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R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能 被引量:2
1
作者 李竹影 宋玉苏 +1 位作者 刘祖黎 姚凯伦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1447-1449,共3页
由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸... 由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构. 展开更多
关键词 氧化钨薄膜 电致变色 r.f.磁控溅射
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超凡入圣的变迁——影响R.F.柯尔成才的因素分析
2
作者 杨新科 薛周录 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第2期F002-F002,2,124,共3页
通过对1996年诺贝尔化学奖得主R F 柯尔(Robert F Curl Jr,1933 )成长经历的分析,总结出了影响人才成长的几点外部因素。
关键词 r.f.柯尔 诺贝尔化学奖 成长变迁史
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飞利浦加速器P.R.F异常切换故障的排除
3
作者 钱安 《现代医学仪器与应用》 2000年第1期36-37,共2页
故障现象 常规治疗过程中,剂量率突然变低,在MCC上观察P.R.F由200Hz变为50Hz。并且钥匙开关处于“test”位时,P.R.F各挡出光正常;处于“treat位时,无论P.R.
关键词 飞利浦加速器 P.r.f 异常切换故障 排除
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Preparation and Characterization of CeO_2-TiO_2/SnO_2:Sb Films Deposited on Glass Substrates by R.F.Sputtering 被引量:6
4
作者 ZHAO Qingnan DONG Yuhong NI Jiamiao WANG Peng ZHAO Xiujian 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第4期443-447,共5页
CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets wit... CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets with different molar ratio of CeO2 to TiO2 (CeO2:TiO2-0:1.0; 0.1:0.9; 0.2:0.8; 0.3:0.7; 0.4:0.6; 0.5:0.5; 0.6:0.4; 0.7:0.3; 0.8:0.2; 0.9:0.1; 1.0:0). The films are characterized by UV-visible transmission and infrared reflection spectra, scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD), respectively. The obtained results show that the amorphous phases composed of CeO2-TiO2 play an important role in absorbing UV, there are Ce^3-, Ce^4- and Ti^4- on the surface of the films; the glass substrates coated with CeO2-TiO2 (Ce/Ti=0.5:0.5; 0.6:0.4)/SnO2:Sb(6 mol%) double films show high absorbing UV(〉99), high visible light transmission (75%) and good infrared reflection (〉70%). The sheet resistance of the films is 30-50 Ω/□. The glass substrates coated with the double functional films can be used as window glass of buildings, automobile and so on. 展开更多
关键词 coating glass CeO2-TiO/SnO2:Sb double thin films absorbing UV IR reflection r.f. sputterin
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Preparation and characteristics of indium tin oxide (ITO) thin films at low temperature by r.f. magnetron sputtering 被引量:4
5
作者 REN Bingyan LIU Xiaoping WANG Minhua XU Ying 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期137-140,共4页
Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electri... Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electrical, optical, structural and morphological properties of the ITO films were investigated in terms of the preparation conditions. The annealing treatment has improved the properties of the ITO films at different degree. The maximum transmittance of the obtained ITO films in the visible range is over 92%, and the low resistivity for the ITO films are about 3.85×10-4 Ω·cm at 80 ℃, 80 W after annealing. 展开更多
关键词 ITO r.f. magnetron sputtering low temperature ANNEALING
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Growth and Microstructure of r.f. Sputtered Fe/Ti Multilayers
6
作者 Wei WANG Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China Lishi WEN Department of Surface Engineering of Materials, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Science 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第5期521-524,共4页
Fe/Ti multilayers with different modulation wavelengths (Lambda) prepared by r.f. sputtering has been investigated by using cross sectional transmission electron microscopy (XTEM). It was observed that the columnar st... Fe/Ti multilayers with different modulation wavelengths (Lambda) prepared by r.f. sputtering has been investigated by using cross sectional transmission electron microscopy (XTEM). It was observed that the columnar structure, interface morphology, and metastable phase presented at the interface of the multilayer system strongly depend on the bilayer thickness (Lambda). For high period multilayers, the waviness wavelength of interfaces is about two times broader than the column diameter. For a sample with Lambda =30 nm, its column width and waviness wavelength was about 80, and 190 nm, respectively. Both of them decreased with the reduction of Lambda, so as to nearly equal values of column diameter and waviness wavelength were obtained. The Fe and Ti grains of both 30 nm and 6 nm multilayers are polycrystalline, and have a textured structure. In short bilayer thickness (Lambda =6 nm), the intermetallic compound Fe2Ti was presented at the interfaces due to solid state reaction; for Lambda =2 nm, amorphous phase Ti-rich layer was formed at the interfaces, resulting in a sharp interface multilayer structure. 展开更多
关键词 TI Growth and Microstructure of r.f Sputtered Fe/Ti Multilayers FE
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Characteristics of a R.F. Ion Source Used in an Electrostatic Accelerator
7
作者 詹福如 袁宏永 +6 位作者 胡纯栋 胡素华 陈斌 张束清 王绍虎 余增亮 李军 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第1期167-170,共4页
A radio frequency (r.f.) ion source used in the electrostatic accelerator was designed and built for the study on the ion beam bioengineering. The extracting characteristics were determined by experiments, from whic... A radio frequency (r.f.) ion source used in the electrostatic accelerator was designed and built for the study on the ion beam bioengineering. The extracting characteristics were determined by experiments, from which the results showed that a maximal beam current is obtained under the condition of the extracting voltage 1700V and the gas pressure in the range of (4~ 8)× 10-4 Pa. And the diameter of the ion beam was measured as well. 展开更多
关键词 Characteristics of a r.f Ion Source Used in an Electrostatic Accelerator
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ICA现任主席——D.R.F.泰勒
8
作者 罗丁 《地图》 北大核心 1989年第1期10-10,共1页
泰勒(Taylor)博士出生于苏格兰,1966年移居加拿大。现为加拿大渥太华卡尔登(Carleton)大学地理学和国际事务教授兼研究生院学术副院长。泰勒毕业于英国爱丁堡大学,并在伦敦大学进行教育学研究生学习。他在地图学方面的研究兴趣为机助地... 泰勒(Taylor)博士出生于苏格兰,1966年移居加拿大。现为加拿大渥太华卡尔登(Carleton)大学地理学和国际事务教授兼研究生院学术副院长。泰勒毕业于英国爱丁堡大学,并在伦敦大学进行教育学研究生学习。他在地图学方面的研究兴趣为机助地图学的应用与地图学教育。近年的研究集中在应用微机设计与制作地图。他热衷于发展“新地图学”的理论与实践,对第三世界的发展与地图学在空间规划中的应用也深感兴趣。 展开更多
关键词 图学教育 现任主席 加拿大渥太华 D.r.f ICA 教育学研究 空间规划 伦敦大学 理论与实践 爱丁堡大学
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掺硅类金刚石薄膜的制备与表征 被引量:7
9
作者 赵飞 李红轩 +3 位作者 吉利 权伟龙 周惠娣 陈建敏 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期11-14,共4页
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含... 利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含量。采用非接触式三维轮廓仪测量了薄膜的表面形貌、粗糙度和厚度。采用纳米压痕技术获得了各薄膜的纳米硬度。在UMT–2MT摩擦试验机采用划痕法评价了各薄膜的结合强度,并在CSM摩擦试验机上考察了各薄膜在空气及水环境下的摩擦学性能。结果表明,各薄膜的纳米硬度和结合强度有相似的变化规律,其最佳值均出现在CH4/Ar=5/6处;而当CH4/Ar=7/6时,薄膜在水环境下的摩擦学性能能得到显著提高,摩擦因数仅为0.012。 展开更多
关键词 r.f.PECVD 掺硅类金刚石薄膜 水环境 结合强度 摩擦因数
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不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究 被引量:1
10
作者 郭福强 简基康 +3 位作者 郑毓峰 孙言飞 徐金宝 马灵灵 《新疆大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期182-186,共5页
在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe... 在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性,且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究. 展开更多
关键词 CDTE 薄膜 r.f磁控溅射 晶体结构
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掺Ag离子的纳米CdTe薄膜的结构和电性能研究 被引量:1
11
作者 陈惠敏 郭福强 张保花 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第5期465-469,共5页
采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌... 采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌形态进行了表征.利用扫描电镜配备的能量色散谱仪(EDS)对薄膜化合物元素组成进行定量分析,并使用HMS-3000型霍耳效应测试测定薄膜电导等电学参数. 展开更多
关键词 CDTE 薄膜 r.f.磁控溅射 掺杂
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A comparison of transmittance properties between ZnO∶Al films for transparent conductors for solar cells deposited by sputtering of AZO and cosputtering of AZO/ZnO 被引量:8
12
作者 LEE Chongmu YIM Keunbin +1 位作者 CHO Youngjoon Lee J.G. 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期105-109,共5页
Aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were deposited on sapphire (002) and glass substrates by two different sputtering techniques radio frequency magnetron cosputtering of AZO and ZnO targets and sputtering of a... Aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were deposited on sapphire (002) and glass substrates by two different sputtering techniques radio frequency magnetron cosputtering of AZO and ZnO targets and sputtering of an AZO target. The dependence of the photoluminescence (PL) and transmittance properties of the AZO films deposited by cosputtering and sputtering on the AZO/ZnO target power ratio, R and the O2/Ar flow ratio, r were investigated, respectively. Only a deep level emission peak appears in the PL spectra of cosputtered AZO films whereas both UV emission and deep level emission peaks are observed in the PL spectra of sputtered AZO films. The absorption edges in the transmittance spectra of the AZO films shift to the lower wavelength region as R and r increase. Effects of crystallinity, surface roughness, PL on the transmittance of the AZO films were also explained using the X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), and PL analysis results. 展开更多
关键词 Al-doped ZnO (AZO) r.f. magnetron sputtering r.f. power transparent conducting oxide (TCO) TRANSMITTANCE
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磁控反应溅射SiN_x薄膜的研究 被引量:15
13
作者 朱勇 沈伟东 +1 位作者 叶辉 顾培夫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期154-157,共4页
用磁控反应溅射 (RF)的方法制备了SiNx 薄膜 分析了以硅为靶材 ,用N2 /Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响 ,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的 ,而总气... 用磁控反应溅射 (RF)的方法制备了SiNx 薄膜 分析了以硅为靶材 ,用N2 /Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响 ,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的 ,而总气压较大的时候 ,水汽影响增大 ,气流比率的影响反而不明显 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx 展开更多
关键词 SiNx薄膜 磁控反应溅射 光学常数
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氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响 被引量:9
14
作者 杨盟 刁训刚 +1 位作者 刘海鹰 王天民 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1637-1641,共5页
利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜... 利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气、氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理。利用X射线衍射、霍尔效应、UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果发现在不同气氛下热处理均能明显提高ITO薄膜在可见光区的透过率,氨气气氛下更有利于薄膜导电特性的改善。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 氨气和氮气气氛 热处理 ITO薄膜
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射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究 被引量:4
15
作者 曹培江 姜志刚 +4 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 李哲奎 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期275-278,共4页
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进... 使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有~ 70 0 cm- 1 ,~ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5~ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ ) 展开更多
关键词 射频磁控溅射 化学结合状态 结构 氮化碳薄膜 衬底温度 退火温度 FTIR XPS 拉曼光谱
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分子束外延方法生长p型氧化锌薄膜 被引量:6
16
作者 矫淑杰 梁红伟 +5 位作者 吕有明 申德振 颜建锋 张振中 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期460-462,共3页
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c 平面上外延生长了p型氧化锌薄膜。在实验中采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源 ,通过射频等离子体激活进行生长。在生长温度 30 0℃ ,NO气体流量为 1.0sccm ,射频功率为 30 0W的条件下 ,获得了重复性很好的p型ZnO ,且载流子浓度最大可达 1.2× 10 19cm-3 ,迁移率为 0 .0 5 35cm2 ·V-1·s-1,电阻率为 9.5Ω·cm。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 P型掺杂 一氧化氮 射频等离子体 分了束外延
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有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究 被引量:5
17
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期329-333,共5页
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃... 讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6~5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 铝掺杂 薄膜结构 光电性能 射频磁控溅射法
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射频磁控溅射法制备SnO_2∶Sb透明导电薄膜的光电性能研究 被引量:9
18
作者 陈甲林 赵青南 张君 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期406-411,共6页
采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能... 采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值。当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70%,电阻率为2.5×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.2×1021cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2.V-1.s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 透明导电薄膜 光电性能 氧气分压
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紫外光截止镀膜玻璃的射频磁控溅射法制备及表征 被引量:3
19
作者 赵青南 倪佳苗 +3 位作者 张乃芝 赵修建 姜宏 王桂荣 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期142-145,共4页
制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X... 制备了摩尔比为1:1的TiO2和CeO2陶瓷靶材。采用射频磁控溅射法在O2和Ar比例为5:95的混合气体中制备了玻璃基TiO2-CeO2薄膜。溅射过程中,工作气压保持在1.8Pa不变,玻璃基片温度从室温(RT)~220℃之间变化。用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和紫外-可见光谱仪研究了薄膜的物相结构、表面组成、表面形貌和镀膜试样的紫外-可见光透过率。结果表明,薄膜表面结构平滑、致密,呈微小晶粒结构,薄膜中Ti和Ce仅以Ti^4+和Ce^4+的形式存在;随着基片温度升高,薄膜中的细小晶粒略有长大;TiO2-CeO2镀膜玻璃可以有效地截止紫外线。 展开更多
关键词 射频溅射 玻璃基TiOx-CeO2薄膜 紫外光截止镀膜玻璃 基片温度
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同质缓冲层厚度对磁控溅射法制备玻璃基AZO薄膜的结构与光电性能影响 被引量:3
20
作者 王鹏 赵青南 +1 位作者 周祥 赵修建 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期589-593,共5页
室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了... 室温下在玻璃基片上用射频磁控溅射法制备了不同厚度的ZnO:Al(AZO)缓冲层,并在该同质缓冲层上溅射生长了AZO薄膜。用XRD测试了薄膜结构,用四探针法测量了薄膜方块电阻,用紫外-可见光谱仪测试了薄膜透过率,用双光束红外分光光度计测试了薄膜在中红外范围内的红外反射率。并比较并分析了引入同质缓冲层前后薄膜结构与性能的变化。结果表明,与没有缓冲层的样品相比较,适当厚度的同质缓冲层能降低AZO薄膜中的残余应力,使薄膜晶粒尺寸变大,降低AZO薄膜的方块电阻,使薄膜的紫外截止边发生蓝移,增加薄膜的红外反射率,并不明显影响薄膜的可见光透过率。 展开更多
关键词 同质缓冲层 ZNO:AL薄膜 射频磁控溅射法 方块电阻 玻璃基片
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