功率MOSFET并联均流问题研究

对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率 MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来,得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。