基于TSMC180nm工艺的8位电压型数模转换器设计

基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析。测试结果表明,在1.8V电源供电下,总版图面积为820μm×820μm,DAC总功耗为91.8μW,其最大转换速率达250M采样次数/s,微分非线性误差(D_(NL))和积分非线性误差(I_(NL))的最大绝对值分别为0.32LSB和0.52LSB。

一种高精度CMOS温度传感器的设计

介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的R-2R DAC省略运算放大器和反馈电阻,简化电路结构,避免了传统结构中运放失调对温度精度的影响.仿真结果表明,在1.2 V供电电源、-20~100℃温度条件下,该温度传感器的温度分辨率为0.2℃,温度精度为+0.32℃.

可控耦合交直流信号源设计

本文采用两种12位D/A转换器分别转换信号源的耦合交流成分和耦合直流成分,用R-2R型梯形电阻网络变换耦合交流成分的幅值大小,所有的转换和变换控制均由单片机和控制电路完成,系统设计简洁,实用可靠,抗干扰能力强,非常适合大的测试系统。