碳化硅和氮化硅在熔融铝硅合金中的腐蚀研究

研究了重结晶碳化硅(R-SiC)与氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)在熔融铝硅合金中的腐蚀过程,得出了在1 080 h的热循环加热条件下,R-SiC与Si3N4-SiC具有较好的化学稳定性,对于实际太阳能相变储能合金容器材料选择具有较好的实际应用价值.

基于SiC三代半导体技术的T/R组件功率放大电路设计

本文介绍了SiC宽禁带功率器件的特性及其在相控阵雷达中的应用情况,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。并以SiC RF Power MESFET CRF24010在T/R组件功率放大电路上的应用为实例,详细介绍了SiC宽禁带功率放大电路的设计过程,包括直流偏置设计、稳定性设计、谐波阻抗优化设计、输出功率与效率的仿真,并对实际电路进行测试。本文可以为有源相控阵天线的设计提供工程应用上的参考。

弱层成分对SiC/BN层状陶瓷阻力行为的影响

利用压痕-强度法测定了不同弱层成分的SiC/BN层状陶瓷的阻力曲线行为,研究了BN弱层成分对SiC/BN层状陶瓷的阻力曲线行为的影响,并与SiC块体陶瓷作对比。结果表明:与SiC块体陶瓷相比,SiC/BN层状陶瓷具有更为明显的升值阻力曲线行为,且其阻力曲线行为受弱层成分的影响。其中,BN弱层中加入30%Al2O3的SiC/BN层状陶瓷显示出更为优越的抗裂纹扩展能力,其阻力曲线上升最陡,上升幅度最大。分析认为,这与它们不同的增韧机制和界面的结合状态有关。原位增韧是SiC块体陶瓷韧性提高的主要原因。裂纹遇到弱界面时发生偏转、分叉以及脱层等是层状陶瓷材料抗裂纹扩展能力提高的主要原因。而弱层成分又影响着裂纹的偏转,适当结合强度的界面有利于裂纹的偏转,结合强度太弱太强的界面都不利于裂纹的偏转。

PAS烧结SiC-石墨复相陶瓷的阻力曲线行为和抗热震性能

采用PAS烧结工艺,在1 680℃成功制备出Si C-石墨复相陶瓷,并研究了石墨含量对复相陶瓷物理力学性能、韧性、R曲线(阻力曲线)行为和抗热震性能的影响。结果表明,随石墨含量的增加,复相陶瓷的致密度、抗弯强度、弹性模量和维氏硬度均有所降低;以韧化比(TI)作为复相陶瓷的韧性指标,表明石墨含量越多,复相陶瓷的韧性越好,存在陡峭的上升R曲线行为,该指标更能反映复相陶瓷的韧性特征;显微形貌分析发现,复相陶瓷中存在的层状石墨增加了能量耗损,裂纹在扩展过程中发生偏转、分叉和桥联等现象,使得Si C复相陶瓷的韧性和抗热震性能得以改善。

机载有源相控阵火控雷达的新进展及发展趋势

回顾了有源相控阵火控雷达的发展历史,介绍了从1964年开始,国内历经30余年研制成功实用的机载有源相控阵火控雷达。机载相控阵技术的突破,引发了多种型号战斗机的火控雷达升级换代。讨论了有源相控阵体制雷达的卓越性能及未来将要采用的新技术、新材料、新器件,以满足对机载火控雷达更新更高的要求。

SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景

简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性。

常规铸造工艺条件下SiC颗粒增强Al-Si系铸造合金的界面反应

采用透射电镜,研究了SiC颗粒增强Al Si系铸造铝合金复合材料在常规铸造工艺条件下的界面反应。试验结果表明:当基体合金含硅量为5%以上时,能抑制生成Al4C3的有害界面化学反应,SiC界面基本上是单一的SiC/Al及SiC/Si界面,且部分界面上有MgAl2O4颗粒相形成。此外,对不同文献所述的抑制有害相Al4C3产生所需的临界Si含量的差异进行了分析。

铬含量和烧结工艺对Fe_3Si基合金涂层组织结构的影响

目前,关于以碳化硅粉、铬粉为原料原位生成Fe_3Si基合金涂层的研究鲜见报道。以碳化硅、铬粉为主要原料,以聚氧硅烷为胶粘剂,采用无压烧结技术在Q235钢基体表面制备Fe_3Si基合金涂层,采用扫描电镜、能谱仪和X射线衍射仪分析涂层的形貌和结构,并测试涂层的硬度,研究了Cr含量和烧结工艺对Fe_3Si基合金涂层性能的影响。结果表明:Cr元素对SiC的分解有助催化作用,有利于Fe_3Si基合金涂层的生成;Cr含量低时,涂层组织由Fe_3Si相和石墨相组成;随着Cr含量增加,涂层中的石墨相转变为硬质的(Fe,Cr)_7C_3相,形成Fe_3Si相+(Fe,Cr)_7C_3相的组织结构,涂层与基体连接更加紧密,涂层硬度提高,Cr/SiC质量比为0.6~0.8时,所得膜层质量较好;制备Fe_3Si基合金涂层较合适的烧结工艺为真空,烧结温度1 120℃,保温时间60 min。

相控阵和雷达技术的突破(英文)

许多人认为雷达是一个成熟的领域,不会发生任何新的变化,这种看法存在很久了,没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候,我也有过同样的看法,例如,我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了,不需要增加任何新的内容。然而我是多么的错啊,从那时起雷达技术领域中已经发生了许多令人眼花嘹乱的发展,雷达一直受益于Moore′s定律和许多新的技术上的成果,例如,MMICGaAsT/R组件和相控阵组件。现在雷达技术发展得更快了,在这篇文章里,我将给出某些最近突破的例子,所要提到的主题在图1中示出。

相控阵雷达T/R模块封装复合材料现状及发展趋势

随着航空航天、军工、电子技术的迅猛发展,封装方式与封装材料已成为电子设备进一步实现小型化、轻量化和高性能的重要制约。相控阵雷达T/R模块封装材料经历了从第一代的可伐合金到第二代的铜钨合金及近些年来兴起的以铝为基体的第三代轻质材料-碳化硅颗粒增强铝基复合材料和高硅铝合金,而二者的制备和加工技术仍存在的问题成为限制第三代材料全面推广和应用的重要瓶颈。本文综述了新一代封装材料的制备方法、机械加工性能、焊接工艺及表面处理等,详细介绍了新一代相控阵雷达T/R模块封装复合材料加工和应用的研究技术现状,并对其发展趋势进行展望。