对器件进行了制作及性能测试。器件在７７Ｋ下，反偏４Ｖ时的反向漏电流为５×１０（－６）μＡ，对１．５２μｍ红外光的灵敏度为２．６９×１０（－２）Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％。

硅衬底表面处理对PtSi/p-Si IR-SBD截止波长的影响

利用超高真空技术对硅衬底进行表面处理,制作了PtSi红外肖特基势垒探测器(IR-SBD)。用X射线衍射(XRD)分析了表面处理后的硅衬底上生长的PtSi薄膜的组分,结果表明,处理后所生长的PtSi薄膜中Pt2Si的含量明显减少,探测器光电流响应提高了50%以上,截止波长延长到5.5μm,势垒高度降低到0.23 eV。

军用PtSi-SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）技术的新发展。

提高PtSi—SBIRCCD量子效率和转移效率的方法研究

本文阐述了提高PtSi肖特基势垒红外CCD(PtSi-SBIRCCD)的量子效率和转移效率的方法。探测器采用具有抗反射层的优化薄PtSi光腔结构,提高了量子效率。为了提高转移效率,CCD移位寄存器采用埋沟CCD,并且发现,降低埋沟中的杂质浓度是提高器件在77K液氮工作温度下的转移效率的一种有效方法。

PtSi红外图像传感器与热像仪

叙述了ＰｔＳｉ肖特基势垒红外图像传感器的性能，评述了国内外ＰｔＳｉ红外图像传感器的发展，介绍了ＰｔＳｉ热像仪的应用及其市场。

PtSi肖特基势垒红外CCD设计考虑

本文阐述了 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)的设计考虑,包括:PtSi 肖特基势垒探测器(PtSi-SBD)结构的优化,填充系数与 CCD 电荷处理容量之间的匹配,提高 CCD 电荷转移效率。

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。

EAST装置上远红外激光干涉仪密度测量的改进

三道远红外激光干涉仪被用来测量EAST托卡马克装置中的弦平均电子密度。干涉仪装置中需要探测器具有高灵敏度、信噪比高、体积小及工作状态稳定等性质。采用肖特基势垒二极管探测器代替原有的热释电探测器(TGS)可以使HCN信号的信噪比大大改善。在EAST放电过程中,低杂波加热会干扰探测器接收到的信号,使用双层铜箔屏蔽和加窄带通滤波等方法可以有效防止低杂波对信号的干扰。改进后的探测器已经有效测出长脉冲放电和H模放电中等离子弦平均密度。

硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵及其发展

介绍PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵的工作原理,分析探测器的最佳化结构,评述国内外肖特基势垒红外焦平面列阵的发展。

32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵的物理设计

本文介绍了国内首见报导的32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面的物理设计方法。作者从计算探测目标的辐射能量出发,综合考虑了器件的结构、材料和工艺参数,电参数,光学系统参数和响应率的非均匀性,以信嗓比作为焦平面的品质因数进行了性能优化计算。根据系统参数和现有工艺条件,预计焦平面对室温景物成象的温度分辨率优于1°K,这同器件的热象测试结果符合得相当好。