He-NH_3碰撞跃迁的R矩阵传播方法计算

用Ｒ矩阵传播方法解耦合态，ＣＳ，方程，计算了Ｈｅ－ＮＨ３碰撞过程的转动跃迁截面和速率常数，与其他作者及实验的结果进行了比较，结果好于其他作者。因此，可为天体物理等研究领域提供更为准确的基础理论数据。

类氢He^+、Li^(2+)离子的电子碰撞强度的R矩阵计算

利用R矩阵方法计算了电子与He+离子碰撞的1s-2s和1s-2p跃迁的碰撞强度,结果表明包括10个靶态的计算可以得到精确的类氢离子的n=1→n=2各能级跃迁的碰撞强度,并首次利用R矩阵方法计算了电子与Li2+离子碰撞的1s-2s和1s-2p跃迁的碰撞强度。

超快强场下低能光电子的研究进展——解析R矩阵半经典轨迹理论

该综述回顾了近期解析R矩阵方法结合半经典理论的发展,介绍其应用于线偏振光场下单活跃电子系统中的求解强场电离概率幅的过程[Torlina L,Smirnova O 2012 Phys.Rev.A 86 043408].解析R矩阵方法通过内外区域分割,可以获得对外区光电子的半解析描述.内区能够提供良好定义的边界条件,外区光电子波函数则可近似为Eikonal-Volkov解.进一步,使用稳相近似,可以将电离概率幅中的积分近似为半经典轨迹及相应相因子对应的分量之和.基于该方法讨论了不同电离时刻隧穿而出波包的形状,近似表现为以半经典轨线为中心的高斯型.在外光场与库仑势同时存在的情况下,亚周期非绝热修正对电离概率有不同的影响.作为特殊的案例,文中重点讨论在复时间平面上使用纯光驱动轨迹与库仑修正相因子研究光电子返回母核附近发生软回碰过程中的一系列关键环节以及对低能结构的影响[Pisanty E,Ivanov M 2016 Phys.Rev.A 93043408].在引入库仑势后,使用传统积分曲线存在一定的问题,因积分路径可能遭遇分支-切割面导致积分函数丧失解析性.为了克服该问题,隧穿电离后演化过程的时间被拓展到复平面,电子轨迹允许具有虚部.当回碰发生时,需要谨慎处理复时间平面上的分支-切割面.研究发现,复平面上的导航方法与最接近时间有关,最接近时间总存在于一对分支-切割面之间,它可以帮助规避不连续路径.最接近时间解的集合形成丰富的几何结构,使电子在回碰过程中表现出有趣的性质,与低能结构有关的回碰信息就隐藏在这些几何结构中,我们讨论了最接近时间方程解的拓扑结构随参数的变化以及设计路径搜索算法的依据,介绍了实验上与低能结构相关的可能观测到的现象.

类锂离子C^(3+)激发态(1s^22p)~2P光电离的计算

文中首次运用R 矩阵方法 ,在三态密耦近似下计算了类锂离子C3 + 激发态 (1s2 2 p) 2 P光电离截面 ,主要给出了不同过程和不同分波的光电离截面。计算结果显示了光电离过程中非常丰富的Rydberg系列共振结构。