PtSi的价电子结构

利用固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ理论）计算了ＰｔＳｉ的价电子结构，并利用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析了ＰｔＳｉ薄膜中阶电子的能谱．结果表明，Ｐｔ和Ｓｉ化合形成ＰｔＳｉ以后，Ｓｉ和Ｐｔ的杂阶均向较低杂阶方向移动，化合物中含有较高密度的晶格电子，使ＰｔＳｉ具有良好的导电性．Ｘ射线光电子谱测试结果表明，ＰｔＳｉ中价电子的能谱向高结合能方向移动，Ｐｔ的５ｄ电子是化合物中重要的成健电子．

利用X射线光电子谱对PtSi/p-Si(111)的电子结构研究

利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的 ＰｔＳｉ／ ｐ-Ｓｉ异质薄膜，采用Ｘ射线光电子讲（ＸＰＳ）测试其芯能级和价电子能谱．结果表明，其相形成由表面到界面为Ｐｔ，Ｐｔ＿２Ｓｉ，ＰｔＳｉ，材底温度的升高与沉积薄Ｐｔ膜有利于单一ＰｔＳｉ的形成，并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因．