赛普拉斯推出QDRⅡ＋和DDRⅡ＋SRAMs系列样片

赛普拉斯半导体公司宣布其已开始提供Quad Data RateⅡ＋（四倍数据率Ⅱ＋）和DDRⅡ＋（双倍数据率Ⅱ＋）SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了高密度和高带宽，比现有的QDRⅡ和DDRⅡ产品的系统级带宽提高50％之多。这些新型存储器将加速各种数据密集型应用的读写功能，其中包括交换机、路由器、服务器、存储设备、无线基站和测试设备等。

基于QDRII的一种PXI任意波形发生器数字部分的设计

随着测试技术的发展,对信号的要求越来越高,高采样率任意波形发生器被广泛应用于各种测试系统中。文章重点介绍了在PXI3U板卡上实现采样率高达200MS/S的任意波形发生器模块的设计。设计中采用QDRII代替了SRAM,解决了由于存储器带宽过小而阻碍任意波形采样率提高的问题。

基于比特重排的减少机顶盒芯片DDR接口SSN的方法

封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)接口的传输频率.本文利用视频数据的相关性,及DDR颗粒的数据比特可以任意交换的特点,提出对DDR接口数据进行数据比特重排的方法来降低SSN效应.视频解码器使用到的数据在二维空间上高度相关.在DDR接口版图设计时将高比特位的数据与低比特位的数据在空间上交错放置,可使得DDR接口的电流分布更加平衡,减少通过封装寄生电感的平均电流,最终减少SSN.本文提出的方法成功用于台积电55rm工艺高清机顶盒芯片的设计.QFP封装的样片的DDR接口传输速率达到1066Mbps.