T/R双模微波功率模块技术及其应用

微波功率模块(MPM)是真空电子器件和固态电子器件组合而成的一种新型微波功率器件,具有频率高、频带宽、功率大、体积重量小等特点,它使常规行波管的应用变得更加便利和广泛。现代战争向雷达、电子战综合一体化方向发展,这就要求功放既能工作在高峰值功率、低占空比的高模工作方式,也能工作在低峰值功率、准连续波的低模工作方式,针对这一需求,结合电子系统收发共孔径的要求,提出了T/R双模MPM技术。T/R双模MPM技术的核心是T/R双模行波管,基于三端口双向T/R行波管,通过在慢波系统的衰减器附近设置一个耦合口,实现行波管的信号反向接收功能;通过T/R双模行波管设计、双模放大均衡组件、双调制栅极电源等技术实现MPM的双模双向功能。T/R双模MPM应用前景广阔,特别是在基于无人机平台的作战应用中的具有明显优势。

一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。

一种4 GHz瞬时带宽的6~18 GHz超宽带T/R组件设计

针对现代电子对抗设备的大瞬时带宽要求,文中设计了一种瞬时带宽4 GHz的6~18 GHz超宽带T/R组件。采用砖块式多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)和超宽带信号传输等技术实现了T/R组件高集成、小型化和模块化的要求。对T/R组件组成构架、收发通道指标预算、宽带信号传输特性仿真和电磁兼容性设计进行了详细描述。测试结果显示,T/R组件在12 GHz工作带宽内具有良好的性能,发射功率大于35 dBm,接收增益大于20 dB,噪声系数小于5 dB,延时总量达762 ps。

BCMA CAR-T治疗复发/难治性多发性骨髓瘤患者的长期疗效和影响因素分析

目的:评价靶向B细胞成熟抗原(B cell maturation antigen,BCMA)嵌合抗原受体T细胞(chimeric antigen receptor-T cell,CAR-T)治疗复发/难治性多发性骨髓瘤(relapsed/refractory multiple myeloma,R/R MM)的长期疗效和安全性。方法:回顾性分析2018年7月至2023年7月在南昌大学第一附属医院接受BCMA CAR-T细胞治疗20例R/R MM患者的临床资料,随访日期截至2023年12月31日。应用Kaplan-Meier生存分析评估患者总生存(overall survival,OS)率和无进展生存(progression-free survival,PFS)率,并统计相关不良反应。结果:20例R/R MM患者,既往中位治疗线数为3(2~6)线,客观缓解率(objective response rate,ORR)为75%,完全缓解(complete response,CR)率为50%;中位随访时间29个月,中位PFS为26个月。10例CR的患者中,5例在末次随访时仍处于缓解状态,缓解持续时间最短为6个月,最长48个月。亚组分析中,髓外浸润、17p缺失遗传学异常和肿瘤高负荷患者PFS显著更差(P<0.05)。细胞因子释放综合征(cytokine release syndrome,CRS)是CAR-T细胞治疗最常见的不良反应,发生率为90%,3~4级CRS的发生率为35%;远期不良反应少,未发生CAR-T细胞治疗相关死亡。结论:BCMA CAR-T细胞是当前R/R MM治疗的有效方案,不良反应可控。髓外浸润和肿瘤高负荷的患者治疗有效,但持久反应欠佳,如何进一步巩固和维持患者的疗效,值得进一步设计前瞻性的临床研究并探究其差异性。

缓蚀剂对雷达T/R组件腐蚀行为的影响

T/R组件作为雷达系统的重要组成部分,在严酷海洋大气环境的侵蚀作用下,容易发生腐蚀,从而导致雷达系统性能下降,甚至引发故障。基于实测的某型机雷达舱环境数据,编制加速腐蚀试验环境谱,针对喷涂和未喷涂TFHS-20缓蚀剂的T/R组件开展当量加速腐蚀对比试验,并以收发通道芯片的微观腐蚀形貌、铝合金外壳蚀坑深度、T/R组件收发性能和输出功率等为指标参数,表征缓蚀剂对T/R组件腐蚀行为的影响。结果表明,TFHS-20缓蚀剂仅使T/R组件的输出功率降低0.59%~0.78%、接收增益降低0.11 dB~0.21 dB,缓蚀剂对T/R组件收发性能影响非常小。未喷涂缓蚀剂的T/R组件,在加速腐蚀试验的第4周期时,发射通道性能和接收通道功能失效;喷涂缓蚀剂的T/R组件,在加速腐蚀试验的8个周期时,接收通道功能失效。所以,TFHS-20缓蚀剂能够有效地提高T/R组件的使用寿命。

颞叶癫痫患者术后EEG尖慢波表现类似ECG“R-on-T”现象的1例报告

“R-on-T”现象为心电图的一种表型,被认为是下一个心室收缩提前落在上一周期心室易损期内,通常会引起恶性心律失常。本文介绍1例癫痫患者行右颞病灶切除术及选择性海马杏仁核切除术后,在过度换气诱发试验中脑电图尖慢波表现为类似“R-on-T”同源机理现象的病例,并对该现象产生的可能机制进行讨论,旨在提示神经电生理与心脏电生理具有同源性,进一步拓宽电生理理论学习、延伸电生理诊断思维。

基于硅基堆叠SIP技术的超宽带T/R组件

传统的超宽带T/R组件采用的是两维砖块式结构,体积和重量已不适应目前小型化、低剖面、易共形的相控阵天线要求。文中提出的基于硅基堆叠系统级封装(SIP)技术,将四通道的射频芯片高度集成在硅基介质基板上,将多层介质基板厚金压合,实现多层堆叠的三维封装。通过采用芯片多功能集成技术和超宽带射频信号的垂直互连技术,设计出三维堆叠的四通道超宽带T/R组件。T/R组件带宽为6 GHz~18 GHz,单通道的发射功率优于23 dBm,接收增益优于20 dB,可实现6位数控衰减及6位数控移相,尺寸仅有13.0 mm×13.0 mm×3.4 mm。该技术可以实现多通道超宽带T/R组件的SIP封装,有利于工程应用。

基于GaN的Ku波段四通道T/R组件设计

本文介绍了一种基于GaN功放芯片的Ku波段四通道T/R组件。该组件具有高效率、高集成、小体积、重量轻、模块化等特点。文章从T/R组件射频链路框架、收发通道指标推算、射频转接仿真方面进行阐述。最终测试结果显示,该组件在2GHz工作带宽内性能优良,发射功率大于40dBm,效率高于28%;接收增益大于29.5dB,噪声系数小于3.6。

虚拟筛选和鉴定EGFRL858R/T790M非共价抑制剂

目的:基于计算机虚拟筛选和生物活性评价鉴定新的治疗非小细胞肺癌的EGFR酪氨酸激酶EGFRL858R/T790M非共价抑制剂。方法:基于受体-配体复合物结构(PDB ID:5HCZ)构建药效团模型,选择ROC值为0.849的药效团模型对Specs化合物数据库进行筛选,再经过Libdock对接程序进一步过滤,最终选出20个化合物进行EGFRL858R/T790M酶活测试。结果:当化合物浓度为1μmol·L-1时,有7个化合物能够使EGFRL858R/T790M酶活降至52%以下,且对酶的抑制活性高于对照物吉非替尼[(52.77±0.39)%];当浓度为0.1μmol·L^(-1)时,化合物AN-465/42889633[(65.99±2.94)%]、AG-690/40753617[(68.29±6.18)%]和AN-465/43336751[(78.61±7.23)%]对EGFRL858R/T790M的抑制作用仍优于对照物吉非替尼[(80.42±0.62)%];分子对接结果表明3个分子通过氢键、疏水作用力及静电作用力与EGFRL858R/T790M活性部位相结合。结论:AN-465/42889633、AG-690/40753617和AN-465/43336751可作为非共价EGFRL858R/T790M抑制剂的先导化合物进行研究,同时为新型EG-FR抑制剂的研发奠定基础。

T/R组件封装工艺中的气相清洗方法研究

为了清除残留在发射/接收(transmit/receive,T/R)组件封装过程中芯片粘接界面和引线键合焊盘的助焊剂,对助焊剂的清洗工艺进行选择,分析气相清洗工艺原理及局限,并提出气相清洗的工艺优化方案,通过提高助焊剂与正溴丙烷蒸汽接触时的温度差和表面浓度,显著提升正溴丙烷气相清洗的效果,大幅缩短清洗时间,以期为相关人员提供参考。

面向相控阵T/R组件制造缺陷的智能检测系统设计及应用

随着企业数字化建设不断推进,工业检测作为先进制造的重要基础支撑技术之一,进入智能化变革新阶段。本文针对相控阵T/R组件组装领域中组装密度高、元器件种类繁杂、检测对象尺寸范围变化大、背景复杂且缺少标准模板图形,使得现有缺陷检测手段效率较低,识别不高,难以定位,难以满足数字化车间建设需求等问题,通过分析T/R组件组装工艺和缺陷特点,在原有数字化建设基础上,将现有检测手段与机器学习、深度学习等人工智能技术深度融合,从而构建面向T/R制造缺陷的智能检测系统,最终实现制造过程高效检测及质量数据有效管理,助力军工制造企业数字化转型。

基于加速寿命试验的多芯片T/R组件寿命评估方法

T/R组件是有源相控阵天线构成的重要组成部分,多芯片集成技术在T/R组件上的广泛应用,使长期使用的可靠性成为至关重要的问题。对于多芯片T/R组件的长期可靠性评估,加速寿命试验是最常用的方法。本文选取典型多芯片T/R组件,分析整体结构和关键部位,确定试验敏感参数;通过结温测试得到其薄弱环节和试验条件;根据多应力评估试验法的基本原理,搭建试验平台,基于威布尔分布模型开展多应力加速寿命评估试验;试验分别选取85 ℃、105 ℃、125 ℃三个温度点,分析试验数据可知三个试验温度下样品参数变化趋势一致,因此不同试验温度下样品失效模式与失效机理是相同的。最后通过威布尔估计法进行寿命预计,并使用阿伦尼斯方程进行曲线拟合,得到了不同温度下的加速寿命曲线,为微波集成多芯片T/R组件可靠性分析及评价提供了参考依据。

味觉受体T1R1和T1R3在从江香猪附睾不同区段的差异表达

【目的】明确从江香猪附睾中不同区段味觉受体T1R1和T1R3的定位及表达情况,为揭示猪附睾不同区段形成特殊微环境保障精子成熟的作用机制提供参考依据。【方法】采集初情期(30d)和性成熟期(180d)从江香猪附睾组织样品,分别采用实时荧光定量PCR、免疫组织化学、蛋白免疫印迹(Western blotting)等检测从江香猪附睾不同区段味觉受体T1R1和T1R3的定位及表达情况。【结果】味觉受体T1R1/T1R3的编码基因TAS1R1/TAS1R3均表现为附睾Ⅳ区的相对表达量显著高于其他区段(P<0.05,下同),而Ⅰ区的相对表达量显著低于其他区段,具体排序为Ⅳ区>Ⅴ区>Ⅱ区>Ⅲ区>Ⅰ区。免疫组织化学定位分析结果显示,在从江香猪附睾不同区段均检测到T1R1/T1R3不同程度的免疫阳性信号。其中,T1R1在附睾Ⅰ区主要定位于肌样细胞层与基细胞核;在附睾Ⅱ区主要定位于附睾上皮细胞、肌样细胞和精子细胞;在附睾Ⅲ区强烈定位于附睾管腔和微绒毛根部;附睾Ⅳ区为5个区段中表达最强烈的部位,定位于附睾管腔精子、管腔内缘和狭窄细胞膜上;在附睾Ⅴ区主要定位于附睾间质组织和狭窄细胞膜上。T1R3定位于附睾Ⅰ区血管内皮细胞、脱落生精细胞和附睾上皮细胞(尤其是基细胞);在附睾II区的精子、晕细胞和狭窄细胞上有较强表达;在附睾Ⅲ区和Ⅳ区主要定位于空泡化的附睾上皮细胞;在附睾Ⅴ区定位于附睾管不规则处和空泡化附睾上皮细胞,其表达强度仅次于Ⅲ区。Western blotting检测结果显示,从江香猪附睾Ⅳ区的T1R1/T1R3表达水平最高,其次是Ⅱ区,二者显著高于其他区段。【结论】初情期从江香猪附睾T1R1和T1R3的表达具有区段特异性和细胞特异性,以Ⅳ区的表达水平最高,且主要定位于附睾上皮细胞顶端、狭窄细胞和微绒毛根部,提示T1R1/T1R3在建立促进猪附睾精子成熟和储存的特殊腔内微环境中发挥重要作用。

数字T/R组件的自动测试系统设计与实现

数字T/R组件是数字阵列系统的重要组成部分,针对数字T/R组件测试指标复杂、数据处理繁多等测试需求,设计开发了一种自动测试系统。该系统通过GPIB总线控制测试仪器,通过网口控制光纤采集板实现T/R组件指标的全自动测试。介绍了测试系统的硬件设计,软件功能开发,系统校验与指标测试。该测试系统在实际应用中缩短了测试时间,有效提高了研制生产效率。

两级串并驱动有源相控阵T/R组件

从实际应用出发,介绍了一种有源相控阵发射/接收(T/R)组件的两级串并驱动设计方案。该设计方案中移相/衰减数据的控制包含两级串并驱动,第一级串并驱动将数据锁存后送给第二级串并驱动,第二级串并驱动再将数据锁存后用于控制组件通道收发待机和移相衰减。和传统的一级串并驱动控制方式相比,该控制方式可以有效降低T/R组件对串并驱动芯片的依赖程度,缩短T/R组件研制周期,降低研制成本。经测试验证,设计的两级串并驱动T/R组件具有较低的驻波系数、较高的移相精度,且各通道的增益平坦度及通道间的增益一致性均较好。

星载微组装T/R组件的封装设计

有源相控阵天线在星载雷达上的应用越来越广泛,而T/R组件是有源相控阵天线的核心部件,直接影响天线的性能。封装可以为微组装T/R组件内部电子元器件和电路提供一个良好的工作环境,面对星载雷达对微组装T/R组件的高功率、高集成、高可靠性等要求,封装设计技术已成为微组装T/R组件设计的关键技术之一。基于封装设计技术在星载微组装T/R组件上的应用需求,文中介绍了T/R组件的基本组成,就封装材料与电连接器选用、封装结构设计以及环境适应性设计等封装设计关键问题进行了分析,并探讨了星载微组装T/R组件封装的发展方向。最后以某星载大功率T/R组件的封装设计作为示例,介绍了这些关键技术在设计过程中的应用情况,为后续星载微组装T/R组件的封装设计提供了参考。

宽带数字T/R组件发射链路噪声分析

一体化的宽带数字T/R组件发射链路的输出信噪比直接影响着信号质量,较低的信噪比将导致信号被接收时出现较高的误码率。通过对T/R组件发射链路各部分电路的噪声分析,总结出了线性链路的信噪比恶化量与噪声系数的关系式,可定量地指导发射链路设计;同时,分析了浅饱和功率放大器的噪声情况,提出了适合T/R组件的数字预失真解决方案,对宽带数字T/R组件的发射链路设计具有一定的指导意义。

FRC/钢嵌入式T型接头疲劳试验及可靠性分析

为了研究FRC/钢嵌入式T型连接接头疲劳特性,采用真空成型工艺(VARTM)及缝合技术制作T型连接接头,利用Letry疲劳试验机对接头开展拉-拉疲劳试验。根据疲劳试验结果,研究了T型接头在拉-拉疲劳载荷作用下初始损伤特性及损伤演变规律;基于两参数Weibull分布模型,开展T型连接接头疲劳可靠性分析,拟合得到接头在不同应力水平下的疲劳寿命分布规律,给出接头在不同应力水平下疲劳可靠度函数,以及接头在指定可靠度下应力/寿命双对数曲线关系式(R-lnS-lnN曲线)。结果表明,ln ln[1/R(N)]与lnN呈现良好的线性关系,T型接头疲劳寿命服从Weibull分布;疲劳寿命可靠度双对数方程建立了可靠度、疲劳寿命以及疲劳应力的关系,可指导接头疲劳可靠性设计和工程应用。

TβR1和p-Smad2/3蛋白在哈萨克族食管鳞状细胞癌中的表达及临床意义

目的探讨TGF-β信号通路关键分子转化生长因子β-1型受体(transforming growth factor-βreceptor 1,TβR1)和磷酸化Smad2/3(phosphorylated Smad2/3,p-Smad2/3)蛋白在哈萨克族(哈族)食管鳞状细胞癌(鳞癌)中的表达及其临床意义。方法采用GEO和TCGA数据库分析食管鳞癌标本与癌旁正常组织中TβR1和p-Smad2/3的表达;运用免疫组织化学技术检测127例哈族食管鳞癌组织和82例癌旁正常组织中TβR1和p-Smad2/3的蛋白表达状况,分析及探讨TβR1、p-Smad2/3蛋白表达水平与哈族食管鳞癌患者临床病理参数及预后的关系。结果TβR1和p-Smad2/3蛋白在哈族食管鳞癌中表达上调(P=4.79×10^(-7);P=2.21×10^(-9)),且两者的表达呈正相关(r=0.322,P=0.002);TβR1、p-Smad2/3蛋白表达水平与食管鳞癌的浸润深度密切相关(P=0.003;P=0.005),且有淋巴结转移的样本中TβR1、p-Smad2/3蛋白表达水平明显高于无淋巴结转移的样本(P=0.028;P<0.001),而TβR1、p-Smad2/3蛋白表达与食管鳞癌患者年龄、性别和肿瘤分化程度无明显相关(均P>0.05);Kaplan-Meier生存分析显示TβR1和p-Smad2/3蛋白高表达食管鳞癌患者生存时间明显短于低表达患者(P=0.0013;P=0.0017)。结论TβR1和p-Smad2/3蛋白表达与哈族食管鳞癌患者的肿瘤浸润深度、淋巴结转移及预后密切相关。

一种集成环行器的X波段三维异构集成T/R模组

微电子机械系统(MEMS)环行器被广泛应用于射频(RF)T/R微系统中,解决共用天线且收发隔离的问题。基于硅基三维(3D)异构集成工艺,设计了一种集成MEMS环行器的X波段T/R模组。该模组以高阻硅为介质基板,在硅基板上、下表面电镀金属图形,并堆叠多层硅基晶圆,在硅基模组上封装了集成无源器件(IPD)环行器,完成了多种微波芯片和MEMS环行器的系统级封装(SiP),将环行器紧凑集成在硅基T/R模组中。模组尺寸为12.0 mm×11.3 mm×2.0 mm。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,模组接收通道增益为27 dB,接收通道噪声系数小于3.2 dB;发射通道增益为33 dB,饱和输出功率大于2 W。