磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征

采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇，薄膜显微结构由多层变为单层，衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2 Si和PtSi转化 ,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察 ,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体 (N2 和H2 )退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明 ,氢气气氛退火能提高薄膜质量 ;

纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P Si( 10 0 )上溅射的Pt膜 ,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响 ,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法 ,制备出 4nm连续薄膜。

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

简要介绍了脉冲激光薄膜沉积 (PLD)技术的物理原理、独具的特点 ,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延 (MBE)特点发展起来的激光分子束外延 (L -MBE) ,以及采用L

Pt/Ti/Si三元固相反应生长PtSi过程的实验研究

采用离子溅射方法在硅衬底上淀积Pt/Ti/Si多层结构,研究了不同退火温度(500°C和800°C)、相同退火时间(30min)固相反应形成PtSi薄膜的工艺。通过XRD、AES等测试方法,研究了原子的互扩散和反应过程。结果表明,在500°C退火时,由于Pt-Ti-O-Si过渡层的存在,使得Pt和Si反应不够充分,生成物中有部分Pt2Si存在,而800°C退火时,由于过渡层Ti与Si反应生成TiSi2,消耗了大量的Si,使得Pt与Si反应也不够充分。根据上述实验,给出了Pt/Ti/Si三元固相反应在不同退火温度下应采取的工艺条件。

铂-硅合金形成硅化铂的研究

本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层(～20nm)进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的纵向分布等情况,提出了良好的硅化铂薄层的形成条件,并测出了以此条件制作的 PtSi 红外肖特基势垒探测器参数 D~*=2.8×10^(10)cm·H_z^(1/2)W^(-1),势垒高度φ_(ms)=0.21eV。

PtSi超薄膜厚度的一种检测方法研究

介绍了采用角分辨X 射线光电子解谱 (angleresolvedX rayphotoelectricspectrum(ARXPS) )测试薄膜不同角度光电子能谱强度 ,计算电子平均自由程 ,从而计算出PtSi超薄膜厚度的方法 ,并给出其透射电子显微镜 (TEM)晶格象验证结果 .实验表明该方法简单易行 。