脉冲激光纳米薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积 (PLD)是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理 ;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程 ,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响 ;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜 ,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势。结合自行研制的设备 ,介绍了在PLD基础上发展起来的兼具分子束外延 (MBE)技术特点的激光分子束外延技术 (L MBE)。指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物质相互作用和薄膜成膜机理方面的作用 ,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。

硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展

ＰｔＳｉ红外探测器是一种重要的光电器件．在军事和民用方面均起着非常重要的作用。高质量硅基ＰｔＳｉ 薄膜的制备是高性能器件研制的基础。本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备ＰｔＳｉ 薄膜的方法。并评述了ＰｔＳｉ红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势。

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

简要介绍了脉冲激光薄膜沉积 (PLD)技术的物理原理、独具的特点 ,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延 (MBE)特点发展起来的激光分子束外延 (L -MBE) ,以及采用L

PtSi红外探测器材料制备技术

介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等 Pt Si薄膜的制备方法及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延技术的原理及特点。