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Ru团簇对Ni/Ni_(3)Al合金纳米线形变影响的原子模拟
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作者 阳喜元 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第1期81-87,共7页
镍基高温合金是制造先进航空发动机热端部件的关键材料之一,其高温力学性能直接关系到发动机运行安全和使用寿命.本文采用改进分析型嵌入原子模型(MAEAM)和分子动力学(MD)研究合金化元素钌(Ru)团簇对Ni/Ni_(3)Al纳米线形变机制的影响,... 镍基高温合金是制造先进航空发动机热端部件的关键材料之一,其高温力学性能直接关系到发动机运行安全和使用寿命.本文采用改进分析型嵌入原子模型(MAEAM)和分子动力学(MD)研究合金化元素钌(Ru)团簇对Ni/Ni_(3)Al纳米线形变机制的影响,结果表明:在单轴拉伸应变下,纳米线的弹性模量和屈服强度随温度升高而降低.温度较低时,纳米线形变由位错产生与发射而导致晶格滑移所引起.由于晶格热振动非谐效应不明显,Ru团簇阻碍效果显著,使得晶格滑移区域仅限于Ru团簇与Ni/Ni_(3)Al相界面之间且呈非对称分布.温度较高时,纳米线的形变由位错发射而引起晶格滑移所致,但因非谐效应显著,Ru团簇无法阻碍位错运动,滑移区域在Ru团簇周围对称分布于Ni_(3)Al相中.最后从Ru团簇微观结构及其稳定性的角度进一步分析其对纳米线形变影响. 展开更多
关键词 Ru团簇 形变机制 Ni/Ni_(3)Al纳米线 原子模拟
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Ag_(3)PO_(4)修饰AgBr纳米线/Ti_(3)C_(2)双异质结光催化剂降解罗丹明B
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作者 曾武军 曾斌 +2 位作者 彭巧 宁旭涛 张明 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期2397-2404,共8页
以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板和溴源,通过添加Ti_(3)C_(2)MXene,使用共沉淀法制备了Ag_(3)PO_(4)修饰AgBr纳米线/Ti_(3)C_(2)双异质结光催化剂(Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)),采用SEM、TEM、XRD、XPS、紫外-可见漫反射光谱... 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板和溴源,通过添加Ti_(3)C_(2)MXene,使用共沉淀法制备了Ag_(3)PO_(4)修饰AgBr纳米线/Ti_(3)C_(2)双异质结光催化剂(Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)),采用SEM、TEM、XRD、XPS、紫外-可见漫反射光谱、荧光光谱对Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)进行了表征。以罗明丹B(RhB)为目标降解物,考察了质量分数1%的Ti_(3)C_(2)水分散液添加量对Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)光催化降解RhB的影响。结果表明,层状Ti_(3)C_(2)分布在AgBr纳米线周围,Ag_(3)PO_(4)纳米粒子修饰在两者之上,3种化合物之间形成Z型和肖特基双异质结;质量分数1%的Ti_(3)C_(2)分散液添加量为0.5 g制备的Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)-5具有最佳的光催化降解RhB性能,30 mg该光催化剂对30 mL质量浓度为10 mg/L RhB溶液的降解率为94.4%;超氧自由基和羟基自由基是Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)光催化降解RhB过程中起主要作用的活性物种;AgBr、Ag_(3)PO_(4)、Ti_(3)C_(2)三者之间形成的Z型和肖特基双异质结增强了光生电子-空穴对(e--h+)的分离效率,提升了Ag_(3)PO_(4)-AgBr NW/Ti_(3)C_(2)光催化性能。 展开更多
关键词 双异质结 光催化剂 Ti_(3)C_(2) 纳米线 罗丹明B 功能材料
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3C-SiC纳米线的化学气相沉积法制备及超声裁剪研究
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作者 彭善成 李一言 +3 位作者 马慧磊 杜铭骐 刘传歆 贺周同 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期79-89,共11页
3C-SiC又称β-SiC,有着优异的耐高温、耐腐蚀、耐辐照性能,是反应堆这类复杂环境中的理想材料。近年来,一维碳化硅纳米线材料成为碳化硅材料研究领域的热门研究方向,同时也面临加工手段匮乏、加工难度大的问题。我们通过化学气相沉积法... 3C-SiC又称β-SiC,有着优异的耐高温、耐腐蚀、耐辐照性能,是反应堆这类复杂环境中的理想材料。近年来,一维碳化硅纳米线材料成为碳化硅材料研究领域的热门研究方向,同时也面临加工手段匮乏、加工难度大的问题。我们通过化学气相沉积法成功制备了含有高密度堆叠层错的3C-SiC纳米线,并采用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)、X射线衍射(X-Ray Diffraction,XRD)以及拉曼光谱(Raman spectrum)等多种手段对制备出来的碳化硅纳米线进行了微观结构表征,揭示了其独特的微观形态和晶体结构特征;进一步研究了超声裁剪碳化硅纳米线,利用“气泡-射流”模型结合碳化硅纳米线的形态解释了碳化硅纳米线的超声裁剪过程,探索了碳化硅纳米线的直径、强度、缺陷等对其在超声过程中断裂行为的影响。本研究为碳化硅纳米线的超声裁剪加工和纳米线的强度研究提供了新的视角,对于未来碳化硅纳米线在核能领域的应用具有重要的意义。 展开更多
关键词 3C-SIC 化学气相沉积 碳化硅纳米线 纳米线断裂行为 超声裁剪
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Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的制备及其圆偏振光致电流效应
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作者 冯世尊 俞金玲 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第1期14-19,共6页
采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于... 采用化学气相沉积法制备Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线,利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表征,并研究样品的圆偏振光致电流效应(circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激发,分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面态.激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效应.本研究测得的Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增大2倍以上,这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克点,还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作用,使得CPGE电流增大. 展开更多
关键词 Bi_(2)(Se_(0.53)Te_(0.47))_(3)纳米线 拓扑绝缘体 化学气相沉积 圆偏振光致电流效应
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Bi_2Te_3纳米颗粒和纳米线的溶剂热合成及组织特征 被引量:7
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作者 吉晓华 赵新兵 +2 位作者 张艳华 卢波辉 倪华良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1456-1460,共5页
分别以吡啶、无水乙醇为反应介质,以NaBH4为还原剂,采用溶剂热合成方法,在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为1520nm的Bi2Te3纳米粒子。采用相同的合成方法,以去离子水为反应介质,合成了直径为3080nm,长径比大于100的Bi2Te3纳米线。XRD... 分别以吡啶、无水乙醇为反应介质,以NaBH4为还原剂,采用溶剂热合成方法,在150℃下反应24h制备了平均晶粒尺寸为1520nm的Bi2Te3纳米粒子。采用相同的合成方法,以去离子水为反应介质,合成了直径为3080nm,长径比大于100的Bi2Te3纳米线。XRD和TEM分析表明,随着溶剂介电常数和极性增加,所生成产物的物相纯度、结晶度增高,晶粒尺寸增大。 展开更多
关键词 BI2TE3 溶剂热合成 纳米颗粒 纳米线
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LaPO_4∶Ce^(3+)/Tb^(3+)纳米线的合成和发光特性 被引量:7
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作者 于立新 宋宏伟 +3 位作者 刘钟馨 杨林梅 吕少哲 郑著宏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期369-374,共6页
通过水热法合成出Ce3+和Tb3+共激活的LaPO4纳米线,并同相应的微米棒进行了比较。研究了其荧光光谱和动力学过程。结果表明纳米线和微米棒的晶体结构均为单斜相。在单掺杂Ce3+和Tb3+的材料中,微米棒的发光强度与纳米线相比稍有提高,但在... 通过水热法合成出Ce3+和Tb3+共激活的LaPO4纳米线,并同相应的微米棒进行了比较。研究了其荧光光谱和动力学过程。结果表明纳米线和微米棒的晶体结构均为单斜相。在单掺杂Ce3+和Tb3+的材料中,微米棒的发光强度与纳米线相比稍有提高,但在共掺杂的纳米线样品中对应Ce3+的激发,Tb3+的5D4→7F5绿光发射比微米棒提高了3~5倍。通过动力学研究,纳米线中Ce3+和Tb3+的电子跃迁速率与微米棒对比没有显著的提高,且Ce3+→Tb3+的能量传递速率降低了3倍。Tb3+的5D3能级衰减包括两个过程:快过程和慢过程。纳米线以慢过程为主,而微米棒以快过程为主。我们认为慢过程对应5D3→5D4的弛豫,快过程对应5D3向其他缺陷能级的跃迁。因此共掺杂纳米线中强度的提高被归因于在纳米线中更多的边界阻碍而引起在高于5D4的激发态能级上损失的能量更少。 展开更多
关键词 LaPO4:Ce^3+/Tb^3+ 纳米线 能量传递
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外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga_2O_3纳米线及其特性研究 被引量:7
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作者 冯秋菊 李芳 +4 位作者 李彤彤 李昀铮 石博 李梦轲 梁红伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第21期360-365,共6页
利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga_2O_3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形... 利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga_2O_3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga_2O_3纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga_2O_3纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量. 展开更多
关键词 外电场 化学气相沉积 β-Ga2O3 纳米线
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不同取向的CoSb_3纳米线阵列的电化学法制备 被引量:4
8
作者 陈丽婕 李养贤 +3 位作者 陈贵锋 刘何燕 刘晓旭 吴光恒 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第5期949-951,共3页
CoSb3 nanowire arrays, preferred orientation of [510], were fabricated by electrodeposition of Co2+ and Sb3+ into anodic aluminum oxide (AAO) templates. The morphologies, structure, and composition of the as-synthesiz... CoSb3 nanowire arrays, preferred orientation of [510], were fabricated by electrodeposition of Co2+ and Sb3+ into anodic aluminum oxide (AAO) templates. The morphologies, structure, and composition of the as-synthesized sample have been performed using X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), selected area electron diffraction (SAED) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDS). Based on the previous investigation on CoSb3 nanowire arrays orientated along [420], the formation mechanism for different preferential orientation nanowire arrays was discussed. 展开更多
关键词 纳米线 电沉积 CoSb3
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LaF_3纳米线的低温溶剂热法制备及形成机理 被引量:4
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作者 张茂峰 孟建新 +2 位作者 时朝璞 刘应亮 满石清 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1883-1886,共4页
LaF3 nanowires with high aspect ratios have been prepared via a low-temperature solvothermal method using LaCl3 and KF or NH4F as starting materials in absolute alcohol at 160 ℃ for 12 h. XRD pattern and TEM images s... LaF3 nanowires with high aspect ratios have been prepared via a low-temperature solvothermal method using LaCl3 and KF or NH4F as starting materials in absolute alcohol at 160 ℃ for 12 h. XRD pattern and TEM images show that the products are hexagonal structure with diameter of 80 nm and length up to 8 μm. The lanthanum sources played most important roles, reaction temperature and time also played important roles in the morphology control of final LaF3 products. The optimal conditions for ideal LaF3 nanowire are at a reaction temperature of 160 ℃ and reaction time for 14 h using LaCl3 and NH4F as starting materials. A possible formation mechanism for LaF3 nanowires is proposed. 展开更多
关键词 LAF3 溶剂热法 纳米线
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在卵磷脂体系中合成EuF_3纳米线 被引量:6
10
作者 洪广言 张吉林 高倩 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第3期695-700,共6页
利用大豆卵磷脂在水中自发形成的囊泡作模板,先制备出含有Eu3+的卵磷脂乳液,Eu3+与卵磷脂亲水头部的磷氧键相结合形成Eu—O—P键,经用NH4F沉淀后制得前驱体,该前驱体在600℃灼烧,得到EuF3纳米线,其直径约为10-20nm.通过对各阶段产物的... 利用大豆卵磷脂在水中自发形成的囊泡作模板,先制备出含有Eu3+的卵磷脂乳液,Eu3+与卵磷脂亲水头部的磷氧键相结合形成Eu—O—P键,经用NH4F沉淀后制得前驱体,该前驱体在600℃灼烧,得到EuF3纳米线,其直径约为10-20nm.通过对各阶段产物的荧光光谱、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、热重-差热分析(TG-DTA)、透射电镜(TEM)等的对比分析,确认形成了Eu—O—P键,所得到的纳米线是多晶相EuF3. 展开更多
关键词 Eu3+离子 大豆卵磷脂 EuF3纳米线
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稀HNO_3对银纳米线薄膜电极光电性能影响的研究 被引量:4
11
作者 何鑫 陈宁 +3 位作者 方健成 张梅 黄俊能 罗坚义 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1637-1642,共6页
本文以自制的银纳米线分散液为镀膜前驱体,利用不锈钢棒在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底表面制备银纳米线薄膜电极,讨论HNO3溶液的浓度和处理时间对薄膜光电性能与表面形貌的影响。结果表明,当利用浓度为1:50(浓HNO3与蒸馏水体积... 本文以自制的银纳米线分散液为镀膜前驱体,利用不锈钢棒在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基底表面制备银纳米线薄膜电极,讨论HNO3溶液的浓度和处理时间对薄膜光电性能与表面形貌的影响。结果表明,当利用浓度为1:50(浓HNO3与蒸馏水体积比)的稀HNO3溶液处理薄膜30min时,银纳米线薄膜的方块电阻可降低95%-97%,而薄膜的可见光透过率则提高3%~4%。 展开更多
关键词 纳米线 薄膜电极 光电性能 HNO3溶液处理
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电化学组装一维纳米线阵列p型Bi_2Te_3温差电材料 被引量:5
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作者 王为 贾法龙 +3 位作者 黄庆华 张伟玲 郭鹤桐 申玉田 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期517-522,共6页
对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材... 对p型Bi_2Te_3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi_2Te_3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,P型Bi_2Te_3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料。 展开更多
关键词 p型温差电材料 BI2TE3 电化学组装 纳米线阵列
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多元醇法制备和表征Sb_2Se_3纳米线 被引量:10
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作者 陈名海 高濂 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1343-1348,共6页
以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研... 以自制的NaHSe乙醇溶液为硒源,在PEG-400无水体系中采用多元醇法,在180℃生长10h制备了直径100-200nm,长度可达十几微米的纳米线.产物通过XRD、TEM、HRTEM、FESEM、EDS和UV-Vis等手段进行了表征,并研究了不同多元醇对产物形貌的影响.研究表明,PEG-400作为结构导向剂在制备一维Sb2Se3纳米线中发挥着至关重要的作用,并且无水环境为纳米晶的生长提供了更加纯净的条件,有利于制备高质量的纳米晶. 展开更多
关键词 纳米线 Sb2Se3 多元醇法
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单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线 被引量:4
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作者 沈小平 赵慧 武世奎 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2007年第3期216-219,共4页
以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线... 以乙酰丙酮合铟[In(acac)3](acac=acetylacetonate)作为单源前驱体,Au为催化剂,采用化学气相沉积法,于较低温度(550℃)下成功制得了In2O3纳米线.用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和能量分散光谱(EDS)对In2O3纳米线进行了表征;制得的In2O3纳米线具有单晶结构,平均直径约为80 nm,长度达十几微米,其生长服从气-液-固机理.光致发光研究发现,In2O3纳米线在483 nm处有一个强的发射峰,这可归因于氧空位的存在. 展开更多
关键词 纳米线 IN2O3 化学气相沉积 制备
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水热合成Sb2Se3纳米线及其对Bi2Te3纳米粉末热电性能的影响 被引量:2
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作者 张艳华 徐桂英 +3 位作者 郭志敏 韩菲 王泽 葛昌纯 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期615-620,共6页
以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成... 以SbCl3和Se粉为原料,水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,采用水热法在150℃下,分别保温不同的时间合成Sb2Se3纳米粉末.通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨透射电镜(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征,实验结果表明保温时间达到24h时,获得产物为单相Sb2Se3纳米线晶体.根据实验结果还研究了水热合成Sb2Se3纳米线晶体可能的反应及生长机理,结果表明一维纳米线沿[001]方向生长,纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关.最后采用放电等离子体快速热压烧结法将水热合成的Bi2Te3纳米粉末与不同含量Sb2Se3纳米线进行复合,分析了Sb2Se3纳米线对Bi2Te3纳米材料热电性能的影响,发现复合约1at%Sb2Se3纳米线可以使Bi2Te3纳米材料热电性能有一定提高. 展开更多
关键词 水热合成 Sb2Se3 纳米线 热电性能
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水热合成法制备La_(0.7)Sr_(0.3)FeO_3纳米线的合成机理研究 被引量:3
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作者 姚朋军 王兢 +2 位作者 赵林 戚金清 苏梅英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期969-972,共4页
在表面活性剂CTAB水溶液中添加硝酸盐溶液,并滴加氨水,采用水热合成法在180℃的温度下反应9h,制备了La0.7Sr0.3FeO3前驱体,在700℃下煅烧6h后得到La0.7Sr0.3FeO3纳米颗粒组装的纳米线。利用SEM、TEM和XRD对其形貌、尺寸和结构等进行了... 在表面活性剂CTAB水溶液中添加硝酸盐溶液,并滴加氨水,采用水热合成法在180℃的温度下反应9h,制备了La0.7Sr0.3FeO3前驱体,在700℃下煅烧6h后得到La0.7Sr0.3FeO3纳米颗粒组装的纳米线。利用SEM、TEM和XRD对其形貌、尺寸和结构等进行了表征。制备的La0.7Sr0.3FeO3纳米线是由约为20nm的纳米颗粒组装而成的,纳米线的最大长径比达100以上。通过改变水热合成时间和前驱体的煅烧温度等实验条件,对La0.7Sr0.3FeO3纳米线的物相转化和生长机理进行了分析。表面活性剂CTAB作为生长控制剂和颗粒凝聚载体,能够控制材料沿着轴向生长,形成纳米线。 展开更多
关键词 La0.7Sr0.3FeO3纳米线 水热合成法 CTAB 生长机理
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La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3纳米线的制备及表征β 被引量:3
17
作者 张辉 马向阳 +1 位作者 徐进 杨德仁 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1738-1741,共4页
利用 Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了 La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线 ,并研究了两种热处理方法对La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线结构和形貌的影响 .快速升温到 80 0℃得到的 La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线较粗 ,其直径大于氧化铝模板的孔径 ,... 利用 Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了 La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线 ,并研究了两种热处理方法对La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线结构和形貌的影响 .快速升温到 80 0℃得到的 La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线较粗 ,其直径大于氧化铝模板的孔径 ,而经过缓慢升温到 40 0℃预处理再升温到 80 0℃得到的 La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线 ,其直径和氧化铝模板的孔径相当 ,都约为 3 5 nm. X射线衍射和透射电镜分析结果表明 ,两种方法得到的La0 .8Ca0 .2 Mn O3 纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料 . 展开更多
关键词 La0.8Ca0.2MnO3 纳米线 制备 表征 溶胶-凝胶法 氧化铝模板 纳米材料
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采用溶胶-凝胶法在多孔氧化铝模板上制备立方相WO_3纳米线(英文) 被引量:2
18
作者 徐宇兴 谭强强 +2 位作者 唐子龙 张中太 袁章福 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期753-755,共3页
采用溶胶-凝胶法在纳米孔氧化铝模板上成功制备形貌各异的WO3纳米线。X射线衍射分析表明所制备的WO3纳米线为立方相结构。经扫描电子显微镜观察发现产物多数为菊花状WO3纳米线,其直径约10~80nm,长约几微米。与空气气氛相比,氩气气氛更... 采用溶胶-凝胶法在纳米孔氧化铝模板上成功制备形貌各异的WO3纳米线。X射线衍射分析表明所制备的WO3纳米线为立方相结构。经扫描电子显微镜观察发现产物多数为菊花状WO3纳米线,其直径约10~80nm,长约几微米。与空气气氛相比,氩气气氛更有助于WCl6三嵌段共聚物溶胶在多孔氧化铝模板上形成形貌各异的WO3纳米线。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 纳米孔氧化铝模板 WO3纳米线
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WO3·H2O纳米线阵列的制备及其光催化活性 被引量:4
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作者 邹丽霞 丁慧玲 +1 位作者 董丽君 欧阳明 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期123-128,共6页
制备了具有有序孔洞多孔阳极氧化铝(AAO),并以之为模板通过溶胶-凝胶法制备高度取向的WO3·H2O纳米线阵列,用X射线衍射、XPS、扫描电镜(SEM)和比表面积仪进行表征。结果表明:WO3·H2O纳米线线径与AAO模板的孔径一致,且分布均匀... 制备了具有有序孔洞多孔阳极氧化铝(AAO),并以之为模板通过溶胶-凝胶法制备高度取向的WO3·H2O纳米线阵列,用X射线衍射、XPS、扫描电镜(SEM)和比表面积仪进行表征。结果表明:WO3·H2O纳米线线径与AAO模板的孔径一致,且分布均匀,线径为26 nm,线长为1.1μm;与相同条件下用玻纤布作载体制备的WO3·H2O膜相比,其平均晶粒小,低密度,高比表面积。将催化剂WO3·H2O/AAO与WO3·H2O/玻纤布两者分别对气相甲醛进行光催化降解反应以评价它们的光催化活性,得出WO3·H2O纳米线阵列光催化降解气相甲醛反应速率常数大约是WO3·H2O/玻纤布的3.4倍,说明以AAO为模板制备的WO3·H2O纳米线阵列具有更高的光催化活性。 展开更多
关键词 WO3·H2O纳米线阵列 表征 比表面积 光催化活性
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Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线 被引量:3
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作者 高海永 庄惠照 +5 位作者 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期931-935,共5页
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN... 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线. 展开更多
关键词 GAN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化
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