阻燃剂CyagardRF-1的应用

介绍了鏻盐阻燃剂THPC的换代产品CyagardRF-1的应用。

光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究

对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射.

分子筛OMS-2负载铜催化(3R,4R)-3-[1'R-叔丁基二甲基硅氧乙基]-4-乙羧基-1-对甲氧基苯基-2-氮杂环丁酮脱羧乙酰氧基化的性能研究

在Cu-OMS-2分子筛催化下,进行(3R,4R)-3-[1'R-叔丁基二甲基硅氧乙基]-4-乙羧基-1-对甲氧基苯基-2-氮杂环丁酮脱羧乙酰氧基化的研究,考察Cu负载量、氧化剂、反应温度以及反应时间等因素对催化效果的影响。结果表明,在Cu负载质量分数为4.15%、NaBrO3作为氧化剂、反应温度65℃和反应时间3 h条件下,分离收率最佳为83%。

关于K_（1，r）－free图的连通因子

本文证明了每个连通的Ｋ１，ｒ－ｆｒｅｅ图Ｇ，如果有［ｆ，ｇ］－因子Ｆ，则它就有包含Ｆ的［ｆ，ｇ＋ｒ－１］连通因子．

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.

HPLC 法鉴别西洋参和人参

用ＨＰＬＣ法测定了２４种西洋参根皂苷、５种西洋参茎叶皂苷、７种人参根皂苷、一种人参茎叶皂苷及８种单体皂苷（Ｒｏ，Ｒｅ，Ｒｇ１，Ｒｆ，Ｒｂ１，Ｒｇ２，Ｒｃ，Ｒｂ２）．结果表明，西洋参与人参的明显区别在于：人参含有Ｒｆ及Ｒｇ１；

噪声作为红外探测器可靠性评价的探讨

红外探测器的可靠性是一个重要的指标,当前利用噪声来表征器件的可靠性受到了广泛的关注。文分析了红外探测器的电噪声,它包括热噪声、散粒噪声、g-r噪声和1/f噪声,再结合g-r噪声和1/f噪声的产生,对噪声用作InSb光伏探测器可靠性的评价进行了详细分析。

基于低频噪声的LED寿命衰减研究

低频噪声可用来测量LED器件的噪声功率谱,从而能够对器件结构中的缺陷态进行深层次的检测和分析。这种检测具有对器件无损伤、快速测量的优点,又反映了器件结构本身的内部特性,具有良好的应用前景。系统介绍了低频噪声的产生机理及数学模型,并全面分析基于GaN和基于GaAs的LED器件的1/f噪声和GR噪声的功率谱表征的研究成果。从低频噪声表征可以观察到,LED的工作性能完全可以通过1/f和G-R噪声功率谱来分析检测。影响LED器件寿命的主要原因在于有源区内的暗斑以及有源区内外的缺陷态。暗斑和缺陷态的影响衰减的机理还未得到确定解释。

基于小波分析的光纤陀螺信号处理

在分析光纤陀螺的噪声特性的基础上,研究光纤陀螺信号滤波的方法,采用基于S te in无偏似然估计原理,对光纤陀螺信号进行小波阈值除噪,从而达到抑制光纤陀螺中存在的1/fr噪声和白噪声的目的。实验结果表明,小波滤波的方法对于抑制光纤陀螺中的噪声,提高信噪比具有良好的效果。

镍铬薄膜电阻器噪声特性研究

薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。

规整星形高分子的格点模型

我们采用一种新的格点模式,用Monfe Carlo方法计算了规正星形高分子的均方回转半径。<S_N^2(f)>(对官能度为f和总单体数为N的规正星形高分子而言),每个支链的均方末端距<Rn^2(f)>及比值g(f)=<S_N^2(f)>/<S_N^2(n)>,g'(f)=<Rn^2(f)>/<Rn^2(1)>以及官能度f与上面各种量的关系。由于我们采用了新的格点模型,这样我们可以研究具有更大官能度的规正星形高分子的各种性质。我们的结果表明,g(f)因子可以表示为 g(g)=1.8f^(-0.8) g'(f)可以表示为 g'(f)=0.022f+1.1.5 (f≥16)对于较小f值,g'(f)与Miyake—Freed等式所得的g'(f)是一致。

数字超大规模集成电路中的噪声分析与研究

指出了半导体器件中存在的噪声及其特点 ,并针对当今数字 VLSI(VeryLarge Scale Integrated—超大规模集成 )电路的特点 ,通过计算 ,分析和讨论了各种噪声对数字 VLSI电路造成的影响 .特别指出了随着现代数字 VLSI电路的元器件几何尺寸进一步缩小 ,其内部噪声的影响趋于显著 .

PbS红外探测器的低频噪声特性研究

PbS红外探测器的研究开始较早,由于其室温的优越性,至今应用仍很广泛。然而噪声严重影响了其性能,因此其噪声的研究目前很受重视。首先阐述了光导探测器的低频噪声理论;其次给出一简便而实用的PbS红外探测器低频噪声测量系统;最后在PbS红外探测器低频噪声实际测量和分析的基础上,分析了其低频噪声产生机理、偏压特性与温度特性,从而为改善器件质量提供了理论依据。

低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性

测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度。实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小,实验中并未发现g-r噪声。结合低偏置电流时激光器动态电阻的大小,给出了1/f噪声的模型,分析了在低偏置电流下的1/f噪声主要来自有源区和漏电电阻,其幅度的大小及其随偏置电流的变化趋势与激光器的可靠性有密切的关系。

PbS红外探测器低频噪声物理模型及缺陷表征研究

为了表征PbS薄膜光导红外探测器的材料缺陷,详细推导了1/f和产生-复合(g-r)噪声物理模型,并由实验数据验证了模型的准确性.利用1/f噪声与表面缺陷关系,计算了不同偏压下表面陷阱密度.得到该值随偏压升高而增加,由此得出1/f噪声与所加偏压成正比变化,与实验测试结果相一致.在此模型基础上,研究了g-r噪声与深能级缺陷特征参量的关系,提出由低频噪声表征缺陷激活能、简并因子、俘获截面等缺陷参数的方法.

缺血后处理对大鼠缺血-再灌注肺损伤血红素加氧酶-1表达的影响

目的观察缺血后处理（IPO）对大鼠肺缺血-再灌注损伤（IRI）期间血红素加氧酶-1（HO-1）表达的影响，探讨其保护机制。方法48只成年SD大鼠，随机（随机数字法）分成6组（n=8）,假手术组（S组）；缺血-再灌注组（I/R组）：夹闭左肺门缺血45min,再灌注105min；缺血后处理组（IPQ组）：缺血后再灌注30s,停灌30s，反复3次，再恢复灌注102min;氯化高铁血红素（Hemin）＋缺血-再灌注组（ZnPPIX＋IPO组）：术前连续2d腹腔注射Hemin40junol/（kg·d）,余同I/R组；锌原卟啉K＋缺血后处理组（ZnPPK＋IPO组）：术前24h腹腔注射ZnPPIX20mg/（kg·d）,余同IPO组；氯化高铁血红素＋假手术组（HM＋S组）。测定各组肺组织HO-1蛋白表达水平、动脉血氧分压（Pa02）、肺组织湿/干质量比（W/D）和血清丙二醛（MDA）含量，观察肺组织病理变化。组间比较采用单因素方差分析，组内比较采用配对＊检验。结果1/R组肺组织HO-1蛋白表达（0.177±0.015）与S组和HM＋S组相比差异具有统计学意义（P〈0.01,P〈0.05）,但与IPO组（0.194士0.017）及HM＋I/R组（0.209±0.013）相比差异具有统计学意义（P〈0.05,P〈0.01）o各实验组Pa02均显著低于S组（90±11）mmHg,IPO组和HM＋I/R组PaO2与1/11组相比较，差异具有统计学意义（P〈0.01）;I/R组较S组肺组织W/D、血清MDA含量升高，肺组织病理损伤严重，而IPO组和HM＋I/R组上述改变差异具有统计学意义（P〈0.05）。结论早期短时程缺血后处理能明显减轻在体大鼠肺IRI,其作用机制与其上调HO-1蛋白表达及抑制脂质过氧化的损伤作用有关。

怀柔水库应对“7·20”大暴雨的实践与思考

科学合理的洪水调度,可有效缓解防汛压力并充分利用雨水资源。南水北调来水调入密云水库调蓄工程运行后,为保障其运行,汛期怀柔水库持续高水位运行,调蓄空间减小,防汛压力加大。此外,怀柔水库下游紧邻怀柔城区,上游淹没区内有多个村庄,一旦发生灾害,上下游人民群众生命财产安全将受到严重威胁。通过对2016年"7·20"大暴雨应对工作进行深入研究和分析,梳理其主要调度措施,分析其中存在的问题并提出合理化建议,为今后怀柔水库洪水调度提供参考。