设计了一种新颖的"5+7"分段式结构的R-2R电阻网络。与典型12位R-2R电阻型D/A转换器相比,采用该电阻网络的12位D/A转换器所需并联的MOS开关管数量大为减少,约为前者的1/8,提高了MOS开关管的匹配性。基于2μm SOI CMOS工艺,采用...设计了一种新颖的"5+7"分段式结构的R-2R电阻网络。与典型12位R-2R电阻型D/A转换器相比,采用该电阻网络的12位D/A转换器所需并联的MOS开关管数量大为减少,约为前者的1/8,提高了MOS开关管的匹配性。基于2μm SOI CMOS工艺,采用该R-2R电阻网络结构设计了一款±15V电压供电、双基准、12位四通道的D/A转换器,修调后,该D/A转换器DNL和INL典型值分别为0.15LSB和0.27LSB。展开更多
文摘设计了一种新颖的"5+7"分段式结构的R-2R电阻网络。与典型12位R-2R电阻型D/A转换器相比,采用该电阻网络的12位D/A转换器所需并联的MOS开关管数量大为减少,约为前者的1/8,提高了MOS开关管的匹配性。基于2μm SOI CMOS工艺,采用该R-2R电阻网络结构设计了一款±15V电压供电、双基准、12位四通道的D/A转换器,修调后,该D/A转换器DNL和INL典型值分别为0.15LSB和0.27LSB。