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一种高精度CMOS温度传感器的设计
被引量:
3
1
作者
黄继伟
张祥
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2020年第5期585-590,共6页
介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的...
介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的R-2R DAC省略运算放大器和反馈电阻,简化电路结构,避免了传统结构中运放失调对温度精度的影响.仿真结果表明,在1.2 V供电电源、-20~100℃温度条件下,该温度传感器的温度分辨率为0.2℃,温度精度为+0.32℃.
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关键词
温度传感器
r-2r型dac
SA
r
ADC
带隙基准源
下载PDF
职称材料
题名
一种高精度CMOS温度传感器的设计
被引量:
3
1
作者
黄继伟
张祥
机构
福州大学物理与信息工程学院
出处
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2020年第5期585-590,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目资助(61774035)。
文摘
介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的R-2R DAC省略运算放大器和反馈电阻,简化电路结构,避免了传统结构中运放失调对温度精度的影响.仿真结果表明,在1.2 V供电电源、-20~100℃温度条件下,该温度传感器的温度分辨率为0.2℃,温度精度为+0.32℃.
关键词
温度传感器
r-2r型dac
SA
r
ADC
带隙基准源
Keywords
tempe
r
atu
r
e senso
r
r-
2
r
dac
SA
r
ADC
bandgap
r
efe
r
ence(BG
r
)
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种高精度CMOS温度传感器的设计
黄继伟
张祥
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2020
3
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职称材料
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