一种提高Power VDMOSFET栅电荷性能的新结构

文章提出一种减小VDMOSFET栅电荷(Qg)的新结构,通过二维数值模拟:相对于常规VDMOSFET,该结构将栅电荷降低42.93%,器件优值(FOM=Qg*Ron)降低37.05%。我们分析了新结构的主要特性,并与常规VD-MOSFET进行了比较和参数优化分析。

一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究

栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数。器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标。文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型。仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42.93%,器件优值降低37.05%。最后对新结构进行了参数优化。