PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列的市场前景

本文全面深入地分析了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的市场前景。从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi阵列与InSb和HgCdTe阵列技术作了详细的比较,评述了PtSi阵列技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi阵列技术的应用范围,目前面临的市场状况和可预料的今后时间内PtSi阵列技术的前景。

256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了 2 .0倍 .

国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景

本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。