R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能

由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构.

不同衬底上纳米晶CdTe薄膜的低温制备及光性能研究

在液氮温度下采用射频(R.F)磁控溅射在普通玻璃(glass)、单晶硅(Si)和陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜.采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜的晶体结构与外貌形态进行了表征.XRD测试表明在glass和Si衬底上的CdTe薄膜比在Al2O3衬底有较好的结晶性,且在(111)晶面有较高的择优取向.在glass和Si衬底上的CdTe薄膜晶粒尺度约为25nm,而在Al2O3衬底上得到的薄膜晶粒尺度约为15nm左右.FESEM测试显示薄膜在glass和Si衬底上的结晶形态比Al2O3衬底较平整,致密.同时对玻璃衬底上不同沉积时间得到的纳米薄膜进行了光学性能研究.

掺Ag离子的纳米CdTe薄膜的结构和电性能研究

采用射频(R.F.)磁控溅射在陶瓷(Al2O3)衬底上制备出了纳米晶CdTe薄膜,常温下将薄膜样品浸泡到AgNO3水溶液后,在真空380℃下退火60 min获得Ag离子掺杂的样品.利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对掺杂前后薄膜的晶体结构、外貌形态进行了表征.利用扫描电镜配备的能量色散谱仪(EDS)对薄膜化合物元素组成进行定量分析,并使用HMS-3000型霍耳效应测试测定薄膜电导等电学参数.