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国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景
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作者 程开富 《四川真空》 2003年第1期45-55,共11页
本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景.从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红... 本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景.从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较,评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围,目前的市场状况和今后的技术前景。 展开更多
关键词 PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列 ptsi-sbirfpa 红外探测器 红外辐射信号 像素 响应
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