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Cr^(4+):YAG晶体位置对被动调Q激光器输出特性的影响研究
被引量:
1
1
作者
李诚
《科技信息》
2012年第15期76-77,共2页
可饱和吸收体Cr4+:YAG对被动调Q激光器的输出特性起着重要的作用。本文对Cr4+:YAG被动调Q的Nd3+:YAG激光器进行了实验和理论研究,重点研究了可饱和吸收体在谐振腔中的位置对激光输特性的影响。实验结果表明,可饱和吸收体在谐振腔中存在...
可饱和吸收体Cr4+:YAG对被动调Q激光器的输出特性起着重要的作用。本文对Cr4+:YAG被动调Q的Nd3+:YAG激光器进行了实验和理论研究,重点研究了可饱和吸收体在谐振腔中的位置对激光输特性的影响。实验结果表明,可饱和吸收体在谐振腔中存在一个最佳位置,可使输出功率最大,脉冲宽度最小。这些研究对于被动调Q激光器的设计与应用有一定的意义。
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关键词
被动调
q
CR4+:YAG
输出特性
q开关位置
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职称材料
题名
Cr^(4+):YAG晶体位置对被动调Q激光器输出特性的影响研究
被引量:
1
1
作者
李诚
机构
西安工业大学
出处
《科技信息》
2012年第15期76-77,共2页
文摘
可饱和吸收体Cr4+:YAG对被动调Q激光器的输出特性起着重要的作用。本文对Cr4+:YAG被动调Q的Nd3+:YAG激光器进行了实验和理论研究,重点研究了可饱和吸收体在谐振腔中的位置对激光输特性的影响。实验结果表明,可饱和吸收体在谐振腔中存在一个最佳位置,可使输出功率最大,脉冲宽度最小。这些研究对于被动调Q激光器的设计与应用有一定的意义。
关键词
被动调
q
CR4+:YAG
输出特性
q开关位置
Keywords
Passively
q
-switched
Cr4+: YAG
Output characteristic
Position of
q
-switch
分类号
TN248.34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cr^(4+):YAG晶体位置对被动调Q激光器输出特性的影响研究
李诚
《科技信息》
2012
1
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